Substrat
-
Mikroelektronika we radio ýygylygy üçin üç gatlakly kremniý izolýator substraty SOI plastinasy
-
8 dýuýmlyk we 6 dýuýmlyk SOI (Silicon-On-Insulator) kremniý plitalaryndaky SOI plastinka izolýatory
-
6inch SiC Epitaxiy wafer N/P görnüşi özleşdirilen görnüşde kabul edilýär
-
Alýumin oksidi keramiki plastinka 4 дюйм arassalyk 99% polikristal aşynmaya çydamly 1 mm galyňlyk
-
200 mm SiC substrat maket 4H-N 8inç SiC wafer
-
Kremniý dioksidi wafer SiO2 wafer galyňlygy jylaňlanan, esasy we synag derejesi
-
Hytaýyň P we D derejeli monokristallaryndan öndürilen 4H-N Dia205mm SiC tohumy
-
FZ CZ Si wafer 12inch Silicon wafer Prime or Test stokda bar
-
Diametri 150mm 4H-N 6inch SiC substratynyň önümçiligi we maket derejesi
-
3 dýuým Diametri 76.2 mm sapfir wafer 0.5 mm galyňlykdaky C-tekizlik SSP
-
8 дюймlyk silikon wafer P/N görnüşli (100) 1-100Ω gaýtadan işleýän substrat
-
MOS ýa-da SBD üçin 4 дюйм SiC Epi wafer