Substrat
-
12 dýuýmlyk SIC substrat kremniý karbidi esasy derejeli diametri 300 mm uly ölçegli 4H-N Ýokary kuwwatly enjamyň ýylylyk ýaýramagy üçin amatly
-
Diametri 300x1.0mmt Galyňlygy Safir Wafer C-Plane SSP/DSP
-
HPSI SiC wafer diametri: 3 дюйм galyňlygy: Power Electronics üçin 350um± 25 µm
-
8 dýuým 200 mm Safir substraty Safir wafer inçe galyňlyk 1SP 2SP 0.5mm 0.75mm
-
8 dýuýmlyk SiC kremniý karbid wafer 4H-N görnüşli 0.5mm önümçilik derejeli ylmy derejeli ýörite jylaňlanan substrat
-
Bir kristally Al2O3 99.999% Diametri 200 mm sapfir waferleri 1.0 mm 0.75 mm galyňlykda
-
C-Plane DSP TTV daşaýjysy üçin 156mm 159mm 6 dýuýmlyk sapfir wafer
-
C/A/M okly 4 dýuým sapfir waferleri bir kristally Al2O3, SSP DSP ýokary gaty sapfir substraty
-
3 дюйм Ýokary arassalykly ýarym izolýasiýaly （HPSI）SiC wafer 350um Dummy derejeli Esasy derejeli
-
P-tipli SiC substrat SiC wafer Dia2inch täze önüm
-
8 дюйм 200 мм Silikon Karbid SiC Wafers 4H-N görnüşli önümçilik derejesi 500um galyňlyk
-
2 inç 6H-N kremniý karbid substraty Sic wafer goşa jylaňlanan geçirijilikli esasy derejeli Mos derejeli