Silikon 8 dýuým we 6 dýuým SOI (Silikon-On-izolýator) wafli boýunça SOI wafli izolýatory

Gysga düşündiriş:

Üç dürli gatlakdan ybarat Silikon-On-izolýator (SOI) wafli, mikroelektronika we radio ýygylygy (RF) amaly ulgamynda özen bolup durýar. Bu abstrakt bu innowasiýa substratyň esasy aýratynlyklaryny we dürli ulanylyşyny düşündirýär.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Wafli gutusy bilen tanyşdyryň

Üç gatly SOI wafli mikroelektronika we RF domenlerinde deňsiz-taýsyz artykmaçlyklary hödürleýär. Qualityokary hilli kristal kremnini öz içine alýan ýokarky kremniy gatlagy, çylşyrymly elektron bölekleriniň takyklygy we netijeliligi bilen birleşmegini aňsatlaşdyrýar. Parazit kuwwatyny azaltmak üçin içgin işlenip düzülen izolýasiýa oksidi gatlagy, islenmeýän elektrik päsgelçiligini azaltmak arkaly enjamyň işleýşini ýokarlandyrýar. Aşakdaky kremniniň substraty mehaniki goldaw berýär we bar bolan kremnini gaýtadan işlemek tehnologiýalaryna laýyklygy üpjün edýär.

Mikroelektronikada SOI wafli ýokary tizlik, güýç tygşytlylygy we ygtybarlylygy bilen ösen integral zynjyrlary (IC) ýasamak üçin esas bolup hyzmat edýär. Üç gatly arhitekturasy CMOS (Goşmaça metal-oksid-ýarymgeçiriji) IC, MEMS (Mikro-elektro-mehaniki ulgamlar) we güýç enjamlary ýaly çylşyrymly ýarymgeçiriji enjamlary ösdürmäge mümkinçilik berýär.

RF domeninde SOI wafli RF enjamlaryny we ulgamlaryny dizaýn etmekde we durmuşa geçirmekde ajaýyp öndürijiligi görkezýär. Onuň pes parazit kuwwaty, ýokary naprýa .eniýe naprýa .eniýesi we ajaýyp izolýasiýa häsiýetleri ony RF wyklýuçateller, güýçlendirijiler, süzgüçler we beýleki RF komponentleri üçin ideal substrata öwürýär. Mundan başga-da, SOI wafli bilen baglanyşykly radiasiýa çydamlylygy, howa şertlerinde ygtybarlylyk birinji orunda durýan howa we goranyş amaly üçin amatlydyr.

Mundan başga-da, SOI wafliniň köp taraplylygy fotonik integral zynjyrlar (PIC) ýaly täze döreýän tehnologiýalara degişlidir, bu ýerde optiki we elektron bölekleriniň bir substrata integrasiýasy indiki nesil telekommunikasiýa we maglumat aragatnaşyk ulgamlary üçin wada berýär.

Gysgaça aýtsak, üç gatly Silikon-On-izolýator (SOI) wafli mikroelektronika we RF programmalarynda innowasiýalaryň başynda durýar. Özboluşly arhitekturasy we ajaýyp öndürijilik aýratynlyklary dürli pudaklarda öňe gidişlige ýol açýar, ösüşe itergi berýär we tehnologiýanyň geljegini emele getirýär.