SiO₂ Kwars Wafer Kwars Waferleri SiO₂ MEMS Temperatura 2″ 3″ 4″ 6″ 8″ 12″

Gysgaça düşündiriş:

Kwars plastinkalary elektronika, ýarymgeçirijiler we optika senagatlaryny ösdürmekde möhüm rol oýnaýar. GPS-iňizi dolandyrýan smartfonlarda, 5G ulgamlaryny güýçlendirýän ýokary ýygylykly baza stansiýalarynda ýerleşdirilen we täze nesil mikroçiplerini öndürýän gurallara birikdirilen kwars plastinkalary örän möhümdir. Bu ýokary arassa substratlar kwantum hasaplamalaryndan başlap, ösen fotonika çenli ähli ýerde innowasiýalary döretmäge mümkinçilik berýär. Ýeriň iň köp ulanylýan minerallarynyň birinden alynýandygyna garamazdan, kwars plastinkalary takyklyk we öndürijilik babatda ajaýyp standartlara laýyk işlenip düzülýär.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Jikme-jik diagramma

fused_kwartz_wafer_4_inch_fused_kremniý_wafer_

Eridilen kremniý we optiki kwarts aýna plitalary-2

Giriş

Eridilen kremniý we optiki kwarts aýna plitalary

Kwarts Waferleri näme?

Kwars waferleri örän arassa sintetiki kwars kristalyndan ýasalan inçe, tegelek disklerdir. 2-den 12 dýuýma çenli standart diametrlerde elýeterli bolan kwars waferleriniň galyňlygy adatça 0,5 mm-den 6 mm-e çenli bolýar. Düzgünsiz prizmatiki kristallary emele getirýän tebigy kwarsdan tapawutlylykda, sintetiki kwars berk gözegçilik edilýän laboratoriýa şertlerinde ösdürilip ýetişdirilýär we birmeňzeş kristal gurluşlaryny öndürýär.

Kwars plastinkalarynyň özüne mahsus kristallygy deňsiz-taýsyz himiki garşylygy, optiki açyklygy we ýokary temperatura we mehaniki dartgynlyk astynda durnuklylygy üpjün edýär. Bu aýratynlyklar kwars plastinkalaryny maglumat geçirmekde, duýmakda, hasaplamakda we lazer esasly tehnologiýalarda ulanylýan takyk enjamlar üçin esasy bölek edýär.

Kwarts Waferiniň Tehniki ...

Kwarts görnüşi	4	6	8	12
Ölçegi
Diametr (dýuým)	4	6	8	12
Galyňlygy (mm)	0.05–2	0.25–5	0.3–5	0.4–5
Diametriň çydamlylygy (dýuým)	±0.1	±0.1	±0.1	±0.1
Galyňlyga çydamlylyk (mm)	Özleşdirip bolýar	Özleşdirip bolýar	Özleşdirip bolýar	Özleşdirip bolýar
Optiki häsiýetler
Döwülme görkezijisi @365 nm	1.474698	1.474698	1.474698	1.474698
Döwülme görkezijisi @546.1 nm	1.460243	1.460243	1.460243	1.460243
Döwülme görkezijisi @1014 nm	1.450423	1.450423	1.450423	1.450423
Içki geçirijilik (1250–1650 nm)	>99.9%	>99.9%	>99.9%	>99.9%
Umumy geçirijilik (1250–1650 nm)	>92%	>92%	>92%	>92%
Işleýiş hili
TTV (Umumy galyňlygyň üýtgemegi, µm)	<3	<3	<3	<3
Tekizlik (µm)	≤15	≤15	≤15	≤15
Ýüziň büdür-büdürligi (nm)	≤1	≤1	≤1	≤1
Ýaý (µm)	<5	<5	<5	<5
Fiziki häsiýetler
Dykyzlyk (g/sm³)	2.20	2.20	2.20	2.20
Ýangyň Moduly (GPa)	74.20	74.20	74.20	74.20
Mohs gatylygy	6–7	6–7	6–7	6–7
Kesme Moduly (GPa)	31.22	31.22	31.22	31.22
Puasson gatnaşygy	0.17	0.17	0.17	0.17
Basyş güýji (GPa)	1.13	1.13	1.13	1.13
Dartgynlylyk güýji (MPa)	49	49	49	49
Dielektrik sabit (1 MHz)	3.75	3.75	3.75	3.75
Termal häsiýetler
Gatyşyk Nokady (10¹⁴.⁵ Pa·s)	1000°C	1000°C	1000°C	1000°C
Taýýarlama Nokady (10¹³ Pa·s)	1160°C	1160°C	1160°C	1160°C
Ýumşama Nokady (10⁷.⁶ Pa·s)	1620°C	1620°C	1620°C	1620°C

Kwarts plitalarynyň ulanylyşy

Kwars waferleri aşakdaky pudaklarda talap edilýän ulanylyşlary kanagatlandyrmak üçin ýörite taýýarlanylýar:

Elektronika we RF enjamlary

Kwarts plastinkalary smartfonlar, GPS enjamlary, kompýuterler we simsiz aragatnaşyk enjamlary üçin sagat signallaryny üpjün edýän kwarts kristal rezonatorlarynyň we ossilýatorlarynyň esasy bölegi bolup durýar.
Olaryň pes termal giňelmegi we ýokary Q-faktory kwars waferlerini ýokary durnuklylykly wagt zynjyrlary we RF süzgüçleri üçin ajaýyp edýär.

Optoelektronika we suratlandyryş

Kwarts plitalary ajaýyp UV we IR geçirijiligini üpjün edýär, bu bolsa olary optik linzalar, şöhle bölüjiler, lazer penjireleri we detektorlar üçin ideal edýär.
Olaryň radiasiýa garşylygy ýokary energiýaly fizikada we kosmos enjamlarynda ulanmaga mümkinçilik berýär.

Ýarymgeçirijiler we MEMS

Kwarts plastinkalary, esasanam GaN we RF ulanylyşlarynda, ýokary ýygylykly ýarymgeçiriji zynjyrlar üçin substrat hökmünde hyzmat edýär.
MEMS-de (Mikro-Elektro-Mehaniki Ulgamlar) kwars plitalary mehaniki signallary pýezoelektrik effekt arkaly elektrik signallaryna öwürýär we giroskoplar we akselerometrler ýaly sensorlary ulanmaga mümkinçilik berýär.

Ösen önümçilik we laboratoriýalar

Ýokary arassa kwarts plitalary himiki, biolukmançylyk we fotonik laboratoriýalarda optiki öýjükler, UV küwetleri we ýokary temperatura nusgalaryny gaýtadan işlemek üçin giňden ulanylýar.
Olaryň ekstremal gurşawlar bilen utgaşyklylygy olary plazma kameralary we çökündi gurallary üçin amatly edýär.

Kwarts waflileri nähili ýasalýar

Kwarts waferlerini öndürmegiň iki esasy usuly bar:

Eridilen kwarts waferleri

Eridilen kwarts waflileri tebigy kwarts granulalaryny amorf aýnada eredip, soňra berk bloky inçe waflilere bölüp we jylap ýasalýar. Bu kwarts waflileri aşakdakylary hödürleýär:

Ajaýyp UV şöhleleriniň açyklygy
Giň termal iş diapazony (>1100°C)
Ajaýyp termal şoka garşylyk

Olar litografiýa enjamlary, ýokary temperaturaly peçler we optiki penjireler üçin ideal, ýöne kristal tertibiniň ýoklugy sebäpli pýezoelektrik ulanylyşlar üçin amatly däl.

Kultiwleşdirilen kwarts waferleri

Kulturalaşdyrylan kwars waferleri takyk tor ugry bilen kemçiliksiz kristallary öndürmek üçin sintetiki usulda ösdürilip ýetişdirilýär. Bu waferler aşakdakylary talap edýän ulanylyşlar üçin döredildi:

Takyk kesilen burçlar (X-, Y-, Z-, AT-kesiş we ş.m.)
Ýokary ýygylykly osilatorlar we SAW süzgüçleri
Optiki polýarizatorlar we ösen MEMS enjamlary

Önümçilik prosesi awtoklawlarda tohum ösdürmegi, soňra dilimlemegi, ugur almagy, ýumşadyp arassalamagy we jylamagy öz içine alýar.

Öňdebaryjy kwarts wafli üpjün edijileri

Ýokary takyklykly kwarts waferlerine ýöriteleşen global üpjün edijiler:

Hereus(Germaniýa) – ereýän we sintetiki kwarts
Şin-Etsu Kwarts(Ýaponiýa) – ýokary arassalykly wafer erginleri
WaferPro(ABŞ) – giň diametrli kwarts waferleri we substratlar
Korth Kristalle(Germaniýa) – sintetiki kristall waferler

Kwarts plitalarynyň ösýän roly

Kwarts plitalary täze tehnologiýa landşaftlarynda möhüm bölekler hökmünde ösmegini dowam etdirýär:

Miniatýurlaşdyrma– Kwars waferleri ykjam enjamlary integrasiýa etmek üçin has berk çydamlylyk bilen öndürilýär.
Ýokary ýygylykly elektronika– Täze kwars wafer dizaýnlary 6G we radar üçin mmWave we THz ugurlaryna öňe çykýar.
Indiki Nesil Duýduryş– Awtonom ulaglardan senagat IoT-a çenli, kwars esasly sensorlar has möhüm bolup durýar.

Kwarts waferleri barada köp soralýan soraglar

1. Kwars waferi näme?

Kwars plastinkasy kristal kremniý dioksidinden (SiO₂) ýasalan inçe, tekiz disk bolup, adatça standart ýarymgeçiriji ölçeglerinde (meselem, 2", 3", 4", 6", 8" ýa-da 12") öndürilýär. Ýokary arassalygy, termal durnuklylygy we optiki açyklygy bilen tanalýan kwars plastinkasy ýarymgeçiriji öndürmek, MEMS enjamlary, optiki ulgamlar we wakuum prosesleri ýaly dürli ýokary takyklykly ulanylyşlarda substrat ýa-da daşaýjy hökmünde ulanylýar.

2. Kwars bilen silika geliniň arasyndaky tapawut näme?

Kwarts kremniý dioksidiniň (SiO₂) kristal görnüşli gaty görnüşidir, silika gel bolsa SiO₂-nyň amorf we gözenekli görnüşidir we adatça çyglylygy siňdirmek üçin guradyjy hökmünde ulanylýar.

Kwarts gaty, şeffafdyr we elektron, optiki we senagat ulanylyşlarynda ulanylýar.
Silika geli kiçijik munçuklar ýa-da granulalar görnüşinde peýda bolýar we esasan gaplamalarda, elektronikada we saklamada çyglylygy gözegçilikde saklamak üçin ulanylýar.

3. Kwars kristallary näme üçin ulanylýar?

Kwarts kristallary pýezoelektrik häsiýetleri sebäpli elektronikada we optikada giňden ulanylýar (olar mehaniki dartgynlyk astynda elektrik zarýadyny döredýärler). Umumy ulanylyşlary:

Osilýatorlar we ýygylyk gözegçiligi(meselem, kwars sagatlary, sagatlar, mikrokontrollerler)
Optiki komponentler(meselem, linzalar, tolkun plitalary, penjireler)
Rezonatorlar we süzgüçlerRF we aragatnaşyk enjamlarynda
Sensorlarbasyş, tizlenme ýa-da güýç üçin
Ýarymgeçirijileriň öndürilişisubstratlar ýa-da proses penjireleri hökmünde

4. Mikroçiplerde näme üçin kwars ulanylýar?

Kwarts mikroçip bilen baglanyşykly ulanylyşlarda ulanylýar, sebäbi ol aşakdakylary hödürleýär:

Termal durnuklylykdiffuziýa we ýumşatmak ýaly ýokary temperatura proseslerinde
Elektrik izolýasiýasydielektrik häsiýetleri sebäpli
Himiki garşylykýarymgeçirijiler önümçiliginde ulanylýan kislotalara we erginlere
Ölçeg takyklygywe ygtybarly litografiýa deňleşdirmesi üçin pes termal giňelme
Kwartsyň özi işjeň ýarymgeçiriji material hökmünde (kremniý ýaly) ulanylmasa-da, ol önümçilik gurşawynda, esasanam peçlerde, kameralarda we fotomaska substratlarynda möhüm goldaw beriji rol oýnaýar.

Biz barada

XKH ýokary tehnologiýaly optik aýna we täze kristal materiallarynyň işlenip düzülmegine, öndürilmegine we satylmagyna ýöriteleşýär. Önümlerimiz optik elektronika, sarp ediş elektronikasy we harby ulgamlara hyzmat edýär. Biz Safir optiki böleklerini, ykjam telefon linzalarynyň örtüklerini, keramika, LT, kremniý karbidi SIC, kwars we ýarymgeçiriji kristall plitalaryny hödürleýäris. Hünärmen tejribe we iň täze enjamlar bilen biz standart däl önümleri gaýtadan işlemekde üstünlik gazanýarys we öňdebaryjy optoelektron materiallary ýokary tehnologiýaly kärhana bolmagy maksat edinýäris.