Silikon-on-izolýator substrat SOI wafli mikroelektronika we radio ýygylygy üçin üç gatlak

Silikon-on-izolýator substrat SOI wafli mikroelektronika we radio ýygylygy aýratyn surat üçin üç gatlak

Gysga düşündiriş:

SOI doly ady Silikon On izolýator, izolýatoryň üstündäki kremniy tranzistor gurluşynyň manysy, prinsip kremniniň tranzistorynyň arasynda, izolýator materialyny goşup, ikisiniň arasyndaky parazit kuwwatyny asyl nusgasyndan iki esse az edip biler.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Wafli gutusy bilen tanyşdyryň

Mikroelektronikany we radio ýygylygyny (RF) goýmalaryny üýtgedip, üç dürli gatlak bilen çylşyrymly işlenip düzülen, Silikon-On-izolýator (SOI) wafli bilen tanyşdyrmak. Bu innowasiýa substraty deňsiz-taýsyz öndürijiligi we köpugurlylygy üpjün etmek üçin ýokarky kremniý gatlagyny, izolýasiýa oksidi gatlagyny we aşaky kremniy substraty birleşdirýär.

Döwrebap mikroelektronikanyň talaplary üçin döredilen SOI wafli, ýokary tizlik, güýç tygşytlylygy we ygtybarlylygy bilen çylşyrymly integral zynjyrlary (IC) ýasamak üçin berk binýady üpjün edýär. Silokarky kremniý gatlagy çylşyrymly elektron bölekleriniň bökdençsiz birleşmegine mümkinçilik berýär, izolýasiýa oksidi gatlagy bolsa, enjamyň umumy işleýşini ýokarlandyryp, parazit kuwwatyny peseldýär.

RF programmalarynyň çäginde, SOI wafli pes parazit kuwwaty, ýokary bölüniş naprýa .eniýesi we ajaýyp izolýasiýa häsiýetleri bilen ajaýyp. RF wyklýuçateller, güýçlendirijiler, süzgüçler we beýleki RF komponentleri üçin amatly bu substrat simsiz aragatnaşyk ulgamlarynda, radar ulgamlarynda we başgalarda iň oňat öndürijiligi üpjün edýär.

Mundan başga-da, SOI wafliimize mahsus radiasiýa çydamlylygy, howa şertlerinde ygtybarlylyk möhüm bolan howa we goranyş amaly üçin amatly edýär. Onuň berk gurluşygy we ajaýyp öndürijilik aýratynlyklary hatda aşa şertlerde-de yzygiderli işlemegi kepillendirýär.

Esasy aýratynlyklary:

Üç gatly arhitektura: ýokarky kremniy gatlagy, izolýasiýa oksid gatlagy we aşaky kremniniň aşaky gatlagy.

Iň ýokary mikroelektron öndürijiligi: Ösen tizlik we güýç netijeliligi bilen ösen IC-leri ýasamaga mümkinçilik berýär.

Ajaýyp RF öndürijiligi: Pes parazit kuwwaty, ýokary bölüniş naprýa .eniýesi we RF enjamlary üçin ýokary izolýasiýa häsiýetleri.

Aerokosmos-derejeli ygtybarlylyk: Içerki radiasiýa çydamlylygy, kyn şertlerde ygtybarlylygy üpjün edýär.

Köpugurly programmalar: Telekommunikasiýa, howa giňişligi, goranmak we başgalar ýaly köp sanly pudak üçin amatly.

Öňdebaryjy Silikon-On-izolýator (SOI) wafli bilen mikroelektronikanyň we RF tehnologiýasynyň indiki neslini başdan geçiriň. Iň täze substrat çözgüdi bilen innowasiýa üçin täze mümkinçilikleri açyň we programmalaryňyzda öňe gidişlige itergi beriň.