Silikon Karbid SiC Ingot 6inch N görnüşli Dummy / başlangyç derejeli galyňlygy düzülip bilner

Silikon Karbid SiC Ingot 6inch N görnüşli Dummy / baş derejeli galyňlygy, aýratynlaşdyrylan aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

Silikon Karbid (SiC) giň zolakly ýarymgeçiriji material bolup, ýokary elektrik, ýylylyk we mehaniki aýratynlyklary sebäpli dürli pudaklarda uly gyzyklanma döredýär. 6 dýuýmlyk N görnüşli Dummy / Prime derejeli SiC Ingot, ýokary güýçli we ýokary ýygylykly goşundylary goşmak bilen ösen ýarymgeçiriji enjamlary öndürmek üçin ýörite döredildi. Düzülip bilinýän galyňlyk opsiýalary we takyk spesifikasiýalary bilen bu SiC ingot, elektrik ulaglarynda, senagat elektrik ulgamlarynda, telekommunikasiýa we beýleki ýokary öndürijilikli pudaklarda ulanylýan enjamlary ösdürmek üçin ideal çözgüt hödürleýär. SiC-iň ýokary woltly, ýokary temperaturaly we ýokary ýygylykly şertlerde berkligi dürli programmalarda uzak dowamly, täsirli we ygtybarly öndürijiligi üpjün edýär.
SiC Ingot 6 dýuým ululykda, diametri 150,25mm ± 0,25mm we galyňlygy 10 mm-den uly bolup, wafli dilimlemek üçin amatly bolýar. Bu önüm, enjamyň ýasalyşynda ýokary takyklygy üpjün edip, 4 ° <11-20> ± 0,2 ° tarap gowy kesgitlenen ýerüsti ugry hödürleýär. Mundan başga-da, ingot iň oňat kristal deňleşdirilmegine we gaýtadan işlemegine goşant goşup, <1-100> ± 5 ° esasy tekiz ugry görkezýär.
0.015–0.0285 Ω · sm aralygynda ýokary garşylykly, pes mikrop turbanyň dykyzlygy <0,5 we ajaýyp gyrasy hili bilen bu SiC Ingot minimal şertleri we aşa ýokary şertlerde ýokary öndürijiligi talap edýän güýç enjamlaryny öndürmek üçin amatlydyr.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Sypatlar

Baha: Önümçilik derejesi (Dummy / Prime)
Ölçegi: diametri 6 dýuým
Diametri: 150,25mm ± 0,25mm
Galyňlygy:> 10mm (Talap boýunça elýeterli galyňlyk)
Faceerüsti ugrukdyryş: enjamyň ýasalmagy üçin ýokary kristal hilini we takyk deňleşmegini üpjün edýän <11-20> ± 0.2 ° tarap 4 °.
Esasy tekiz ugry: <1-100> ± 5 °, ingotyň waflere netijeli kesilmegi we kristalyň optimal ösmegi üçin esasy aýratynlyk.
Esasy tekizligiň uzynlygy: 47.5mm ± 1.5mm, aňsat işlemek we takyk kesmek üçin niýetlenendir.
Çydamlylygy: 0.015–0.0285 Ω · sm, ýokary öndürijilikli güýç enjamlarynda ulanmak üçin amatly.
Mikrop turbanyň dykyzlygy: öndürilen enjamlaryň işleýşine täsir edip biljek minimal kemçilikleri üpjün etmek.
BPD (Bor Pitting Density): <2000, ýokary kristal arassalygyny we pes kemçilik dykyzlygyny görkezýän pes baha.
TSD (Nurbatlaryň ýerleşdiriliş dykyzlygy): <500, ýokary öndürijilikli enjamlar üçin ajaýyp material bitewiligini üpjün edýär.
Polip görnüşleri: Hiç biri - ingot ýokary derejeli programmalar üçin ýokary material hilini hödürläp, polip görnüşindäki kemçiliklerden azatdyr.
Gyrasy görkezijileri: 1 mm ini we çuňlugy bilen, iň az ýerüsti zeper ýetmegini üpjün edýär we wafli kesmek üçin ingotyň bitewiligini saklaýar.
Gyradaky döwükler: hersi 3, <1mm, gyrada zeper ýetmegi az bolup, howpsuz işlemegi we mundan beýläk işlemegi üpjün edýär.
Gaplamak: Wafli halta - SiC ingot ygtybarly ulag we işleýşi üpjün etmek üçin wafli gabynda ygtybarly gaplanýar.

Goýmalar

Kuwwat elektronikasy:6 dýuýmlyk SiC ingot, güýç öwrüliş ulgamlarynda möhüm komponentler bolan MOSFET, IGBT we diod ýaly güýçli elektron enjamlaryny öndürmekde giňden ulanylýar. Bu enjamlar elektrik ulagy (EV) inwertorlarynda, senagat hereketlendirijilerinde, elektrik üpjünçiliginde we energiýa saklaýyş ulgamlarynda giňden ulanylýar. SiC-iň ýokary woltlarda, ýokary ýygylyklarda we aşa gyzgynlykda işlemek ukyby, adaty kremniniň (Si) enjamlarynyň netijeli işlemegi üçin göreşýän ýerleri üçin amatly edýär.

Elektrik ulaglary (EV):Elektrik ulaglarynda, inwertorlarda, DC-DC öwrüjilerinde we bortdaky zarýad berijilerde güýç modullaryny ösdürmek üçin SiC esasly komponentler möhümdir. SiC-iň ýokary ýylylyk geçirijiligi ýylylyk öndürilişini peseltmäge we elektrik ulaglarynyň işleýşini we hereketlendiriş diapazonyny ýokarlandyrmak üçin möhüm bolan güýç öwrülişinde has gowy netijeliligi üpjün edýär. Mundan başga-da, SiC enjamlary has kiçi, has ýeňil we has ygtybarly komponentleri işledip, EV ulgamlarynyň umumy işleýşine goşant goşýar.

Täzelenýän energiýa ulgamlary:SiC ingotlary, gün inwertorlary, ýel turbinalary we energiýa saklaýyş çözgütleri ýaly täzelenip bilýän energiýa ulgamlarynda ulanylýan kuwwat öwrüliş enjamlaryny ösdürmekde möhüm materialdyr. SiC-iň ýokary kuwwatlylygy we ýokary ýylylyk dolandyryşy, bu ulgamlarda has ýokary energiýa öwrülişiniň netijeliligini we ygtybarlylygyny ýokarlandyrmaga mümkinçilik berýär. Täzelenip bilýän energiýada ulanylmagy, global tagallalary energiýanyň durnuklylygyna itergi bermäge kömek edýär.

Telekommunikasiýa:6 dýuýmlyk SiC ingot, ýokary güýçli RF (radio ýygylygy) programmalarynda ulanylýan komponentleri öndürmek üçin hem amatlydyr. Bularyň arasynda telekommunikasiýa we hemra aragatnaşyk ulgamlarynda ulanylýan güýçlendirijiler, yrgyldamalar we süzgüçler bar. SiC-iň ýokary ýygylyklary we ýokary güýji dolandyrmak ukyby ony berk öndürijiligi we minimal signal ýitgisini talap edýän telekommunikasiýa enjamlary üçin ajaýyp material edýär.

Aerokosmos we goranmak:SiC-iň ýokary bölüniş naprýa .eniýesi we ýokary temperatura garşylygy howa we goranyş amaly üçin amatly edýär. SiC ingotlaryndan ýasalan komponentler radar ulgamlarynda, hemra aragatnaşygynda we uçar we kosmos gämileri üçin elektrik elektronikasynda ulanylýar. SiC esasly materiallar kosmos ulgamlaryna kosmosda we ýokary belentliklerde ýüze çykýan aşa agyr şertlerde işlemäge mümkinçilik berýär.

Senagat awtomatizasiýasy:Senagat awtomatizasiýasynda, SiC komponentleri agyr şertlerde işlemeli datçiklerde, herekete getirijilerde we dolandyryş ulgamlarynda ulanylýar. SiC esasly enjamlar, ýokary temperatura we elektrik streslerine garşy durmaga ukyply, uzak möhletli komponentleri talap edýän enjamlarda ulanylýar.

Önümiň spesifikasiýasy tablisasy

Emläk	Spesifikasiýa
Baha	Önümçilik (Dummy / Prime)
Ölçegi	6 dýuým
Diametri	150,25mm ± 0,25mm
Galyňlyk	> 10mm (Düzülip bilner)
Faceerüsti ugrukdyrma	4 ° <11-20> ± 0,2 ° tarap
Esasy kwartira	<1-100> ± 5 °
Esasy tekizlik uzynlygy	47.5mm ± 1.5mm
Çydamlylyk	0.015–0.0285 Ω · sm
Mikrop turbanyň dykyzlygy	<0.5
Bor çukurynyň dykyzlygy (BPD)	<2000
Nurbatlaryň bölüniş dykyzlygy (TSD)	<500
Polip görnüşleri	Hiç
Gyrasy görkezijiler	<3, 1mm ini we çuňlugy
Gyrasy döwükler	3, <1mm / ea
Gaplamak	Wafli halta

Netije

6 dýuýmlyk SiC Ingot - N görnüşli Dummy / Prime derejesi ýarymgeçiriji pudagynyň berk talaplaryna laýyk gelýän premium materialdyr. Highokary ýylylyk geçirijiligi, ajaýyp garşylyk we pes kemçilik dykyzlygy ony ösen güýçli elektron enjamlaryny, awtoulag komponentlerini, telekommunikasiýa ulgamlaryny we täzelenip bilýän energiýa ulgamlaryny öndürmek üçin ajaýyp saýlama edýär. Düzülip bilinýän galyňlyk we takyklyk aýratynlyklary, bu SiC ingotyň talap edilýän şertlerde ýokary öndürijiligini we ygtybarlylygyny üpjün edip, köp sanly programma düzülip bilinjekdigini üpjün edýär. Has giňişleýin maglumat ýa-da sargyt bermek üçin satuw toparymyz bilen habarlaşmagyňyzy haýyş edýäris.