Silikon karbid SiC külçesi 6inç N görnüşli dummy/esasy derejeli galyňlygy öz islegiňize görä sazlanyp bilner

Gysgaça düşündiriş:

Kremniý karbidi (SiC) giň zolakly ýarymgeçiriji material bolup, ýokary elektrik, termal we mehaniki häsiýetleri sebäpli dürli pudaklarda uly ähmiýete eýe bolýar. 6 dýuýmlyk N-tipli Dummy/Prime derejeli SiC külçesi ýokary kuwwatly we ýokary ýygylykly ulanyşlary öz içine alýan ösen ýarymgeçiriji enjamlary öndürmek üçin ýörite döredildi. Özboluşly galyňlyk opsiýalary we takyk tehniki aýratynlyklary bilen bu SiC külçesi elektrik awtoulaglarynda, senagat energiýa ulgamlarynda, telekommunikasiýada we beýleki ýokary öndürijilikli pudaklarda ulanylýan enjamlary işläp düzmek üçin ideal çözgüt hödürleýär. SiC-niň ýokary woltly, ýokary temperaturaly we ýokary ýygylykly şertlerde berkligi dürli ulanyşlarda uzak möhletli, netijeli we ygtybarly işlemegi üpjün edýär.
SiC Ingot 6 dýuým ölçegde, diametri 150.25mm ± 0.25mm we galyňlygy 10 mm-den uly bolup, wafer dilimlemek üçin amatlydyr. Bu önüm enjamyň öndürilişinde ýokary takyklygy üpjün edýän <11-20> ± 0.2° tarap 4° anyk kesgitlenen ýüz ugryny hödürleýär. Mundan başga-da, külot kristallaryň optimal deňleşdirilmegine we gaýtadan işlemegiň netijeliligine goşant goşýan <1-100> ± 5° esasy tekiz ugryny öz içine alýar.
0.015–0.0285 Ω·sm aralygynda ýokary garşylyk, <0.5 pes mikrotruba dykyzlygy we ajaýyp gyra hili bilen bu SiC Ingot minimal kemçilikleri we ekstremal şertlerde ýokary öndürijiligi talap edýän güýç enjamlaryny öndürmek üçin amatlydyr.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Emläkler

Dereje: Önümçilik derejesi (Makina/Iň gowy)
Ölçegi: 6 dýuým diametr
Diametri: 150.25mm ± 0.25mm
Galyňlygy: > 10 mm (talap boýunça sazlanyp bilinýän galyňlyk bar)
Ýüziň ugry: <11-20> ± 0.2° tarap 4°, bu bolsa enjamyň öndürilmegi üçin ýokary kristal hilini we takyk deňleşdirilmegini üpjün edýär.
Esasy tekizlik ugry: <1-100> ± 5°, külçäni waferlere netijeli kesmek we kristallaryň optimal ösüşi üçin esasy aýratynlyk.
Esasy tekiz uzynlygy: 47.5mm ± 1.5mm, aňsat ulanmak we takyk kesmek üçin niýetlenen.
Garşylyklylyk: 0.015–0.0285 Ω·sm, ýokary netijeli elektrik enjamlarynda ulanmak üçin ideal.
Mikrotrubanyň dykyzlygy: <0.5, öndürilen enjamlaryň işine täsir edip biljek kemçilikleriň minimal bolmagyny üpjün edýär.
BPD (Bor Çüýreme Dykyzlygy): <2000, kristallaryň ýokary arassalygyny we kemçilikleriň pes dykyzlygyny görkezýän pes gymmatlyk.
TSD (Rişli wintiň çykarylyşynyň dykyzlygy): <500, ýokary öndürijilikli enjamlar üçin ajaýyp material bitewüligini üpjün edýär.
Köptipli meýdanlar: Ýok – külçede köptipli kemçilikler ýok, bu bolsa ýokary derejeli ulanyşlar üçin ýokary hilli material hilini hödürleýär.
Gyralaryň çuňlugy: <3, ini we çuňlugy 1 mm, bu bolsa ýüzüň zeperlenmeginiň minimal bolmagyny we plastili netijeli dilimlemek üçin külçäniň bitewüligini saklamagy üpjün edýär.
Gyra çatlaklary: 3, her biri <1 mm, gyra zeperlenmesiniň az bolmagy bilen howpsuz işlemegi we mundan beýläk gaýtadan işlemegi üpjün edýär.
Gaplama: Wafer gutusy – SiC külçesi howpsuz daşalmagy we işlenilmegini üpjün etmek üçin wafer gutusyna ygtybarly gaplanýar.

Programmalar

Güýçli elektronika:6 dýuýmlyk SiC külçesi MOSFET, IGBT we diod ýaly güýçli elektron enjamlaryň önümçiliginde giňden ulanylýar, olar güýç öwürmek ulgamlarynda möhüm böleklerdir. Bu enjamlar elektrik awtoulaglarynyň (EV) inwertorlarynda, senagat motorlarynyň hereketlendirijilerinde, güýç çeşmelerinde we energiýa saklaýyş ulgamlarynda giňden ulanylýar. SiC-niň ýokary woltly, ýokary ýygylyklarda we ekstremal temperaturalarda işlemek ukyby ony däp bolan kremniý (Si) enjamlarynyň netijeli işlemegi kyn bolýan ýerlerinde ulanmak üçin amatly edýär.

Elektrikli ulaglar (EU):Elektrik awtoulaglarynda SiC esasly komponentler inwertorlarda, DC-DC öwrüjilerinde we bort zarýad berijilerinde güýç modullarynyň işlenip düzülmegi üçin örän möhümdir. SiC-iň ýokary ýylylyk geçirijiligi ýylylyk öndürilişini azaltmaga we güýç öwrülişinde has netijeli bolmaga mümkinçilik berýär, bu bolsa elektrik awtoulaglarynyň işini we sürüş aralygyny ýokarlandyrmak üçin örän möhümdir. Mundan başga-da, SiC enjamlary kiçi, ýeňil we has ygtybarly komponentleri döretmäge mümkinçilik berýär we elektrik awtoulaglarynyň umumy işine goşant goşýar.

Gaýtadan dikeldilýän energiýa ulgamlary:SiC külçeleri gün energiýasyny inwertorlar, ýel turbinalary we energiýany saklaýyş çözgütleri ýaly gaýtadan dikeldilýän energiýa ulgamlarynda ulanylýan energiýany öwürmek enjamlaryny işläp düzmekde möhüm materialdyr. SiC-iň ýokary energiýany dolandyrmak mümkinçilikleri we netijeli termal dolandyryşy bu ulgamlarda energiýany öwürmek netijeliliginiň ýokary bolmagyna we ygtybarlylygyň ýokarlanmagyna mümkinçilik berýär. Onuň gaýtadan dikeldilýän energiýada ulanylmagy energiýanyň durnuklylygyna gönükdirilen global tagallalary höweslendirmäge kömek edýär.

Telekommunikasiýalar:6 dýuýmlyk SiC külçesi ýokary kuwwatly RF (radio ýygylyk) ulgamlarynda ulanylýan bölekleri öndürmek üçin hem amatlydyr. Bularyň arasynda telekommunikasiýa we hemra aragatnaşyk ulgamlarynda ulanylýan güýçlendirijiler, ossilýatorlar we süzgüçler bar. SiC-niň ýokary ýygylyklary we ýokary güýji dolandyrmak ukyby ony berk öndürijiligi we minimal signal ýitgisini talap edýän telekommunikasiýa enjamlary üçin ajaýyp materiala öwürýär.

Aerokosmos we Goranmak:SiC-iň ýokary dargama woltlylygy we ýokary temperatura garşylygy ony aerokosmos we goranyş ulgamlary üçin amatly edýär. SiC külçelerinden ýasalan komponentler radar ulgamlarynda, hemra aragatnaşygynda we uçarlar we kosmos gämileri üçin güýç elektronikasynda ulanylýar. SiC esasyndaky materiallar aerokosmos ulgamlarynyň kosmosda we beýik belentlikdäki gurşawlarda duş gelýän ekstremal şertlerde işlemegine mümkinçilik berýär.

Senagat awtomatlaşdyrmasy:Senagat awtomatlaşdyrmasynda SiC komponentleri agyr şertlerde işlemegi zerur bolan sensorlarda, aktuatorlarda we dolandyryş ulgamlarynda ulanylýar. SiC esasyndaky enjamlar ýokary temperatura we elektrik dartgynlyklaryna çydap bilýän netijeli, uzak wagtlap işleýän komponentleri talap edýän enjamlarda ulanylýar.

Önümiň aýratynlyklarynyň tablisasy

Emläk	Spesifikasiýa
Dereje	Önümçilik (Dummy/Prime)
Ölçegi	6 dýuým
Diametr	150.25mm ± 0.25mm
Galyňlygy	>10 mm (Saýlap bolýar)
Ýüziň ugry	4° <11-20> ± 0.2° tarap
Esasy Tekizlik Ugury	<1-100> ± 5°
Esasy tekiz uzynlyk	47.5mm ± 1.5mm
Garşylyklylyk	0.015–0.0285 Ω·sm
Mikrotrubanyň dykyzlygy	<0.5
Bor Çöküntüleriniň Dykyzlygy (BPD)	<2000
Rezinli wintiň çykarylyş dykyzlygy (TSD)	<500
Köptipli sebitler	Hiç hili
Gyralaryň gyrasyndaky boşluklar	<3, 1 mm giňlik we çuňluk
Gyra çatlaklary	3, <1mm/her
Gaplama	Wafer gap

Netije

6 dýuýmlyk SiC Ingot – N-tipli Dummy/Prime derejesi ýarymgeçiriji senagatynyň berk talaplaryna laýyk gelýän ýokary hilli materialdyr. Onuň ýokary ýylylyk geçirijiligi, ajaýyp garşylygy we pes kemçilik dykyzlygy ony ösen güýçli elektron enjamlaryny, awtoulag böleklerini, telekommunikasiýa ulgamlaryny we gaýtadan dikeldilýän energiýa ulgamlaryny öndürmek üçin ajaýyp saýlawa öwürýär. Özleşdirip bolýan galyňlygy we takyklyk aýratynlyklary bu SiC ingotynyň dürli ulanyşlara laýyk getirilip bilinmegini üpjün edýär, bu bolsa talap ediji gurşawlarda ýokary öndürijiligi we ygtybarlylygy üpjün edýär. Goşmaça maglumat almak ýa-da sargyt bermek üçin, satuw toparymyz bilen habarlaşyň.