Silikon karbid almaz sim kesiji maşyn 4/6/8/12 dýuým SiC külçe gaýtadan işleýän
Iş prinsipi:
1. Külçeni berkitmek: SiC külçesi (4H/6H-SiC) ýerleşişiň takyklygyny (±0.02mm) üpjün etmek üçin kesiş platformasyna armatura arkaly berkidilýär.
2. Almaz çyzygynyň hereketi: almaz çyzygy (ýüzde elektrokaplanan almaz bölejikleri) ýokary tizlikli aýlanyş üçin ýol görkeziji tigir ulgamy tarapyndan herekete getirilýär (çyzygynyň tizligi 10 ~ 30m/s).
3. Kesiji iýmitlendirme: külçe bellenen ugur boýunça iýmitlendirilýär we almaz çyzygy birnäçe parallel çyzyk (100 ~ 500 çyzyk) bilen bir wagtda kesilip, birnäçe wafer emele getirýär.
4. Sowatmak we çipleri aýyrmak: Gyzgynlyk zyýanyny azaltmak we çipleri aýyrmak üçin kesilen ýere sowadyjy suwy (deionizirlenen suw + goşundylar) püsküriň.
Esasy parametrler:
1. Kesiş tizligi: 0.2 ~ 1.0 mm / min (kristalyň ugruna we SiC-niň galyňlygyna baglylykda).
2. Çyzyk dartgynlylygy: 20 ~ 50N (çyzygy kesmek aňsat, gaty pes bolsa kesiş takyklygyna täsir edýär).
3. Plastinkanyň galyňlygy: standart 350 ~ 500μm, plastina 100μm ýetip biler.
Esasy aýratynlyklar:
(1) Kesmegiň takyklygy
Galyňlyga çydamlylyk: ±5μm (@350μm wafer), adaty harç kesişinden (±20μm) has gowy.
Ýüziň büdür-büdürligi: Ra <0.5μm (soňky işlenilişi azaltmak üçin goşmaça üwemek gerek däl).
Ýörelge: <10μm (soňky jylaňlamagyň kynçylygyny azaldýar).
(2) Gaýtadan işlemegiň netijeliligi
Köp setirli kesiş: bir wagtyň özünde 100 ~ 500 bölek kesmek, önümçilik kuwwatyny 3 ~ 5 esse artdyrmak (bir setirli kesiş bilen deňeşdirilende).
Şerit ömrü: Almaz şeridi 100 ~ 300 km SiC kesip bilýär (küläniň gatylygyna we prosesiň optimizasiýasyna baglylykda).
(3) Pes zyýanly işläp bejermek
Gyralaryň döwülmegi: <15μm (adaty kesme >50μm), plastilin önümçiligini gowulandyrýar.
Ýerasty zyýan gatlagy: <5μm (jylalaýjynyň aýrylmagyny azaldyň).
(4) Daşky gurşawy goramak we ykdysadyýet
Howpsuzlyk hapalanmasy ýok: Howpsuzlyk kesmek bilen deňeşdirilende galyndylaryň suwuklygyny aýyrmak çykdajylary azaldylýar.
Material ulanylyşy: Kesmek ýitgisi <100μm/ kesiji, SiC çig malyny tygşytlaýar.
Kesme täsiri:
1. Plastinanyň hili: ýüzünde makroskopik ýaryklar ýok, mikroskopiki kemçilikler az (gözegçilik edip bolýan dislokasiýa uzaldylyşy). Gödek jylaňlama halkasyna gönüden-göni girip, proses akymyny gysgaldyp biler.
2. Yzygiderlilik: partiýadaky waferiň galyňlygynyň üýtgemesi <±3%, awtomatlaşdyrylan önümçilik üçin amatly.
3. Ulanylyşy: 4H/6H-SiC külçe kesmegini goldaýar, geçirijilikli/ýarym izolýasiýaly görnüş bilen utgaşýar.
Tehniki häsiýetnamalar:
| Spesifikasiýa | Jikme-jiklikler |
| Ölçegler (Uzynlyk × Giňlik × Beýiklik) | 2500x2300x2500 ýa-da özleşdiriň |
| Işläp bolýan material ölçegleriniň diapazony | 4, 6, 8, 10, 12 dýuým kremniý karbidi |
| Ýüziň bükülmesi | Ra≤0.3u |
| Ortaça kesiş tizligi | 0.3mm/min |
| Agram | 5.5t |
| Kesmek prosesini sazlamak ädimleri | ≤30 ädim |
| Enjamlaryň sesi | ≤80 dB |
| Polat simiň dartgynlylygy | 0~110N (0.25 sim dartgynlylygy 45N) |
| Polat simiň tizligi | 0~30m/S |
| Umumy güýç | 50 kW |
| Almaz sim diametri | ≥0.18mm |
| Uç tekizligi | ≤0.05mm |
| Kesmek we döwmek tizligi | ≤1% (adam sebäpleri, kremniý materialy, liniýa, tehniki hyzmat we beýleki sebäplerden başga) |
XKH hyzmatlary:
XKH kremniý karbid almaz sim kesiji maşynyň tutuş proses hyzmatyny hödürleýär, şol sanda enjamlary saýlamak (simiň diametri / sim tizligini deňeşdirmek), prosesiň işlenip düzülmegi (kesiş parametrlerini optimizirlemek), sarp ediş materiallary bilen üpjün etmek (almaz sim, ýol görkeziji tigir) we satuwdan soňky goldaw (enjamlara tehniki hyzmat, kesiş hiliniň seljermesi), müşderilere ýokary hasyl (>95%), arzan bahadan SiC plastinka köpçülikleýin önümçiligini gazanmaga kömek edýär. Şeýle hem, ol 4-8 hepdelik möhlet bilen özleşdirilen täzelenmeleri (meselem, ultra inçe kesmek, awtomatlaşdyrylan ýüklemek we düşürmek) hödürleýär.
Jikme-jik diagramma





