Sic substrat kremniý karbid wafer 4H-N görnüşli ýokary gatylykly korroziýa garşylykly esasy derejeli jylaýyş

Sic substrat kremniý karbid wafer 4H-N görnüşli ýokary gatylykly korroziýa garşylykly esasy derejeli jylaňlama Surat

Gysgaça düşündiriş:

Kremniý karbid plitalary elektron enjamlaryň önümçiliginde ulanylýan ýokary öndürijilikli materialdyr. Ol kremniý kristal gümmezindäki kremniý karbid gatlagyndan ýasalýar we dürli gatlaklarda, görnüşlerde we ýüzleý örtüklerde elýeterlidir. Plastinkalar Lambda/10 tekizligine eýedir, bu bolsa plastinlerden ýasalan elektron enjamlar üçin iň ýokary hili we öndürijiligi üpjün edýär. Kremniý karbid plitalary elektrik elektronikasynda, LED tehnologiýasynda we ösen sensorlarda ulanmak üçin ajaýypdyr. Biz elektronika we fotonika senagatlary üçin ýokary hilli kremniý karbid plitalaryny (sic) üpjün edýäris.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Kremniý karbid waferiniň aýratynlyklary aşakdakylardyr

1. Ýokary ýylylyk geçirijiligi: SIC waferleriniň ýylylyk geçirijiligi kremniýiňkiden has ýokary, bu bolsa SIC waferleriniň ýylylygy netijeli ýaýradyp bilýändigini we ýokary temperaturaly gurşawlarda işlemek üçin amatlydygyny aňladýar.
2. Ýokary elektron hereketliligi: SIC plastinkalary kremniýden has ýokary elektron hereketliligine eýedir, bu bolsa SIC enjamlarynyň has ýokary tizlikde işlemegine mümkinçilik berýär.
3. Ýokary döwülme naprýaženiýesi: SIC wafer materialynyň döwülme naprýaženiýesi ýokary bolup, ony ýokary naprýaženiýeli ýarymgeçiriji enjamlary öndürmek üçin amatly edýär.
4. Ýokary himiki durnuklylyk: SIC waferleri has güýçli himiki korroziýa garşylygyna eýedir, bu bolsa enjamyň ygtybarlylygyny we dowamlylygyny ýokarlandyrmaga kömek edýär.
5. Giň zolak aralygy: SIC waferleriniň kremniýden has giň zolak aralygy bar, bu bolsa SIC enjamlaryny ýokary temperaturada has gowy we has durnukly edýär.

Silikon karbid plastili birnäçe ulanylyşa eýedir

1. Mehaniki ugur: kesiji gurallar we üwürtme materiallary; Aşynma garşy bölekler we vtulkalar; Senagat klapanlary we möhürleri; Podşipnikler we toplar
2. Elektron energiýa meýdany: güýç ýarymgeçiriji enjamlar; Ýokary ýygylykly mikrotolkunly element; Ýokary woltly we ýokary temperaturaly güýç elektronikasy; Termal dolandyryş materiallary
3. Himiýa senagaty: himiki reaktor we enjamlar; Korroziýa garşy turbalar we saklaýyş çelekleri; Himiki katalizator goldawy
4. Energetika pudagy: gaz turbinasynyň we turbokompressoryň bölekleri; Ýadro energiýasynyň esasy we gurluş bölekleri, ýokary temperaturaly ýangyç elementleriniň bölekleri
5. Aerokosmos: raketalar we kosmos ulaglary üçin termal gorag ulgamlary; Reaktiw hereketlendirijiniň turbina pyçaklary; Öňdebaryjy kompozit materiallar
6. Beýleki ugurlar: Ýokary temperatura datçikleri we termopiller; Sinterleme prosesi üçin ştamplar we gurallar; Şwelleme we jylamak hem-de kesmek meýdançalary
ZMKJ elektron we optoelektron senagaty üçin ýokary hilli monokristal SiC waferini (kremniý karbidi) hödürläp biler. SiC waferi özboluşly elektrik häsiýetlerine we ajaýyp termal häsiýetlerine eýe bolan täze nesil ýarymgeçiriji materialdyr, kremniý waferi we GaAs waferi bilen deňeşdirilende, SiC waferi ýokary temperatura we ýokary kuwwatly enjamlar üçin has amatlydyr. SiC waferi diametri 2-6 dýuým, 4H we 6H SiC, N görnüşli, azot bilen lehimlenen we ýarym izolýasiýa görnüşli görnüşde hödürlenip bilner. Önüm barada has giňişleýin maglumat almak üçin biziň bilen habarlaşyň.
Fabrigimizde öňdebaryjy önümçilik enjamlary we tehniki topary bar, olar SiC waferiniň dürli aýratynlyklaryny, galyňlygyny we görnüşlerini müşderileriň aýratyn talaplaryna laýyklykda özleşdirip bilýärler.