SiC substrat P we D derejeli Dia50mm 4H-N 2inch

2 inçlik SiC mosfet waferleriniň esasy aýratynlyklary aşakdakylardyr.

Ýokary ýylylyk geçirijiligi: Netijeli ýylylyk dolandyryşyny üpjün edýär, enjamyň ygtybarlylygyny we işini ýokarlandyrýar

Ýokary Elektron Hereketliligi: Ýokary tizlikli elektron kommutasiýany üpjün edýär, ýokary ýygylykly ulanyşlar üçin amatly

Himiki durnuklylyk: Ekstremal şertlerde enjamyň ömrüni saklaýar

Gabat gelmek: Bar bolan ýarymgeçiriji integrasiýa we köpçülikleýin önümçilik bilen utgaşykly

2 dýuým, 3 dýuým, 4 dýuým, 6 dýuým, 8 dýuým SiC mosfet plitalary aşakdaky ugurlarda giňden ulanylýar: elektrik ulaglary üçin güýç modullary, durnukly we netijeli energiýa ulgamlaryny üpjün etmek, gaýtadan dikeldilýän energiýa ulgamlaryna garşy inwertorlar, energiýany dolandyrmak we konwersiýanyň netijeliligini optimizirlemek,

Hemra we howa-kosmos elektronikasy üçin SiC wafer we Epi gatlakly wafer, ygtybarly ýokary ýygylykly aragatnaşygy üpjün edýär.

Ösen yşyklandyryş we displeý tehnologiýalarynyň talaplaryny kanagatlandyrýan ýokary öndürijilikli lazerler we LED-ler üçin optoelektroniki ulanylyşlar.

SiC waferlerimiz SiC substratlary, esasanam ýokary ygtybarlylyk we ajaýyp öndürijilik talap edilýän ýerlerde, güýç elektronikasy we RF enjamlary üçin iň gowy saýlawdyr. Waferleriň her bir tapgyry iň ýokary hil standartlaryna laýyk gelýändigini üpjün etmek üçin berk synagdan geçýär.

2 dýuým, 3 dýuým, 4 dýuým, 6 dýuým, 8 dýuým 4H-N görnüşli D derejeli we P derejeli SiC plastinkalarymyz ýokary öndürijilikli ýarymgeçirijiler üçin ajaýyp saýlawdyr. Kristallyň ajaýyp hili, berk hil gözegçiligi, özleşdiriş hyzmatlary we giň gerimli ulanylyşlar bilen, biz siziň islegleriňize görä özleşdiriş işlerini hem gurnap bileris. Soraglaryňyz kabul edilýär!