SiC substraty P we D derejeli Dia50mm 4H-N 2inch
2inch SiC mosfet wafli esasy aýratynlyklary aşakdakylardyr;
Highokary ýylylyk geçirijiligi: Enjamyň ygtybarlylygyny we öndürijiligini ýokarlandyryp, ýylylyk dolandyryşyny üpjün edýär
Electokary elektron hereketi: frequokary ýygylykly programmalar üçin amatly ýokary tizlikli elektron kommutasiýany üpjün edýär
Himiki durnuklylyk: Enjamyň ömrüniň aşa agyr şertlerinde öndürijiligini saklaýar
Gabat gelmek: Bar bolan ýarymgeçirijiniň integrasiýasy we köpçülikleýin önümçiligi bilen utgaşykly
2inch, 3inch, 4inch, 6inch, 8inch SiC mosfet wafli aşakdaky ugurlarda giňden ulanylýar: elektrikli ulaglar üçin durnukly we täsirli energiýa ulgamlaryny üpjün edýän elektrik modullary, täzelenýän energiýa ulgamlaryna garşy çykýanlar, energiýa dolandyryşyny we öwrülişiň netijeliligini ýokarlandyrmak,
Hemra we howa giňişligi elektronikasy üçin SiC wafli we Epi gatlak wafli, ygtybarly ýokary ýygylykly aragatnaşygy üpjün edýär.
Ösen yşyklandyryş we displeý tehnologiýalarynyň talaplaryna laýyk gelýän ýokary öndürijilikli lazerler we yşyklandyryjylar üçin optoelektroniki programmalar.
SiC wafli SiC substratlarymyz, esasanam ýokary ygtybarlylyk we ajaýyp öndürijilik talap edilýän ýerlerde, elektronika we RF enjamlary üçin iň amatly saýlawdyr. Wafleriň her topary ýokary hilli standartlara laýyk gelýändigine göz ýetirmek üçin berk synagdan geçýär.
2inch, 3inch, 4inch, 6inch, 8inch 4H-N görnüşli D derejeli we P derejeli SiC wafli ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji programmalar üçin iň amatly saýlawdyr. Ajaýyp hrustal hil, berk hil gözegçiligi, özleşdirme hyzmatlary we köp sanly programma bilen, islegleriňize görä özleşdirmegi hem tertipläp bileris. Soraglar hoş geldiňiz!