SiC substraty Dia200mm 4H-N we HPSI kremniý karbidi

4H-N we HPSI dört uglerod we dört kremniý atomlaryndan ybarat altyburçluk birliklerden ybarat kristall tor gurluşyna eýe bolan kremniý karbidiniň (SiC) politipidir. Bu gurluş materiala ajaýyp elektron hereketliligi we dargama naprýaženiýe häsiýetlerini berýär. Ähli SiC politipleriniň arasynda 4H-N we HPSI deňagramly elektron we deşik hereketliligi we ýokary ýylylyk geçirijiligi sebäpli güýç elektronikasy ulgamynda giňden ulanylýar.

8 dýuýmlyk SiC substratlarynyň peýda bolmagy elektrik ýarymgeçirijiler senagaty üçin uly öňegidişligi aňladýar. Adaty kremniý esasly ýarymgeçiriji materiallar ýokary temperatura we ýokary naprýaženiýe ýaly ekstremal şertlerde öndürijiligiň ep-esli pese gaçmagyna sezewar bolýar, SiC substratlary bolsa ajaýyp öndürijiligini saklap bilýär. Kiçi substratlara garanyňda, 8 dýuýmlyk SiC substratlary has uly bir bölekli gaýtadan işlemek meýdanyny hödürleýär, bu bolsa SiC tehnologiýasynyň täjirçilikleşdiriliş prosesini öňe sürmek üçin möhüm bolan ýokary önümçilik netijeliligine we pes çykdajylara getirýär.

8 dýuýmlyk kremniý karbidi (SiC) substratlary üçin ösüş tehnologiýasy örän ýokary takyklygy we arassalygy talap edýär. Substratyň hili indiki enjamlaryň işine gönüden-göni täsir edýär, şonuň üçin önüm öndürijiler substratlaryň kristal kämilligini we pes kemçilik dykyzlygyny üpjün etmek üçin öňdebaryjy tehnologiýalary ulanmalydyrlar. Bu, adatça, çylşyrymly himiki bug çökündisi (CVD) proseslerini we takyk kristal ösüş we kesiş usullaryny öz içine alýar. 4H-N we HPSI SiC substratlary, esasanam, ýokary netijeli güýç öwrüjilerinde, elektrik ulaglary üçin çekiş inwertorlarynda we gaýtadan dikeldilýän energiýa ulgamlarynda güýç elektronikasy ulgamynda giňden ulanylýar.

Biz 4H-N 8inç SiC substratyny, dürli görnüşli substrat waflilerini hödürläp bileris. Şeýle hem, islegiňize görä özleşdirmegi gurnap bileris. Soragyňyza hoş geldiňiz!