SiC substraty Dia200mm 4H-N we HPSI Silikon karbidi

SiC substraty Dia200mm 4H-N we HPSI Silikon karbid Aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

Silikon karbid substraty (SiC wafli) ajaýyp fiziki we himiki aýratynlyklary bolan giň zolakly ýarymgeçiriji materialdyr, esasanam ýokary temperaturaly, ýokary ýygylykly, ýokary güýçli we ýokary radiasiýa şertlerinde ajaýyp. 4H-V kremniy karbidiň kristal gurluşlaryndan biridir. Mundan başga-da, SiC substratlary gowy ýylylyk geçirijiligine eýedir, bu enjamlaryň işleýşi wagtynda öndürilýän ýylylygy netijeli paýlap, enjamlaryň ygtybarlylygyny we ömrüni hasam ýokarlandyryp biler.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

4H-N we HPSI kremniý karbidiň (SiC) polipidir, dört ugleroddan we dört kremniy atomyndan ybarat altyburç birliklerden ybarat kristal panjara gurluşy. Bu gurluş materialy ajaýyp elektron hereketi we bölüniş naprýa .eniýe aýratynlyklary bilen üpjün edýär. SiC politipleriniň arasynda 4H-N we HPSI deňagramly elektron we deşik hereketi we ýokary ýylylyk geçirijiligi sebäpli güýç elektronikasy pudagynda giňden ulanylýar.

8inch SiC substratlarynyň peýda bolmagy, elektrik ýarymgeçiriji pudagy üçin möhüm ösüşi görkezýär. Adaty kremniý esasly ýarymgeçiriji materiallar ýokary temperatura we ýokary wolt ýaly aşa agyr şertlerde öndürijiligiň ep-esli peselmegini başdan geçirýär, SiC substratlary bolsa ajaýyp öndürijiligini saklap bilýärler. Kiçijik substratlar bilen deňeşdirilende, 8inch SiC substratlary, has ýokary öndürijilik we arzan çykdajylara terjime edilýän has uly bir bölek gaýtadan işleýiş meýdançasyny hödürleýär, bu SiC tehnologiýasynyň täjirleşdirmek prosesinde möhüm ähmiýete eýe.

8inç kremniy karbid (SiC) substratlary üçin ösüş tehnologiýasy gaty ýokary takyklygy we arassalygy talap edýär. Substratyň hili indiki enjamlaryň işleýşine gönüden-göni täsir edýär, şonuň üçin öndürijiler substratlaryň kristal kämilligini we pes kemçilik dykyzlygyny üpjün etmek üçin ösen tehnologiýalary ulanmalydyrlar. Bu, adatça çylşyrymly himiki buglary çökdürmek (CVD) prosesleri we takyk kristal ösüşi we kesiş usullaryny öz içine alýar. 4H-N we HPSI SiC substratlary ýokary öndürijilikli güýç öwrüjilerinde, elektrik ulaglary üçin çekiş inwertorlarynda we täzelenip bilýän energiýa ulgamlarynda güýç elektronikasy pudagynda has giňden ulanylýar.

4H-N 8inch SiC substratyny, dürli derejeli substrat aksiýa wafli bilen üpjün edip bileris. Şeýle hem, islegleriňize görä özleşdirmegi tertipläp bileris. Gözleg üçin hoş geldiňiz!