SiC kristal ösüş peçi SiC külçe ösdürip ýetişdirmek 4 дюйм 6 дюйм 8 дюйм PTV Lely TSSG LPE ösüş usuly

SiC kristal ösüş peçi SiC külçe ösdürip ýetişdirmek 4 dýuým 6 dýuým 8 dýuým PTV Lely TSSG LPE ösüş usuly Görkezilen surat

Gysgaça düşündiriş:

Kremniý karbidiniň (SiC) kristallarynyň ösüşi ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji materiallary taýýarlamakda möhüm ädimdir. SiC-niň ýokary ereme nokady (takmynan 2700°C) we çylşyrymly politip gurluşy (meselem, 4H-SiC, 6H-SiC) sebäpli kristallaryň ösüş tehnologiýasy ýokary derejede kynçylyk çekýär. Häzirki wagtda esasy ösüş usullary fiziki bug geçirijilik usuly (PTV), Leli usuly, ýokarky tohum ergininiň ösüş usuly (TSSG) we suwuk fazaly epitaksiýa usuly (LPE)-ni öz içine alýar. Her bir usulyň öz artykmaçlyklary we kemçilikleri bar we dürli ulanylyş talaplary üçin amatlydyr.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Kristallaryň ösdürilmeginiň esasy usullary we olaryň häsiýetnamalary

(1) Fiziki bug geçiriş usuly (PTV)
Prinsip: Ýokary temperaturada SiC çig maly gaz fazasyna geçýär, soňra ol tohum kristalynda gaýtadan kristallaşýar.
Esasy aýratynlyklar:
Ýokary ösüş temperaturasy (2000-2500°C).
Ýokary hilli, uly göwrümli 4H-SiC we 6H-SiC kristallaryny ösdürip ýetişdirmek mümkin.
Ösüş tizligi haýal, ýöne kristal hili ýokary.
Ulanylyşy: Esasan elektrik ýarymgeçirijilerinde, RF enjamlarynda we beýleki ýokary derejeli ugurlarda ulanylýar.

(2) Leli usuly
Prinsip: Kristallar ýokary temperaturada SiC poroşoklarynyň öz-özünden sublimasiýa we gaýtadan kristallaşmasy arkaly ösdürilip ýetişdirilýär.
Esasy aýratynlyklar:
Ösüş prosesi tohumlary talap etmeýär we kristallyň ululygy kiçi.
Kristalyň hili ýokary, ýöne ösüş netijeliligi pes.
Laboratoriýa barlaglary we kiçi tapgyrly önümçilik üçin amatly.
Ulanylyşy: Esasan ylmy barlaglarda we kiçi ölçegli SiC kristallaryny taýýarlamakda ulanylýar.

(3) Top Tohum Erginini Ösdürmek Usuly (TSSG)
Prinsip: Ýokary temperaturaly erginde SiC çig maly tohum kristalynda ereýär we kristallaşýar.
Esasy aýratynlyklar:
Ösüş temperaturasy pes (1500-1800°C).
Ýokary hilli, pes kemçilikli SiC kristallaryny ösdürip ýetişdirip bolýar.
Ösüş tizligi haýal, ýöne kristallaryň birmeňzeşligi gowy.
Ulanylyşy: Optoelektron enjamlar ýaly ýokary hilli SiC kristallaryny taýýarlamak üçin amatly.

(4) Suwuk faza epitaksiýasy (SFE)
Prinsip: Suwuk metal ergininde, SiC çig malynyň substratda epitaksial ösüşi.
Esasy aýratynlyklar:
Ösüş temperaturasy pes (1000-1500°C).
Çalt ösüş depgini, plýonkanyň ösmegi üçin amatly.
Kristalyň hili ýokary, ýöne galyňlygy çäkli.
Ulanylyşy: Esasan SiC plýonkalarynyň, mysal üçin sensorlar we optoelektron enjamlar ýaly epitaksial ösüşi üçin ulanylýar.

Kremniý karbid kristal peçiniň esasy ulanylyş usullary

SiC kristal peçi sic kristallaryny taýýarlamak üçin esasy enjam bolup, onuň esasy ulanylyş usullary aşakdakylary öz içine alýar:
Güýçli ýarymgeçiriji enjamlaryň önümçiligi: Güýçli enjamlar (MOSFET, diodlar ýaly) üçin substrat materiallary hökmünde ýokary hilli 4H-SiC we 6H-SiC kristallaryny ösdürmek üçin ulanylýar.
Ulanylyşy: elektrik awtoulaglary, fotowoltaik inwertorlar, senagat elektrik üpjünçiligi we ş.m.

RF enjamlaryny öndürmek: 5G aragatnaşygynyň, radaryň we hemra aragatnaşygynyň ýokary ýygylykly zerurlyklaryny kanagatlandyrmak üçin RF enjamlary üçin substrat hökmünde pes kemçilikli SiC kristallaryny ösdürmek üçin ulanylýar.

Optoelektron enjam önümçiligi: LED çyralary, ultramelewşe detektorlary we lazerler üçin substrat materiallary hökmünde ýokary hilli SiC kristallaryny ösdürmek üçin ulanylýar.

Ylmy barlaglar we kiçi tapgyrly önümçilik: SiC kristallarynyň ösüş tehnologiýasynyň innowasiýasyny we optimizasiýasyny goldamak üçin laboratoriýa barlaglary we täze materiallary işläp düzmek üçin.

Ýokary temperatura enjamlaryny öndürmek: Aerokosmos we ýokary temperatura datçikleri üçin esasy material hökmünde ýokary temperatura çydamly SiC kristallaryny ösdürmek üçin ulanylýar.

Kompaniýa tarapyndan hödürlenýän SiC peç enjamlary we hyzmatlary

XKH aşakdaky hyzmatlary hödürläp, SIC kristal peç enjamlaryny işläp düzmäge we öndürmäge ünsi jemleýär:

Özleşdirilen enjamlar: XKH müşderileriň talaplaryna laýyklykda PTV we TSSG ýaly dürli ösüş usullary bilen özleşdirilen ösüş peçlerini hödürleýär.

Tehniki goldaw: XKH müşderilere kristal ösüş prosesini optimizirlemekden başlap, enjamlaryň tehniki hyzmatyna çenli tutuş proses üçin tehniki goldaw berýär.

Okuw hyzmatlary: XKH enjamlaryň netijeli işlemegini üpjün etmek üçin müşderilere iş boýunça okuw we tehniki görkezmeler berýär.

Satuwdan soňky hyzmat: XKH müşderileriň önümçiliginiň üznüksizligini üpjün etmek üçin çalt jogap berýän satuwdan soňky hyzmat we enjamlary täzelemek hyzmatlaryny hödürleýär.

Kremniý karbidi kristallaryny ösdürmek tehnologiýasy (PTV, Lely, TSSG, LPE ýaly) elektrik elektronikasy, RF enjamlary we optoelektronika ulgamynda möhüm ulanylyşlara eýedir. XKH müşderilere ýokary hilli SiC kristallarynyň giň möçberli önümçiliginde goldaw bermek we ýarymgeçiriji senagatynyň ösüşine kömek etmek üçin ösen SiC peç enjamlaryny we hyzmatlaryň doly toplumyny hödürleýär.