SiC kristal ösüş peç SiC Ingot ösýän 4inch 6inch 8inch PTV Lely TSSG LPE ösüş usuly

SiC kristal ösüş peç SiC Ingot 4inch 6inch 8inch PTV Lely TSSG LPE ösüş usuly Aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

Silikon karbid (SiC) kristal ösüşi ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji materiallary taýýarlamakda möhüm ädimdir. SiC-iň ýokary ereýän nokady (takmynan 2700 ° C) we çylşyrymly poliptiki gurluşy (mysal üçin 4H-SiC, 6H-SiC) sebäpli kristalyň ösüş tehnologiýasy ýokary derejede kynçylyk çekýär. Häzirki wagtda esasy ösüş usullaryna fiziki buglary geçirmek usuly (PTV), Lely usuly, ýokarky tohum erginleriniň ösüş usuly (TSSG) we suwuk faza epitaksiýa usuly (LPE) degişlidir. Her usulyň öz artykmaçlyklary we kemçilikleri bar we dürli amaly talaplara laýyk gelýär.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Kristal ösüşiň esasy usullary we olaryň aýratynlyklary

(1) Fiziki buglary geçirmek usuly (PTV)
Ipleörelge: temperatureokary temperaturada, SiC çig mal gaz fazasyna öwrülýär, soňra tohum kristalyna gaýtadan dikeldilýär.
Esasy aýratynlyklary:
Growthokary ösüş temperaturasy (2000-2500 ° C).
Qualityokary hilli, uly göwrümli 4H-SiC we 6H-SiC kristallaryny ösdürip bolýar.
Ösüş depgini haýal, ýöne kristalyň hili ýokary.
Programma: Esasan güýç ýarymgeçirijide, RF enjamlarynda we beýleki ýokary derejeli meýdanlarda ulanylýar.

(2) Lely usuly
Ipleörelge: Kristallar öz-özünden sublimasiýa we ýokary temperaturada SiC tozanlaryny gaýtadan dikeltmek arkaly ösdürilýär.
Esasy aýratynlyklary:
Ösüş prosesi tohum talap etmeýär we kristalyň ululygy az.
Kristal hili ýokary, ýöne ösüş netijeliligi pes.
Laboratoriýa gözlegleri we kiçi partiýa önümçiligi üçin amatly.
Programma: Esasan ylmy gözleglerde we kiçi göwrümli SiC kristallaryny taýýarlamakda ulanylýar.

(3) Tohum ergininiň iň ýokary usuly (TSSG)
Ipleörelge: temperatureokary temperaturaly erginde, SiC çig mal tohum kristalynda eräp, kristallaşýar.
Esasy aýratynlyklary:
Ösüş temperaturasy pes (1500-1800 ° C).
Qualityokary hilli, pes kemçilikli SiC kristallaryny ösdürip bolýar.
Ösüş depgini haýal, ýöne kristalyň birmeňzeşligi gowy.
Programma: Optoelektron enjamlary ýaly ýokary hilli SiC kristallaryny taýýarlamak üçin amatly.

(4) Suwuk faza epitaksiýasy (LPE)
Ipleörelge: Suwuk metal ergininde, SiC çig malynyň substratda epitaksial ösüşi.
Esasy aýratynlyklary:
Ösüş temperaturasy pes (1000-1500 ° C).
Filmiň ösmegi üçin çalt ösüş depgini.
Kristalyň hili ýokary, ýöne galyňlygy çäklidir.
Programma: Esasan datçikler we optoelektron enjamlary ýaly SiC filmleriniň epitaksial ösmegi üçin ulanylýar.

Silikon karbid kristal peçiniň esasy ulanylyş usullary

SiC kristal peç, kristallary taýýarlamak üçin esasy enjam bolup, onuň esasy ulanylyş usullary şulary öz içine alýar:
Kuwwat ýarymgeçiriji enjam öndürmek: powerokary hilli 4H-SiC we 6H-SiC kristallaryny elektrik enjamlary (MOSFET, diodlar ýaly) substrat materiallary hökmünde ösdürmek üçin ulanylýar.
Goýmalar: elektrik ulaglary, fotowoltaik inwertorlar, senagat elektrik üpjünçiligi we ş.m.

Rf enjam öndürmek: 5G aragatnaşyk, radar we hemra aragatnaşygynyň ýokary ýygylykly isleglerini kanagatlandyrmak üçin RF enjamlary üçin substrat hökmünde pes kemçilikli SiC kristallaryny ösdürmek üçin ulanylýar.

Optoelektron enjam öndürmek: leokarky, ultramelewşe detektorlary we lazerler üçin substrat material hökmünde ýokary hilli SiC kristallaryny ösdürmek üçin ulanylýar.

Ylmy gözlegler we kiçi partiýa önümçiligi: SiC kristal ösüş tehnologiýasynyň innowasiýasyny we optimizasiýasyny goldamak üçin laboratoriýa gözlegleri we täze material ösüşi üçin.

Temperatureokary temperatura enjamlaryny öndürmek: aerokosmos we ýokary temperatura datçikleri üçin esasy material hökmünde ýokary temperatura çydamly SiC kristallaryny ösdürmek üçin ulanylýar.

Kompaniýa tarapyndan hödürlenýän SiC peç enjamlary we hyzmatlary

XKH aşakdaky hyzmatlary berýän SIC kristal peç enjamlaryny ösdürmäge we öndürmäge ünsi jemleýär:

Custöriteleşdirilen enjamlar: XKH, müşderiniň talaplaryna laýyklykda PTV we TSSG ýaly dürli ösüş usullary bilen özleşdirilen ösüş peçlerini üpjün edýär.

Tehniki goldaw: XKH müşderilere kristal ösüş prosesini optimizasiýalaşdyrmakdan başlap, enjamlara hyzmat etmek ýaly ähli prosesi tehniki goldaw bilen üpjün edýär.

Okuw hyzmatlary: XKH enjamlaryň netijeli işlemegini üpjün etmek üçin müşderilere amaly okuw we tehniki görkezme berýär.

Satuwdan soňky hyzmat: XKH, müşderiniň önümçiliginiň dowamlylygyny üpjün etmek üçin satuwdan soňky hyzmaty we enjamlary täzelemegi üpjün edýär.

Silikon karbid kristal ösüş tehnologiýasy (PTV, Lely, TSSG, LPE) elektrik elektronikasy, RF enjamlary we optoelektronika pudagynda möhüm goşundylara eýedir. XKH ýokary hilli SiC kristallarynyň uly göwrümli önümçiliginde müşderilere goldaw bermek we ýarymgeçiriji pudagynyň ösmegine kömek etmek üçin ösen SiC peç enjamlaryny we hyzmatlaryň doly toplumyny hödürleýär.