Enjamlar üçin CVD SiC örtükli SiC keramiki tabak grafit plitasy

Kremniý karbid keramikasy diňe epitaksiýa ýa-da MOCVD ýaly inçe plýonka çökündi tapgyrynda ýa-da wafer gaýtadan işlemekde ulanylmaýar, munuň merkezinde MOCVD üçin wafer göteriji tabaklar ilki çökündi gurşawyna sezewar edilýär we şonuň üçin ýylylyga we korroziýa ýokary derejede çydamly bolýar. SiC bilen örtülen göterijiler şeýle hem ýokary ýylylyk geçirijiligine we ajaýyp ýylylyk paýlaýyş häsiýetlerine eýedir.

Ýokary temperaturada metal organiki himiki bug çökündisini (MOCVD) gaýtadan işlemek üçin arassa himiki bug çökündisi kremniý karbidi (CVD SiC) wafer daşaýjylary.

Arassa CVD SiC wafer daşaýjylary bu prosesde ulanylýan adaty wafer daşaýjylaryndan, ýagny grafitden we CVD SiC gatlagy bilen örtülenden has gowy. Bu örtülen grafit esasly daşaýjylar häzirki zaman ýokary ýagtylykly gök we ak ledleriň GaN çökündisi üçin zerur bolan ýokary temperaturalara (1100-den 1200 gradus Selsiý) çydap bilmeýärler. Ýokary temperatura örtükde kiçijik deşikleriň döremegine sebäp bolýar, bu deşikler arkaly proses himiki maddalary aşagyndaky grafiti zaýalaýar. Soňra grafit bölejikleri ýarylýar we GaN-i hapalaýar, bu bolsa örtülen wafer daşaýjysynyň çalşyrylmagyna sebäp bolýar.

CVD SiC 99.999% ýa-da ondan ýokary arassalyga eýedir we ýokary ýylylyk geçirijiligine we ýylylyk şokuna garşylyk görkezýär. Şonuň üçin ol ýokary ýagtylykly LED önümçiliginiň ýokary temperaturasyna we agyr gurşawlaryna çydap bilýär. Ol nazary dykyzlyga ýetýän, minimal bölejikleri öndürýän we örän ýokary korroziýa we eroziýa garşylygyny görkezýän berk monolit materialdyr. Material metal garyndylaryny goşmazdan, açyklygy we geçirijiligi üýtgedip bilýär. Plastinka daşaýjylary adatça diametri 17 dýuým bolýar we 40 sany 2-4 dýuým plastinkalary saklap bilýär.