Wafer daşamak üçin SiC keramiki uç effektor el tutujysy

Gysgaça düşündiriş:

LiNbO₃ plitalary integrasiýalaşdyrylan fotonika we takyk akustikada altyn standart bolup, häzirki zaman optoelektron ulgamlarynda deňsiz-taýsyz öndürijiligi üpjün edýär. Öňdebaryjy önüm öndüriji hökmünde, biz bu inženerçilik substratlaryny öňdebaryjy bug daşamak deňagramlaşdyrma usullary arkaly öndürmek sungatyny kämilleşdirdik we 50/sm²-den aşak kemçilik dykyzlygy bilen senagatda öňdebaryjy kristal kämilligine ýetdik.

XKH önümçilik mümkinçilikleri diametri 75 mm-den 150 mm-e çenli bolup, takyk ugur gözegçiligi (X/Y/Z-kesiş ±0.3°) we seýrek toprak elementlerini öz içine alýan ýöriteleşdirilen goşma opsiýalary bilen üpjün edilýär. LiNbO₃ plitalaryndaky häsiýetleriň özboluşly utgaşmasy, şol sanda olaryň ajaýyp r₃₃ koeffisiýenti (32±2 pm/V) we ýakyn ultrafioletden orta infragyzyl şöhlelere çenli giň açyklyk, olary indiki nesil fotonik zynjyrlar we ýokary ýygylykly akustik enjamlar üçin zerur edýär.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

SiC keramiki uç effektorynyň abstrakty

SiC (Silicon Carbide) keramiki uç effektory ýarymgeçiriji önümçilikde we ösen mikrofabrikasiýa gurşawlarynda ulanylýan ýokary takyklykly waferleri gaýtadan işlemek ulgamlarynda möhüm bölek bolup durýar. Ultra arassa, ýokary temperaturaly we ýokary derejede durnukly gurşawlaryň talaplaryna laýyk gelmek üçin döredilen bu ýöriteleşdirilen uç effektor litografiýa, aşgarlamak we çökdürmek ýaly esasy önümçilik tapgyrlarynda waferleriň ygtybarly we hapalanmaz daşalmagyny üpjün edýär.

Kremniý karbidiniň ýokary ýylylyk geçirijiligi, örän berkligi, ajaýyp himiki inertligi we minimal ýylylyk giňelmesi ýaly ajaýyp material häsiýetlerini ulanyp, SiC keramiki uç effektory çalt ýylylyk siklinde ýa-da korroziýa proses kameralarynda hem deňsiz-taýsyz mehaniki berkligi we ölçeg durnuklylygyny hödürleýär. Onuň pes bölejik döremegi we plazma garşylyk häsiýetleri ony arassa otag we wakuum gaýtadan işlemek üçin has amatly edýär, bu ýerde wafer ýüzüniň bitewüligini saklamak we bölejikleriň hapalanmagyny azaltmak iň möhümdir.

SiC keramiki uç effektorynyň ulanylyşy

1. Ýarymgeçirijili plitalar bilen işlemek

SiC keramiki uç effektorlary awtomatlaşdyrylan önümçilik wagtynda kremniý waferlerini işläp taýýarlamak üçin ýarymgeçiriji senagatynda giňden ulanylýar. Bu uç effektorlar adatça robot gollaryna ýa-da wakuum geçirijilik ulgamlaryna oturdylýar we 200 mm we 300 mm ýaly dürli ölçegdäki waferleri ýerleşdirmek üçin niýetlenendir. Olar himiki bug çökündisi (CVD), fiziki bug çökündisi (PVD), aşındyrma we diffuziýa ýaly proseslerde möhümdir - bu ýerlerde ýokary temperatura, wakuum şertleri we korroziw gazlar giňden ýaýrandyr. SiC-niň ajaýyp termal garşylygy we himiki durnuklylygy ony şeýle agyr gurşawlara zyýan ýetirmezden çydap biljek ideal materiala öwürýär.

2. Arassa otag we wakuum bilen utgaşyklylyk

Arassa otaglarda we wakuum şertlerinde, bölejikleriň hapalanmagynyň azaldylmaly ýerlerinde, SiC keramikasy uly artykmaçlyklary hödürleýär. Materialyň dykyz, tekiz ýüzi bölejikleriň döremegine garşy durýar we daşamak wagtynda plastinkanyň bitewüligini saklamaga kömek edýär. Bu bolsa, SiC uç effektorlaryny arassaçylygyň möhüm bolan Ekstremal Ultrafiolet Litografiýasy (EUV) we Atom Gatlak Çökdürilişi (ALD) ýaly möhüm prosesler üçin has amatly edýär. Mundan başga-da, SiC-niň pes gaz çykarylyşy we ýokary plazma garşylygy wakuum kameralarynda ygtybarly işlemegi üpjün edýär, gurallaryň ömrüni uzaldýar we tehniki hyzmatyň ýygylygyny azaldýar.

3. Ýokary Takyklykly Pozisiýa Ulgamlary

Ösen waferleri gaýtadan işlemek ulgamlarynda, esasanam metrologiýada, barlaglarda we deňleşdiriş enjamlarynda takyklyk we durnuklylyk örän möhümdir. SiC keramikalary örän pes termal giňelme koeffisiýentine we ýokary berklige eýedir, bu bolsa ahyrky effektoryň hatda termal sikl ýa-da mehaniki ýük astynda hem gurluş takyklygyny saklamagyna mümkinçilik berýär. Bu bolsa waferleriň daşamak wagtynda takyk deňleşdirilmegini üpjün edýär, mikro dyrnaklaryň, deňleşdirilmezlikleriň ýa-da ölçeg ýalňyşlyklarynyň töwekgelçiligini azaldýar - bu faktorlar 5 nm-den kiçi proses düwünlerinde barha möhüm bolýar.

SiC keramiki uç effektorynyň häsiýetleri

1. Ýokary mehaniki berklik we gatylyk

SiC keramikalary ajaýyp mehaniki berklige eýedir, egilme güýji köplenç 400 MPa-dan geçýär we Wickers gatylyk gymmatlyklary 2000 HV-den ýokary. Bu bolsa, uzak wagtlap ulanylandan soň hem, olary mehaniki streslere, zarbalara we aşynmalara ýokary derejede çydamly edýär. SiC-niň ýokary berkligi, şeýle hem, ýokary tizlikli plastinka geçişleri wagtynda egilmäni azaldýar we takyk we gaýtalanýan ýerleşdirilişi üpjün edýär.

2. Ajaýyp termal durnuklylyk

SiC keramikasynyň iň gymmatly häsiýetleriniň biri, olaryň mehaniki bitewüligini ýitirmezden, örän ýokary temperaturalara - köplenç inert atmosferada 1600°C çenli - çydap bilmegidir. Olaryň pes termal giňelme koeffisiýenti (~4.0 x 10⁻⁶ /K) termal siklde ölçegli durnuklylygy üpjün edýär we olary CVD, PVD we ýokary temperaturada ýumşatmak ýaly ulanylyşlar üçin ideal edýär.

SiC keramiki uç effektory barada soraglar we jogaplar

S: Wafer effektorynda nähili material ulanylýar?

A：Plastinkanyň uç effektorlary, adatça, ýokary berklik, termal durnuklylyk we az bölejik döremegini üpjün edýän materiallardan ýasalýar. Bularyň arasynda kremniý karbidi (SiC) keramikasy iň ösen we iň gowy materiallaryň biridir. SiC keramikasy örän berk, termal durnukly, himiki taýdan inert we aşynmaga çydamlydyr, bu bolsa olary arassa otaglarda we wakuum gurşawlarynda inçe kremniý plastinalary bilen işlemek üçin amatly edýär. Kwarts ýa-da örtülen metallar bilen deňeşdirilende, SiC ýokary temperaturada ýokary ölçegli durnuklylyk hödürleýär we bölejikleri çykarmaýar, bu bolsa hapalanmagyň öňüni almaga kömek edýär.