Ondarymgeçiriji lazer göteriji enjamlar Ingot inçeligini öwürýär

Ondarymgeçiriji lazer göteriji enjamlar Ingot inçe aýratynlykly şekili öwürýär

Gysga düşündiriş:

Ondarymgeçiriji lazer göteriji enjam, ýarymgeçiriji ingotlary lazer bilen öçürmek usullary arkaly takyk we kontaktsyz inçe etmek üçin döredilen ýokary hünärli önümçilik çözgüdi. Bu ösen ulgam häzirki zaman ýarymgeçiriji wafli proseslerinde, esasanam ýokary öndürijilikli elektronika, LED we RF enjamlary üçin ultra inçe wafli ýasamakda möhüm rol oýnaýar. Thinarymgeçiriji lazer Lift-Off enjamlary inçe gatlaklary köp mukdarda ingotlardan ýa-da donor substratlaryndan aýyrmaga mümkinçilik bermek bilen, mehaniki armatura, üweýji we himiki eriş ädimlerini ýok etmek bilen ingotyň inçeligini üýtgedýär.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklary

Jikme-jik diagramma

Icarymgeçiriji lazer göteriji enjamyň önümi

Galiý nitrit (GaN), kremniy karbid (SiC) we sapfir ýaly ýarymgeçiriji ingotlaryň adaty ýuka bolmagy köplenç zähmeti köp talap edýär, isrip edýär we mikrokratlara ýa-da ýerüsti zeperlere ýykgyn edýär. Munuň tersine, ýarymgeçiriji lazer Lift-Off enjamlary öndürijiligi ýokarlandyrmak bilen maddy ýitgini we ýerüsti stresleri azaldýan weýran ediji, takyk alternatiwa hödürleýär. Dürli kristal we goşma materiallary goldaýar we öň ýa-da orta ýarymgeçiriji önümçilik liniýalaryna bökdençsiz birleşdirilip bilner.

Düzülip bilinýän lazer tolkun uzynlyklary, uýgunlaşdyrylan fokus ulgamlary we wakuuma gabat gelýän wafli çukurlary bilen, bu enjam wertikal enjam gurluşlary ýa-da heteroepitaksial gatlak geçirmek üçin iňňe dilimlemek, lamella döretmek we ultra inçe film bölümi üçin has amatlydyr.

Ondarymgeçiriji lazer göteriji enjamlaryň parametri

Tolkun uzynlygy	IR / SHG / THG / FHG
Impuls giňligi	Nanosekunt, Pikosekunt, Femtosekunt
Optiki ulgam	Kesgitli optiki ulgam ýa-da Galvano-optiki ulgam
XY Tapgyr	500 mm × 500 mm
Gaýtadan işlemek aralygy	160 mm
Hereket tizligi	Maksimum 1000 mm / sek
Gaýtalama	± 1 μm ýa-da ondanam az
Positionerleşýän ýeriň takyklygy:	± 5 μm ýa-da ondanam az
Wafer ölçegi	2–6 dýuým ýa-da özleşdirilen
Dolandyryş	Windows 10,11 we PLC
Elektrik üpjünçiligi naprýa .eniýesi	AC 200 V ± 20 V, Bir fazaly, 50/60 kHz
Daşarky ölçegler	2400 mm (W) × 1700 mm (D) × 2000 mm (H)
Agram	1000 kg

Ondarymgeçiriji lazer göteriji enjamlaryň iş prinsipi

Ondarymgeçiriji lazer göteriji enjamlaryň esasy mehanizmi, donor ingot bilen epitaksial ýa-da maksat gatlagynyň arasyndaky interfeýsde saýlanan fototermiki bölünişe ýa-da ablasiýa esaslanýar. Energyokary energiýaly UV lazeri (adatça 248 nm-de KrF ýa-da 355 nm töweregi gaty UV lazerleri), energiýa öňünden kesgitlenen çuňluga saýlanyp alynýan aç-açan ýa-da ýarym aýdyň donor materialyna gönükdirilýär.

Bu lokallaşdyrylan energiýa siňdirişi, ýokary wafli ýa-da enjam gatlagynyň ingot bazasyndan arassalanmagyny başlaýan interfeýsde ýokary basyşly gaz fazasyny ýa-da ýylylyk giňelme gatlagyny döredýär. Amal impulsyň giňligi, lazer arassalygy, skaner tizligi we z-ok fokus çuňlugy ýaly parametrleri sazlamak bilen inçe düzüldi. Netijede ultra-inçe dilim, köplenç 10-50 m aralykda bolup, mehaniki aşgazansyz ene-atanyň arasyndan arassa bölünýär.

Ingotyň inçelmegi üçin lazer götermegiň bu usuly, göwher simini kesmek ýa-da mehaniki ýapmak bilen baglanyşykly kerf ýitgilerinden we ýerüsti zeperlerden gaça durýar. Şeýle hem, hrustal bitewiligini saklaýar we ýarym akymly lazer talaplaryny azaldýar, ýarymgeçiriji lazer Lift-Off enjamlaryny indiki nesil wafli öndürmek üçin oýun üýtgedýän gural edýär.

Ondarymgeçiriji lazer göteriji enjamlar Ingot inçeligini 2 öwürýär

Ondarymgeçiriji lazer göteriji enjamlaryň goşundylary

Ondarymgeçiriji lazer Lift-Off enjamlary, ösen materiallaryň we enjamlaryň dürli görnüşlerine, şol sanda:

GaN we GaAs güýç enjamlary üçin inçelik
Efficiencyokary netijelilik, pes garşylykly güýç tranzistorlary we diodlar üçin inçe wafli döretmäge mümkinçilik berýär.

SiC substrat meliorasiýa we Lamella bölünişi
Wertikal enjam gurluşlary we wafli gaýtadan ulanmak üçin köp sanly SiC substratlaryndan wafli masştabda ýokary göterilmäge mümkinçilik berýär.

LED wafli dilimlemek
Ultra inçe LED substratlary öndürmek üçin gaN sapfir ingotlaryndan GaN gatlaklarynyň çykmagyny aňsatlaşdyrýar.

RF we mikrotolkun enjamlaryny öndürmek
5G we radar ulgamlarynda zerur ultra-inçe ýokary elektron-hereketli tranzistor (HEMT) gurluşlary goldaýar.

Epitaksial gatlak geçirmek
Geterostrukturalary gaýtadan ulanmak ýa-da birleşdirmek üçin epitaksial gatlaklary kristal ingotlardan takyk bölýär.

Inçe filmli gün öýjükleri we fotowoltaika
Çeýe ýa-da ýokary netijelilikli gün öýjükleri üçin inçe sorujy gatlaklary aýyrmak üçin ulanylýar.

Bu domenleriň hersinde ýarymgeçiriji lazer Lift-Off enjamlary galyňlygyň birmeňzeşligine, ýeriň hiline we gatlagyň bitewiligine deňsiz-taýsyz gözegçilik edýär.

Lazer esasly Ingot inçeliginiň artykmaçlyklary

Zero-Kerf material ýitgisi
Adaty wafli dilimlemek usullary bilen deňeşdirilende, lazer prosesi takmynan 100% material ulanylmagyna getirýär.

Minimal stres we kynçylyk
Aragatnaşyksyz götermek, mehaniki titremäni ýok edýär, wafli ýaýy we mikrokrat emele gelmegini azaldýar.

Faceerüsti hilini goramak
Köp halatlarda inçejikden soňky aýlaw ýa-da ýalpyldawuklyk talap edilmeýär, sebäbi lazeriň ýokary göterilmegi ýokarky üst bitewiligini saklaýar.

Throughokary geçiriş we awtomatlaşdyryş taýýar
Awtomatiki ýüklemek / düşürmek bilen her smenada ýüzlerçe substraty gaýtadan işlemäge ukyply.

Birnäçe materiallara uýgunlaşdyrylan
GaN, SiC, sapfir, GaAs we ýüze çykýan III-V materiallary bilen utgaşykly.

Daşky gurşaw taýdan howpsuz
Düwürtige esaslanýan inçe proseslerde mahsus abraziw serişdeleri we gaty himiki serişdeleri ulanmagy azaldar.

Substraty gaýtadan ulanmak
Donor goşundylary köp göteriş siklleri üçin gaýtadan işlenip, maddy çykdajylary ep-esli azaldar.

Ondarymgeçiriji lazer göteriji enjamlaryň ýygy-ýygydan soralýan soraglary (FAQ)

1-nji sorag: icarymgeçiriji lazer Lift-Off enjamlary wafli dilimler üçin haýsy galyňlyk aralygy gazanyp biler?
A1:Adaty dilimiň galyňlygy material we konfigurasiýa baglylykda 10 µm-dan 100 µm aralygynda bolýar.

2-nji sorag: Bu enjam SiC ýaly aç-açan materiallardan ýasalan inçejiklere ulanylyp bilnermi?
A2:Hawa. Lazer tolkun uzynlygyny sazlamak we interfeýs in engineeringenerçiligini optimizirlemek (mysal üçin, gurban kesişleri), hatda bölekleýin aç-açan materiallar hem işlenip bilner.

3-nji sorag: Lazer göterilmezden donor substraty nädip deňleşdirilýär?
A3:Ulgam fidusial belliklerden we ýerüsti şöhlelendiriş skanerlerinden seslenme bilen kiçi mikron görüş esasly deňleşdiriş modullaryny ulanýar.

4-nji sorag: Bir lazer götermek üçin garaşylýan aýlaw wagty näçe?
A4:Wafli ululygyna we galyňlygyna baglylykda adaty sikller 2-10 minut dowam edýär.

5-nji sorag: Bu amal arassa otag gurşawyny talap edýärmi?
A5:Hökmany däl bolsa-da, ýokary takyklyk amallary wagtynda substratyň arassalygyny we enjam öndürijiligini saklamak maslahat berilýär.

Biz hakda

XKH ýokary tehnologiýaly ösüşde, ýörite optiki aýna we täze kristal materiallary öndürmekde we satmakda ýöriteleşendir. Önümlerimiz optiki elektronika, sarp ediş elektronikasy we harby gulluga hyzmat edýär. Safir optiki komponentlerini, jübi telefonynyň obýektiw örtüklerini, Keramika, LT, Silikon Karbid SIK, Kwars we ýarymgeçiriji kristal wafli hödürleýäris. Tejribeli tejribe we iň täze enjamlar bilen, öňdebaryjy optoelektroniki materiallary ýokary tehnologiýaly kärhana bolmak maksady bilen, önümi standart däl gaýtadan işlemekde ökde.