Ýarymgeçirijili lazer bilen göteriji enjam külçe inçelmesinde rewolýusiýa döredýär
Jikme-jik diagramma
Ýarymgeçirijili lazer göteriji enjamlaryň önüminiň tanyşdyrylyşy
Ýarymgeçiriji lazer göteriji enjam lazer arkaly göteriji tehnikalar arkaly ýarymgeçiriji külçeleri takyk we kontaktsyz inçelmek üçin işlenip düzülen ýokary derejeli ýöriteleşdirilen senagat çözgüdidir. Bu ösen ulgam häzirki zaman ýarymgeçiriji waferleme proseslerinde, esasanam ýokary öndürijilikli güýçli elektronika, LED we RF enjamlary üçin ultra inçe waferleri öndürmekde möhüm rol oýnaýar. Ýarymgeçiriji lazer göteriji enjam inçe gatlaklary köpçülikleýin külçelerden ýa-da donor substratlardan bölmäge mümkinçilik bermek arkaly külçeleri inçelmekde, mehaniki kesmek, üwemek we himiki aşındyrmak ädimlerini aradan aýyrmak arkaly külçeleri inçelmekde rewolýusiýa döredýär.
Galliý nitridi (GaN), kremniý karbidi (SiC) we sapfir ýaly ýarymgeçiriji külçeleriň däp bolan inçeldilmegi köplenç zähmeti köp talap edýär, biderek bolýar we mikroýaryklara ýa-da ýüziň zeperlenmegine sezewar bolýar. Tersine, ýarymgeçiriji lazer göteriji enjam önümçiligi ýokarlandyrýan mahaly material ýitgisini we ýüziň stresini azaldýan zyýansyz, takyk alternatiwa hödürleýär. Ol dürli görnüşli kristal we birleşme materiallaryny goldaýar we öň ýa-da orta derejeli ýarymgeçiriji önümçilik liniýalaryna sazlaşykly birikdirilip bilner.
Konfigurirlenip bolýan lazer tolkun uzynlyklary, adaptiw fokus ulgamlary we wakuum bilen utgaşykly wafer patronlary bilen bu enjam, aýratyn hem, külçe dilimlemek, lamella döretmek we dik enjam gurluşlary ýa-da geteroepitaksial gatlak geçirmek üçin ultra inçe plýonkany aýyrmak üçin örän amatlydyr.
Ýarymgeçirijili lazer göteriji enjamyň parametri
| Tolkun uzynlygy | IR/SHG/THG/FHG |
|---|---|
| Puls giňligi | Nanosekund, Pikosekund, Femtosekund |
| Optiki ulgam | Sabit optiki ulgam ýa-da Galvano-optiki ulgam |
| XY tapgyry | 500 mm × 500 mm |
| Işläp çykarmak üçin aralyk | 160 mm |
| Hereket tizligi | Maksimum 1000 mm/sek |
| Gaýtalanýanlyk | ±1 μm ýa-da ondan az |
| Absolýut pozisiýanyň takyklygy: | ±5 μm ýa-da ondan az |
| Wafer ölçegi | 2–6 dýuým ýa-da özleşdirilen |
| Gözegçilik | Windows 10, 11 we PLC |
| Elektrik üpjünçiliginiň woltažy | AC 200 V ±20 V, Bir fazaly, 50/60 kHz |
| Daşky ölçegler | 2400 mm (G) × 1700 mm (D) × 2000 mm (B) |
| Agram | 1000 kg |
Ýarymgeçirijili lazer göteriji enjamlaryň iş prinsipi
Ýarymgeçirijili lazer göteriji enjamyň esasy mehanizmi donor külçesi bilen epitaksial ýa-da nyşana gatlagynyň arasyndaky serhetde selektiw fototermal parçalanmaga ýa-da ablýasiýa esaslanýar. Ýokary energiýaly UV lazer (adatça 248 nm-de KrF ýa-da 355 nm töweregindäki gaty ýagdaýly UV lazerleri) açyk ýa-da ýarym açyk donor materialy arkaly fokuslanýar, bu ýerde energiýa öňünden kesgitlenen çuňlukda selektiw siňdirilýär.
Bu ýerli energiýa siňdirilişi serhetde ýokary basyşly gaz fazasyny ýa-da termal giňelme gatlagyny döredýär, bu bolsa külçe esasyndan ýokarky plastinkanyň ýa-da enjam gatlagynyň arassa delaminasiýasyny başlaýar. Bu proses impuls giňligi, lazer akymlygy, skanirleme tizligi we z okunyň fokus çuňlugy ýaly parametrleri sazlamak arkaly inçe sazlanýar. Netijede, mehaniki aşynma bolmazdan esasy külçeden arassa bölünen örän inçe bölek - köplenç 10-dan 50 µm aralygynda bolýar.
Külçeleri inçeltmek üçin lazer bilen aýyrmagyň bu usuly almaz sim bilen kesmek ýa-da mehaniki sürtmek bilen baglanyşykly kerf ýitmeginiň we ýüziň zeperlenmeginiň öňüni alýar. Şeýle hem, ol kristalyň bitewüligini saklaýar we soňraky jylamak talaplaryny azaldýar, bu bolsa ýarymgeçirijili lazer bilen aýyrma enjamyny indiki nesil wafer önümçiligi üçin oýun üýtgediji gurala öwürýär.
Ýarymgeçirijili lazer göteriji enjamlaryň ulanylyş ugurlary
Ýarymgeçirijili lazer göteriji enjam dürli ösen materiallarda we enjam görnüşlerinde, şol sanda aşakdakylarda külçeleri inçeltmekde giňden ulanylýar:
-
Güýç enjamlary üçin GaN we GaAs külçelerini inçeltmek
Ýokary netijeli, pes garşylykly güýç tranzistorlary we diodlary üçin inçe plastinka döretmegi üpjün edýär.
-
SiC substratynyň meliorasiýa we lamellalaryň bölünişi
Dik enjam gurluşlary we waferleri gaýtadan ulanmak üçin köpçülikleýin SiC substratlaryndan wafer ölçegli göterilmäge mümkinçilik berýär.
-
LED Wafer Dilimleme
Ultra inçe LED substratlaryny öndürmek üçin galyň sapfir külçelerinden GaN gatlaklarynyň aýrylmagyny ýeňilleşdirýär.
-
RF we mikrotolkunly enjamlaryň öndürilişi
5G we radar ulgamlarynda zerur bolan ultra inçe ýokary elektron hereketli tranzistor (HEMT) gurluşlaryny goldaýar.
-
Epitaksial gatlak geçişi
Gaýtadan ulanmak ýa-da geterostrukturalara integrasiýa etmek üçin kristal külçelerinden epitaksial gatlaklary takyk aýyrýar.
-
Inçe Plenkaly Gün Batareýalary we Fotowoltaika
Çeýe ýa-da ýokary netijeli gün batareýalary üçin inçe siňdiriji gatlaklary bölmek üçin ulanylýar.
Bu ugurlaryň her birinde, Semiconductor Laser Lift-Off Equipment galyňlygyň deňligine, ýüzüň hiline we gatlagyň bitewüligine deňsiz-taýsyz gözegçilik edýär.
Lazer esasly külçe inçeltmegiň artykmaçlyklary
-
Zero-Kerf Material Ýitgisi
Adaty wafer dilimleme usullary bilen deňeşdirilende, lazer prosesi materiallaryň tas 100% ulanylyşyny üpjün edýär.
-
Minimal stress we warping
Kontaktsyz göteriliş mehaniki titremäni aradan aýyrýar, plastinkanyň ýaýyny we mikro çatlaklaryň emele gelmegini azaldýar.
-
Ýüziň hilini gorap saklamak
Lazer bilen aýrylmagy ýokarky ýüzüň bitewüligini saklaýandygy üçin, köp ýagdaýlarda suwuklandyrmadan soň çarşap ýa-da jylaňlamak talap edilmeýär.
-
Ýokary öndürijilikli we awtomatlaşdyrmaga taýýar
Awtomatlaşdyrylan ýüklemek/düşürmek bilen her smenada ýüzlerçe substraty işläp bilýär.
-
Köp materiallara uýgunlaşyp bolýar
GaN, SiC, sapfir, GaAs we täze dörän III-V materiallary bilen utgaşykly.
-
Daşky gurşaw üçin has howpsuz
Süýrülme esasly suwuklandyryş proseslerinde ulanylýan abraziwleriň we güýçli himiki maddalaryň ulanylyşyny azaldýar.
-
Substraty gaýtadan ulanmak
Donor külçeleri birnäçe gezek götermek üçin gaýtadan işlenip bolýar, bu bolsa material çykdajylaryny ep-esli azaldýar.
Ýarymgeçirijili lazer göteriji enjamlaryň ýygy-ýygydan berilýän soraglary (FAQ)
-
S1: Ýarymgeçirijili lazer göteriji enjam wafli bölekleri üçin nähili galyňlyk aralygyna ýetip biler?
A1:Adaty dilim galyňlygy materiala we konfigurasiýa baglylykda 10 µm-den 100 µm-e çenli üýtgeýär.S2: Bu enjam SiC ýaly mat materiallardan ýasalan külçeleri inçeltmek üçin ulanylyp bilnermi?
A2:Hawa. Lazeriň tolkun uzynlygyny sazlamak we interfeýs inženerçiligini optimizirlemek (meselem, gurbanlyk gatlaklary) arkaly hatda bölekleýin mat materiallary hem işläp bolýar.S3: Lazer bilen aýrylmazdan öň donor substraty nähili deňleşdirilýär?
A3:Ulgam submikron görnüşli görme esasly deňleşdirme modullaryny ulanýar, olar esas nyşanlardan we ýüz şöhlelendiriji skanirlemelerden gelip çykýan seslenme bilen üpjün edilýär.S4: Bir lazer göteriliş operasiýasy üçin garaşylýan sikl wagty näçe?
A4:Plastinkanyň ölçegine we galyňlygyna baglylykda, adaty sikller 2 minutdan 10 minuta çenli dowam edýär.S5: Bu proses arassa otag gurşawyny talap edýärmi?
A5:Hökmany däl bolsa-da, ýokary takyklykly işler wagtynda substratyň arassalygyny we enjamyň öndürijiligini saklamak üçin arassa otag integrasiýasy maslahat berilýär.
Biz barada
XKH ýokary tehnologiýaly optik aýna we täze kristal materiallarynyň işlenip düzülmegine, öndürilmegine we satylmagyna ýöriteleşýär. Önümlerimiz optik elektronika, sarp ediş elektronikasy we harby ulgamlara hyzmat edýär. Biz Safir optiki böleklerini, ykjam telefon linzalarynyň örtüklerini, keramika, LT, kremniý karbidi SIC, kwars we ýarymgeçiriji kristall plitalaryny hödürleýäris. Hünärmen tejribe we iň täze enjamlar bilen biz standart däl önümleri gaýtadan işlemekde üstünlik gazanýarys we öňdebaryjy optoelektron materiallary ýokary tehnologiýaly kärhana bolmagy maksat edinýäris.
