Ýarymgeçirijili lazer göteriji enjam

Gysgaça düşündiriş:

"Semiconductor Laser Lift-Off Equipment" ýarymgeçiriji material gaýtadan işlemekde ösen külçe inçelmek üçin täze nesil çözgüdini görkezýär. Mehaniki üwemek, almaz sim bilen kesmek ýa-da himiki-mehaniki tekizlemek arkaly däp bolan waferleme usullaryndan tapawutlylykda, bu lazer esasly platforma köp mukdarda ýarymgeçiriji külçelerden örän inçe gatlaklary aýyrmak üçin kontaktsyz, zaýalanmaýan alternatiwa hödürleýär.

Galliý nitridi (GaN), kremniý karbidi (SiC), sapfir we galliý arsenid (GaAs) ýaly döwülýän we ýokary gymmatly materiallar üçin optimizirlenen Semiconductor Laser Lift-Off Equipment, kristal külçesinden göni plastinkalaryň takyk kesilmegine mümkinçilik berýär. Bu öňdebaryjy tehnologiýa material galyndylaryny ep-esli azaldýar, geçirijiligi gowulandyrýar we substratyň bitewüligini ýokarlandyrýar - bularyň hemmesi elektrik elektronikasynda, RF ulgamlarynda, fotonika we mikrodispleýlerde täze nesil enjamlar üçin örän möhümdir.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Jikme-jik diagramma

Lazerli göteriji enjamlaryň önümine umumy syn

Awtomatlaşdyrylan dolandyryşa, şöhle şekillendirmäge we lazer-material özara täsirini seljermäge ünsi jemläp, ýarymgeçirijili lazer göteriji enjam ylmy-barlag we işläp çykaryş çeýeligini we köpçülikleýin önümçiligiň ölçeklenmegini goldamak bilen ýarymgeçirijili önümçilik iş akymlaryna sazlaşykly integrasiýa etmek üçin niýetlenendir.

Lazer göteriji enjamlaryň tehnologiýasy we işleýiş prinsipi

Ýarymgeçiriji lazer göteriji enjam tarapyndan ýerine ýetirilýän proses, ýokary energiýaly ultramelewşe lazer şöhlesini ulanyp, donor külçesini bir tarapdan şöhlelendirmekden başlaýar. Bu şöhle belli bir içki çuňluga, adatça inženerçilik serhetine berk gönükdirilendir, bu ýerde energiýanyň siňdirilmegi optiki, termal ýa-da himiki kontrast sebäpli iň ýokary derejä ýetirilýär.

Bu energiýa siňdiriş gatlagynda ýerli gyzdyrma çalt mikro-partlama, gaz giňelmesi ýa-da serhet gatlagynyň (meselem, stressor plýonkasy ýa-da gurbanlyk oksidi) parçalanmagyna getirýär. Bu takyk gözegçilik edilýän bozulma, onlarça mikrometr galyňlygy bolan ýokarky kristal gatlagyň esasy külçeden arassa aýrylmagyna sebäp bolýar.

Ýarymgeçirijili lazer göteriji enjam hereket bilen sinhronlaşdyrylan skanirleýji kelleleri, programmalaşdyrylýan z-okunyň dolandyryşyny we real wagt reflektometrikasyny ulanyp, her bir impulsyň nyşana tekizlikde energiýa berýändigini üpjün edýär. Enjam şeýle hem aýrylma ýumşaklygyny ýokarlandyrmak we galan stresleri azaltmak üçin partlama režimi ýa-da köp impulsly mümkinçilikler bilen sazlanyp bilner. Iň esasysy, lazer şöhlesi hiç haçan material bilen fiziki taýdan gatnaşyk etmeýändigi üçin, mikro çatlamagyň, egilmegiň ýa-da ýüzüň döwülmeginiň töwekgelçiligi ep-esli azaldylýar.

Bu bolsa, esasanam submikronly TTV (Umumy galyňlygyň üýtgemegi) bilen ultra tekiz, ultra inçe waferleriň talap edilýän ulanylyşlarynda lazer bilen inçelmek usulyny üýtgedýän ýagdaýa öwürýär.

Ýarymgeçirijili lazer göteriji enjamyň parametri

Tolkun uzynlygy	IR/SHG/THG/FHG
Puls giňligi	Nanosekund, Pikosekund, Femtosekund
Optiki ulgam	Sabit optiki ulgam ýa-da Galvano-optiki ulgam
XY tapgyry	500 mm × 500 mm
Işläp çykarmak üçin aralyk	160 mm
Hereket tizligi	Maksimum 1000 mm/sek
Gaýtalanýanlyk	±1 μm ýa-da ondan az
Absolýut pozisiýanyň takyklygy:	±5 μm ýa-da ondan az
Wafer ölçegi	2–6 dýuým ýa-da özleşdirilen
Gözegçilik	Windows 10, 11 we PLC
Elektrik üpjünçiliginiň woltažy	AC 200 V ±20 V, Bir fazaly, 50/60 kHz
Daşky ölçegler	2400 mm (G) × 1700 mm (D) × 2000 mm (B)
Agram	1000 kg

Lazerli göteriji enjamlaryň senagat ulanylyşy

Ýarymgeçirijili lazer göteriji enjam materiallaryň dürli ýarymgeçiriji ulgamlarynda taýýarlanyş usulyny çalt özgerdýär:

Lazer göteriji enjamlaryň dik GaN güýç enjamlary

Köp mukdarda külçelerden örän inçe GaN-on-GaN plýonkalaryny aýyrmak, dik geçirijilik arhitekturasyny we gymmat substratlary gaýtadan ulanmaga mümkinçilik berýär.

Schottky we MOSFET enjamlary üçin SiC Wafer Inçeldiji

Substratyň tekizligini saklap, enjam gatlagynyň galyňlygyny azaldýar — çalt çalşyrylýan güýç elektronikasy üçin ideal.

Lazer göteriji enjamlaryň sapfir esasly LED we displeý materiallary

Inçe, termal taýdan optimizirlenen mikro-LED önümçiligini goldamak üçin enjam gatlaklaryny sapfir çubuklaryndan netijeli bölmäge mümkinçilik berýär.

III-V Lazer göteriji enjamlaryň material inženerçiligi

Öňdebaryjy optoelektron integrasiýa üçin GaAs, InP we AlGaN gatlaklarynyň aýrylmagyny ýeňilleşdirýär.

Inçe Wafer IC we Sensor Öndürmek

Basym datçikleri, akselerometrler ýa-da fotodiodlar üçin inçe funksional gatlaklary öndürýär, bu ýerde göwrüm öndürijilik üçin päsgelçilik döredýär.

Çeýe we açyk elektronika

Çeýe displeýler, geýilýän zynjyrlar we açyk akylly penjireler üçin amatly ultra inçe substratlary taýýarlaýar.

Bu ugurlaryň her birinde, ýarymgeçirijili lazer göteriji enjam kiçileşdirmegi, materiallary gaýtadan ulanmagy we prosesleri ýönekeýleşdirmegi üpjün etmekde möhüm rol oýnaýar.

Lazer göteriji enjamlaryň ýygy-ýygydan berilýän soraglary (FAQ)

S1: Ýarymgeçirijili lazer göteriji enjamyny ulanyp, iň az näçe galyňlyga ýetip bilerin?
A1:Adatça materiala baglylykda 10–30 mikron aralygynda bolýar. Bu proses üýtgedilen gurluşlar bilen has inçe netijeleri berip bilýär.

S2: Muny şol bir külçeden birnäçe wafli dilimlemek üçin ulanyp bolýarmy?
A2:Hawa. Köp müşderiler bir köpçülikleýin külçeden birnäçe inçe gatlaklary yzygiderli çykarmak üçin lazer bilen götermek usulyny ulanýarlar.

S3: Ýokary kuwwatly lazer işlemegi üçin nähili howpsuzlyk aýratynlyklary bar?
A3:1-nji synpdaky korpuslar, blokirleme ulgamlary, şöhle goragy we awtomatiki öçürişler standart görnüşde bar.

S4: Bu ulgam bahasy boýunça almaz simli arralar bilen nähili deňeşdirilýär?
A4:Başlangyç maýa goýumlary has ýokary bolup bilse-de, lazer arkaly aýrylmak sarp ediş çykdajylaryny, substratyň zeperlenmegini we gaýtadan işlemeden soňky ädimleri ep-esli azaldýar we umumy eýeçilik çykdajylaryny (TCO) uzak möhletde azaldýar.

S5: Bu proses 6 dýuýmlyk ýa-da 8 dýuýmlyk külçelere çenli ölçeklenip bilnermi?
A5:Elbetde. Platforma birmeňzeş şöhle paýlanyşy we uly formatly hereket tapgyrlary bilen 12 dýuýma çenli substratlary goldaýar.

Biz barada

XKH ýokary tehnologiýaly optik aýna we täze kristal materiallarynyň işlenip düzülmegine, öndürilmegine we satylmagyna ýöriteleşýär. Önümlerimiz optik elektronika, sarp ediş elektronikasy we harby ulgamlara hyzmat edýär. Biz Safir optiki böleklerini, ykjam telefon linzalarynyň örtüklerini, keramika, LT, kremniý karbidi SIC, kwars we ýarymgeçiriji kristall plitalaryny hödürleýäris. Hünärmen tejribe we iň täze enjamlar bilen biz standart däl önümleri gaýtadan işlemekde üstünlik gazanýarys we öňdebaryjy optoelektron materiallary ýokary tehnologiýaly kärhana bolmagy maksat edinýäris.