Ondarymgeçiriji lazer göteriji enjamlar
Jikme-jik diagramma
Lazer göteriji enjamlaryň önümine syn
Ondarymgeçiriji lazer Lift-Off enjamlary ýarymgeçiriji materiallary gaýtadan işlemekde ösen ingot inçelmegi üçin indiki nesil çözgüdini görkezýär. Mehaniki üweýişe, göwher simli armatura ýa-da himiki-mehaniki planarizasiýa bil baglaýan adaty wafli usullaryndan tapawutlylykda, bu lazer esasly platforma, ýarymgeçiriji ingotlardan ultra inçe gatlaklary bölmek üçin kontaktsyz, weýran ediji alternatiwa hödürleýär.
Galiý nitrit (GaN), kremniy karbid (SiC), sapfir we galiý arsenidi (GaAs) ýaly döwük we ýokary bahaly materiallar üçin optimallaşdyrylan ýarymgeçiriji lazer göteriji enjamlar gönüden-göni kristal ingotdan wafer ölçegli filmleri takyk kesmäge mümkinçilik berýär. Bu öňe gidiş tehnologiýa, material galyndylaryny ep-esli azaldýar, geçirijiligini gowulandyrýar we substratyň bitewiligini ýokarlandyrýar - bularyň hemmesi elektrik elektronikasynda, RF ulgamlarynda, fotonikada we mikro-displeýlerde geljekki nesiller üçin möhümdir.
Awtomatiki dolandyryşa, şöhleleriň emele gelmegine we lazer-material täsirleşme analitikasyna ünsi jemläp, ýarymgeçiriji lazer göteriji enjamlar, R&D çeýeligini we köpçülikleýin önümçiligiň göwrümliligini goldamak bilen ýarymgeçirijiniň önümçilik işlerine bökdençsiz birleşmek üçin döredildi.
Lazer göteriji enjamlaryň tehnologiýa we iş ýörelgesi
Ondarymgeçiriji lazer Lift-Off enjamlary tarapyndan ýerine ýetirilen amal, ýokary güýçli ultramelewşe lazer şöhlesini ulanyp, donoryň ingotyny bir tarapdan şöhlelendirmekden başlaýar. Bu şöhle belli bir içki çuňluga berk gönükdirilendir, adatça in engineenerli interfeýs boýunça, optiki, termiki ýa-da himiki kontrast sebäpli energiýanyň siňdirilmegi has ýokary bolýar.
Bu energiýa siňdiriş gatlagynda lokallaşdyrylan ýyladyş çalt mikro partlamaga, gazyň giňelmegine ýa-da interfeýs gatlagyň dargamagyna (meselem, stres filmi ýa-da gurban oksidi) sebäp bolýar. Takyk gözegçilik edilýän bu bozulma, onlarça mikrometr galyňlygy bilen ýokarky kristal gatlagyň esasy girelgesinden arassa çykmagyna sebäp bolýar.
Ondarymgeçiriji lazer Lift-Off enjamlary hereketiň sinhronlaşdyrylan skaner kellelerini, programmirläp bolýan z-ok gözegçiligini we her impulsyň maksat tekizliginde takyk energiýa üpjün etmegini üpjün etmek üçin real wagt reflektometri ulanýar. Bölümiň tekizligini ýokarlandyrmak we galyndy stresini azaltmak üçin enjam partlama rejimi ýa-da köp impulsly mümkinçilikler bilen hem düzülip bilner. Möhümi, lazer şöhlesi hiç haçan material bilen fiziki taýdan aragatnaşyk saklamaýandygy sebäpli, mikrokrack etmek, egilmek ýa-da ýerüsti kesmek howpy düýpgöter azalýar.
Bu, esasanam kiçi mikron TTV (Jemi galyňlygyň üýtgemegi) bilen ultra tekiz, ultra inçe wafli talap edilýän programmalarda lazeri götermek inçe usulyny oýnaýjy edýär.
Ondarymgeçiriji lazer göteriji enjamlaryň parametri
| Tolkun uzynlygy | IR / SHG / THG / FHG |
|---|---|
| Impuls giňligi | Nanosekunt, Pikosekunt, Femtosekunt |
| Optiki ulgam | Kesgitli optiki ulgam ýa-da Galvano-optiki ulgam |
| XY Tapgyr | 500 mm × 500 mm |
| Gaýtadan işlemek aralygy | 160 mm |
| Hereket tizligi | Maksimum 1000 mm / sek |
| Gaýtalama | ± 1 μm ýa-da ondanam az |
| Positionerleşýän ýeriň takyklygy: | ± 5 μm ýa-da ondanam az |
| Wafer ölçegi | 2–6 dýuým ýa-da özleşdirilen |
| Dolandyryş | Windows 10,11 we PLC |
| Elektrik üpjünçiligi naprýa .eniýesi | AC 200 V ± 20 V, Bir fazaly, 50/60 kHz |
| Daşarky ölçegler | 2400 mm (W) × 1700 mm (D) × 2000 mm (H) |
| Agram | 1000 kg |
Lazer göteriji enjamlaryň önümçilik goşundylary
Ondarymgeçiriji lazer göteriji enjamlar, ýarymgeçirijiniň köp ugurlarynda materiallaryň taýýarlanyşyny çalt üýtgedýär:
- Lazer göteriji enjamlaryň dik GaN güýç enjamlary
Ultra inçe GaN-on-GaN filmleriniň köp mukdarda çykarylmagy dik geçiriji arhitekturany we gymmat substratlary gaýtadan ulanmaga mümkinçilik berýär.
- Schottky we MOSFET enjamlary üçin SiC Wafer Inning
Substrat tekizligini gorap saklamak bilen enjam gatlagynyň galyňlygyny peseldýär - çalt üýtgeýän elektrik elektronikasy üçin ideal.
- Safir esasly LED we lazer göteriji enjamlaryň displeý materiallary
Inçe, termiki taýdan optimallaşdyrylan mikro-LED önümçiligini goldamak üçin enjam gatlaklaryny sapfir bullaryndan netijeli bölmäge mümkinçilik berýär.
- Lazer göteriji enjamlaryň III-V material in Engineeringenerligi
Öňdebaryjy optoelektroniki integrasiýa üçin GaAs, InP we AlGaN gatlaklarynyň bölünmegini aňsatlaşdyrýar.
- Inçe Wafer IC we datçik önümçiligi
Basyş datçikleri, akselerometrler ýa-da fotodiodlar üçin inçe funksional gatlaklary öndürýär, bu ýerde köp bölegi öndürijilik päsgelçilikidir.
- Çeýe we aç-açan elektronika
Çeýe displeýler, geýip bolýan zynjyrlar we aç-açan akylly penjireler üçin amatly ultra inçe substratlary taýýarlaýar.
Bu ugurlaryň hersinde ýarymgeçiriji lazer göteriji enjamlar miniatýurizasiýa, materiallary gaýtadan ulanmak we amallary ýönekeýleşdirmekde möhüm rol oýnaýar.
Lazer göteriji enjamlaryň ýygy-ýygydan soralýan soraglary
1-nji sorag: icarymgeçiriji lazer göteriji enjamlary ulanyp, gazanyp boljak iň pes galyňlyk näme?
A1:Adatça materiala baglylykda 10-30 mikron arasynda. Bu proses üýtgedilen sazlamalar bilen has inçe netijelere ukyplydyr.
2-nji sorag: Muny bir ingotdan birnäçe wafli kesmek üçin ulanyp bolarmy?
A2:Hawa. Müşderileriň köpüsi, köp sanly ingotdan birnäçe inçe gatlaklary yzygiderli çykarmak üçin lazer götermek usulyny ulanýarlar.
3-nji sorag: powerokary güýçli lazer bilen işlemek üçin haýsy howpsuzlyk aýratynlyklary bar?
A3:1-nji synp berkitmeleri, gulplama ulgamlary, şöhleleri goramak we awtomatiki ýapmak - bularyň hemmesi standart.
4-nji sorag: Bu ulgam göwher simli arra bilen bahasy taýdan nädip deňeşdirilýär?
A4:Başlangyç has ýokary bolup bilse-de, lazeriň göterilmegi sarp edilýän çykdajylary, substratyň zaýalanmagyny we gaýtadan işlemegiň ädimlerini düýpgöter azaldar - eýeçiligiň umumy bahasyny (TCO) uzak möhletleýin azaldar.
5-nji sorag: Bu prosesi 6 dýuým ýa-da 8 dýuým ingot bilen ulaldyp bolarmy?
A5:Elbetde. Platforma birmeňzeş şöhle paýlanyşy we uly formatly hereket etaplary bilen 12 dýuýma çenli substratlary goldaýar.
Biz hakda
XKH ýokary tehnologiýaly ösüşde, ýörite optiki aýna we täze kristal materiallary öndürmekde we satmakda ýöriteleşendir. Önümlerimiz optiki elektronika, sarp ediş elektronikasy we harby gulluga hyzmat edýär. Safir optiki komponentlerini, jübi telefonynyň obýektiw örtüklerini, Keramika, LT, Silikon Karbid SIK, Kwars we ýarymgeçiriji kristal wafli hödürleýäris. Tejribeli tejribe we iň täze enjamlar bilen, öňdebaryjy optoelektroniki materiallary ýokary tehnologiýaly kärhana bolmak maksady bilen, önümi standart däl gaýtadan işlemekde ökde.
