Si kompozit substratlarynda ýarym izolýasiýa ediji SiC
| Äzajylar | Spesifikasiýa | Äzajylar | Spesifikasiýa |
| Diametr | 150±0.2mm | Ugurlanma | <111>/<100>/<110> we ş.m. |
| Köptip | 4H | Görnüş | P/N |
| Garşylyklylyk | ≥1E8ohm·sm | Tekizlik | Tekiz/Çeňňek |
| Geçiriji gatlagyň galyňlygy | ≥0.1μm | Gyralaryň gyrasy, çyzyk, çatlak (görsel barlag) | Hiç hili |
| Boşluk | ≤5ea/wafer (2mm>D>0.5mm) | TTV | ≤5μm |
| Öň tarapdaky gödeklik | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | Galyňlygy | 500/625/675±25μm |
Bu utgaşma elektronika önümçiliginde birnäçe artykmaçlyklary hödürleýär:
Gabat gelmek: Kremniý substratynyň ulanylmagy ony standart kremniý esasly gaýtadan işlemek usullary bilen utgaşykly edýär we bar bolan ýarymgeçiriji önümçilik prosesleri bilen integrasiýa etmäge mümkinçilik berýär.
Ýokary temperatura görkezijisi: SiC ajaýyp ýylylyk geçirijiligine eýedir we ýokary temperaturada işläp bilýär, bu bolsa ony ýokary kuwwatly we ýokary ýygylykly elektron ulgamlary üçin amatly edýär.
Ýokary döwülme woltažy: SiC materiallary ýokary döwülme woltažyna eýedir we elektrik döwülmesiz ýokary elektrik meýdanlaryna çydap bilýär.
Kuwwat ýitgisiniň azaldylmagy: SiC substratlary elektron enjamlarda däp bolan kremniý esasly materiallar bilen deňeşdirilende has netijeli kuwwat öwrülmegine we kuwwat ýitgisiniň azaldylmagyna mümkinçilik berýär.
Giň geçirijilik ukyby: SiC giň geçirijilik ukybyna eýedir, bu bolsa ýokary temperaturada we ýokary güýç dykyzlygynda işläp bilýän elektron enjamlary işläp düzmäge mümkinçilik berýär.
Şeýlelik bilen, Si kompozit substratlarynda ýarym izolýasiýa ediji SiC kremniýiň utgaşyklylygyny SiC-iň ýokary elektrik we termal häsiýetleri bilen birleşdirýär we ony ýokary öndürijilikli elektronika ulanylyşlary üçin amatly edýär.
Gaplama we eltip bermek
1. Biz gaplamak üçin gorag plastik we öz islegiňize laýyk gutulary ulanarys. (Daşky gurşawa zyýansyz material)
2. Biz mukdaryna görä özleşdirilen gaplamany edip bileris.
3. DHL/Fedex/UPS Express adatça barmaly ýere takmynan 3-7 iş gününi alýar.
Jikme-jik diagramma
