Si kompozit substratlarynda ýarym izolýasiýa SiC
| Harytlar | Spesifikasiýa | Harytlar | Spesifikasiýa |
| Diametri | 150 ± 0,2mm | Ugrukdyrma | <111> / <100> / <110> we ş.m. |
| Polip görnüşi | 4H | Görnüşi | P / N. |
| Çydamlylyk | ≥1E8ohm · sm | Tekizlik | Kwartira / Notç |
| Geçiriş gatlagy Galyňlyk | ≥0.1μm | Gyrasy çip, dyrnaçak, döwmek (wizual gözden geçirmek) | Hiç |
| Boş | ≤5ea / wafli (2mm> D> 0,5mm) | TTV | ≤5μm |
| Öňki gödeklik | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | Galyňlyk | 500/625/675 ± 25μm |
Bu kombinasiýa elektronika önümçiliginde birnäçe artykmaçlygy hödürleýär:
Gabat gelmek: Silikon substratyň ulanylmagy ony kremniniň esasly gaýtadan işleýiş usullary bilen utgaşdyrýar we bar bolan ýarymgeçiriji önümçilik prosesleri bilen birleşmäge mümkinçilik berýär.
Temperatureokary temperatura öndürijiligi: SiC ajaýyp ýylylyk geçirijiligine eýedir we ýokary temperaturada işläp biler, bu ýokary güýç we ýokary ýygylykly elektroniki programmalar üçin amatly bolar.
Breakary bölüniş naprýa .eniýesi: SiC materiallary ýokary naprýa .eniýe naprýa .eniýesine eýedir we elektrik toguny kesmezden ýokary elektrik meýdanlaryna çydap biler.
Elektrik ýitgisiniň azalmagy: SiC substratlary adaty kremniý esasly materiallar bilen deňeşdirilende has netijeli kuwwat öwrülmegine we elektron enjamlarda güýjüň peselmegine mümkinçilik berýär.
Giň zolakly giňlik: SiC has ýokary temperaturada we has ýokary dykyzlyklarda işläp bilýän elektron enjamlaryny ösdürmäge mümkinçilik berýän giň zolakly giňlige eýe.
Şeýlelik bilen Si birleşdirilen substratlardaky ýarym izolýasiýa SiC, kremniniň SiC-iň ýokary elektrik we ýylylyk aýratynlyklary bilen utgaşyklygyny birleşdirip, ýokary öndürijilikli elektronika programmalary üçin amatly edýär.
Gaplamak we eltip bermek
1. Gaplamak üçin gorag plastmassa we ýöriteleşdirilen guty ulanarys. (Daşky gurşaw üçin amatly material)
2. Mukdaryna görä ýöriteleşdirilen gaplamalary edip bilerdik.
3. DHL / Fedex / UPS Express adatça barmaly ýerine takmynan 3-7 iş gününi alýar.
Jikme-jik diagramma
