Si kompozit substratlarynda ýarym izolýasiýa SiC
Harytlar | Spesifikasiýa | Harytlar | Spesifikasiýa |
Diametri | 150 ± 0,2mm | Ugrukdyrma | <111> / <100> / <110> we ş.m. |
Politip | 4H | Görnüşi | P / N. |
Çydamlylyk | ≥1E8ohm · sm | Tekizlik | Kwartira / Notç |
Geçiriş gatlagy Galyňlyk | ≥0.1μm | Gyrasy çip, dyrnaçak, döwmek (wizual gözden geçirmek) | Hiç |
Boş | ≤5ea / wafer (2mm> D> 0,5mm) | TTV | ≤5μm |
Öňki gödeklik | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | Galyňlyk | 500/625/675 ± 25μm |
Bu kombinasiýa elektronika önümçiliginde birnäçe artykmaçlygy hödürleýär:
Gabat gelmek: Silikon substratyň ulanylmagy ony kremniniň esasly gaýtadan işleýiş usullary bilen utgaşdyrýar we bar bolan ýarymgeçiriji önümçilik prosesleri bilen birleşmäge mümkinçilik berýär.
Temperatureokary temperatura öndürijiligi: SiC ajaýyp ýylylyk geçirijiligine eýedir we ýokary temperaturada işläp biler, bu ýokary güýç we ýokary ýygylykly elektroniki programmalar üçin amatly bolar.
Breakary bölüniş naprýa .eniýesi: SiC materiallarynyň ýokary naprýa .eniýe naprýa .eniýesi bar we elektrik toguny kesmezden ýokary elektrik meýdanlaryna çydap bilýär.
Elektrik ýitgisiniň azalmagy: SiC substratlary adaty kremniy esasly materiallar bilen deňeşdirilende has netijeli kuwwat öwrülmegine we elektron enjamlarda güýjüň peselmegine mümkinçilik berýär.
Giň zolakly giňlik: SiC has ýokary temperaturada we has ýokary dykyzlykda hereket edip bilýän elektron enjamlaryny ösdürmäge mümkinçilik berýän giň zolakly giňlige eýe.
Şonuň üçin Si birleşýän substratlardaky ýarym izolýasiýa SiC, kremniniň ýokary elektrik we ýylylyk aýratynlyklary bilen birleşip, ýokary öndürijilikli elektronika programmalary üçin amatly bolýar.
Gaplamak we eltip bermek
1. Gaplamak üçin gorag plastmassa we ýöriteleşdirilen guty ulanarys. (Daşky gurşaw üçin amatly material)
2. Mukdaryna görä ýöriteleşdirilen gaplamalary edip bilerdik.
3. DHL / Fedex / UPS Express adatça barmaly ýerine takmynan 3-7 iş gününi alýar.