Önümler
-
Kremniý karbidi (SiC) bir kristally substrat – 10×10 mm plitalar
-
Si Wafer/Optiki Aýna Materiallaryny Kesmek üçin Almaz Simli Üç Stansiýaly Bir Simli Kesýän Maşyn
-
Sary Safir Çig Mal Laboratoriýasy - Zergärçilik Önümçiligi üçin döredildi
-
Wafer we substrat bilen işlemek üçin alýumin oksidi keramiki uç effektory / çatal goly
-
Kristal Orýentasiýa Ölçegleri üçin Wafer Orýentasiýa Ulgamy
-
Ýokary temperatura garşylygy bolan wafer daşaýjy üçin SiC keramiki tabak
-
SiC Keramik Çatal Goly / Uç Effektory – Ýarymgeçirijiler önümçiligi üçin ösen takyk işleme
-
Kremniý karbid keramiki tabak – Termal we himiki ulanyşlar üçin berk, ýokary öndürijilikli tabaklar
-
Ýarymgeçirijiler we arassa otag awtomatlaşdyrmasy üçin ýokary öndürijilikli alýumin oksidi keramiki uç effektory (wilkaly gol)
-
Senagat we laboratoriýa üçin özleşdirip bolýan ölçegli ergin kwarts turbalary
-
SiO₂ Kwars Wafer Kwars Waferleri SiO₂ MEMS Temperatura 2″ 3″ 4″ 6″ 8″ 12″
-
Wafer ýeke göteriji gutusy 1″2″3″4″6″