P görnüşli SiC substraty SiC wafli Dia2inch täze önüm

Gysga düşündiriş:

2 dýuým P görnüşli kremniy karbid (SiC) wafer 4H ýa-da 6H polip görnüşinde. N görnüşli Silikon Karbid (SiC) wafli ýaly ýokary häsiýetlere eýe, ýokary temperatura garşylygy, ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary elektrik geçirijiligi we ş.m. Derweze iki taraplaýyn tranzistorlar (IGBT). IGBT dizaýny köplenç PN birikmelerini öz içine alýar, bu ýerde P görnüşli SiC enjamlaryň özüni alyp barşyna gözegçilik etmek üçin amatly bolup biler.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

P görnüşli kremniy karbid substratlary, adatça, “Insulate-Gate Bipolar” tranzistorlary (IGBT) ýaly güýç enjamlaryny öndürmek üçin ulanylýar.

Öçürilen wyklýuçatel bolan IGBT = MOSFET + BJT. MOSFET = IGFET (metal oksidi ýarymgeçiriji meýdan effekt turbasy ýa-da izolýasiýa edilen derwezäniň görnüşi meýdan effekti tranzistory). BJT (Bipolar Junction Transistor, tranzistor diýlip hem atlandyrylýar), bipolýar işde geçiriş prosesine iki görnüşli elektron we deşik göterijiniň bardygyny aňladýar, adatça geçirijilik bilen PN birikmesi bar.

2 dýuým p görnüşli kremniy karbid (SiC) wafli 4H ýa-da 6H polip görnüşinde. Highokary temperatura garşylygy, ýokary ýylylyk geçirijiligi we ýokary elektrik geçirijiligi ýaly n görnüşli kremniy karbid (SiC) wafli bilen meňzeş aýratynlyklary bar. p görnüşli SiC substratlary, esasan, izolýasiýa derwezeli bipolýar tranzistorlary (IGBT) ýasamak üçin güýç enjamlaryny öndürmekde ulanylýar. IGBT-leriň dizaýny, adatça PN birikmelerini öz içine alýar, bu ýerde p görnüşli SiC enjamyň özüni alyp barşyna gözegçilik etmek üçin amatlydyr.