P-tipli SiC substrat SiC wafer Dia2inch täze önüm

P-tipli kremniý karbid substratlary, adatça, Insulate-Gate Bipolýar tranzistorlary (IGBT) ýaly güýç enjamlaryny ýasamak üçin ulanylýar.

IGBT= MOSFET+BJT, açyk-ýapyk açar. MOSFET=IGFET (metal oksid ýarymgeçiriji meýdan täsirli turba ýa-da izolýasiýa edilen derweze görnüşli meýdan täsirli tranzistor). BJT (Bipolýar birleşme tranzistor, tranzistor diýlip hem atlandyrylýar), bipolýar diýmek, iş wagtynda geçirilýän prosesde iki görnüşli elektron we deşik daşaýjylarynyň gatnaşýandygyny aňladýar, adatça geçirilýän prosesde PN birleşmesi gatnaşýar.

2 dýuýmlyk p-tipli kremniý karbidi (SiC) plastinkasy 4H ýa-da 6H politip görnüşinde. Ol n-tipli kremniý karbidi (SiC) plastinkalaryna meňzeş häsiýetlere eýedir, mysal üçin, ýokary temperatura garşylygy, ýokary ýylylyk geçirijiligi we ýokary elektrik geçirijiligi. p-tipli SiC substratlary, esasanam izolýasiýa edilen gapyly bipolýar tranzistorlary (IGBT) öndürmek üçin, güýç enjamlaryny öndürmekde giňden ulanylýar. IGBT-leriň dizaýny, adatça, PN geçişlerini öz içine alýar, bu ýerde p-tipli SiC enjamyň hereketini dolandyrmak üçin peýdalydyr.