SiC kremniy karbidenjam çig mal hökmünde kremniy karbidden ýasalan enjamy aňladýar.
Dürli garşylyk häsiýetlerine görä, geçiriji kremniy karbid kuwwat enjamlaryna weýarym izolýasiýa edilen kremniy karbidRF enjamlary.
Silikon karbidiň esasy enjam görnüşleri we ulanylyşy
SiC-iň esasy artykmaçlyklarySi materiallaryaşakdakylar:
SiC-iň Si bilen deňeşdirilende 3 esse aralygy bar, bu syzmagy azaldyp we temperatura çydamlylygyny ýokarlandyryp biler.
SiC Si-iň bölüniş meýdanynyň 10 essesidir, häzirki dykyzlygy, işleýiş ýygylygyny ýokarlandyryp biler, naprýa capacityeniýe kuwwatyna çydap biler we ýokary woltly programmalar üçin has amatlydyr.
SiC has ýokary ýygylykda işläp bilmek üçin Si-iň elektron doýma drift tizliginden iki esse köp.
SiC Si-iň ýylylyk geçirijiliginden 3 esse ýokary, ýylylygyň ýaýramagynyň has gowy öndürijiligi, ýokary güýç dykyzlygyny goldap we ýylylygy bölüp çykarmak talaplaryny azaldyp, enjamy ýeňilleşdirýär.
Geçiriji substrat
Geçiriji substrat: Kristalyň içindäki ýokary garşylygy gazanmak üçin kristaldaky dürli hapalary, esasanam ýalpak derejeli hapalary aýyrmak bilen.
Geçirijikremniý karbid substratySiC wafli
Geçiriji kremniy karbid kuwwat enjamy, geçiriji substratda kremniy karbid epitaksial gatlagynyň ösmegi bilen, kremniý karbid epitaksial listi, esasan, elektrik ulaglarynda, fotowoltaik güýçlerde ulanylýan Şottki diodlarynyň, MOSFET, IGBT we ş.m. önümçiligini öz içine alýar. öndürmek, demir ýol tranziti, maglumat merkezi, zarýad bermek we beýleki infrastruktura. Netijeleriň peýdalary aşakdakylar:
Giňeldilen ýokary basyş aýratynlyklary. Silikon karbidiň döwülýän elektrik meýdany kremniniňkiden 10 esse köpdür, bu kremniý karbid enjamlarynyň ýokary basyş garşylygyny kremniniň enjamlaryndan ep-esli ýokary edýär.
Has ýokary temperatura aýratynlyklary. Silikon karbid, kremniniňkiden has ýokary ýylylyk geçirijiligine eýedir, bu enjamyň ýylylygyň ýaýramagyny aňsatlaşdyrýar we iş temperaturasynyň çäkliligini ýokarlandyrýar. Terminalyň has ýeňil we kiçeldilmegi üçin sowadyş ulgamyna bolan talaplary azaltmak bilen, ýokary temperatura garşylygy güýç dykyzlygynyň ep-esli ýokarlanmagyna sebäp bolup biler.
Energiýanyň pes sarp edilmegi. ① Silikon karbid enjamynyň garşylygy gaty pes we ýitgisi pes; (2) Silikon karbid enjamlarynyň syzýan tok kremniý enjamlaryna garanyňda ep-esli azalýar we şeýlelik bilen güýç ýitgisini azaldýar; Sil Silikon karbid enjamlaryny öçürmek prosesinde häzirki guýruk hadysasy ýok, we amaly goşundylaryň kommutasiýa ýygylygyny ep-esli gowulandyrýan kommutasiýa ýitgisi az.
Insarym izolýasiýa edilen SiC substraty
Insarym izolýasiýa edilen SiC substraty: N doping azot doping konsentrasiýasy, ösüş depgini we kristal garşylygy arasyndaky degişli baglanyşygy kalibrlemek arkaly geçiriji önümleriň garşylygyny takyk gözegçilikde saklamak üçin ulanylýar.
Purokary arassalyk ýarym izolýasiýa substrat materialy
Insarym izolýasiýa edilen kremniý uglerod esasly RF enjamlary, mundan başga-da 5G aragatnaşykda, ulag aragatnaşygynda ulanylýan HEMT we beýleki galliý nitrid RF enjamlaryny öz içine alýan kremniý nitrid epitaksial sahypasyny taýýarlamak üçin ýarym izolýasiýa edilen kremniý karbid substratynda galliý nitrid epitaksial gatlagy ösdürip, öndürilýär. gorag programmalary, maglumatlary geçirmek, howa giňişligi.
Silikon karbidiň we galiý nitrit materiallarynyň doýgun elektron süýşmesi degişlilikde kremniniňkiden 2,0 we 2,5 esse ýokarydyr, şonuň üçin kremniý karbidiniň we galiý nitrid enjamlarynyň işleýiş ýygylygy adaty kremniy enjamlaryndan has ýokarydyr. Şeýle-de bolsa, galiý nitrid materialynyň pes ýylylyga garşylygy bar, kremniý karbidi gowy ýylylyga garşylygy we termiki geçirijiligi bar, bu galiý nitrid enjamlarynyň pes ýylylyk garşylygyny öwezini dolup biler, şonuň üçin pudak ýarym izolýasiýa edilen kremniy karbidini substrat hökmünde alýar we gan epitaksial gatlagy kremniý karbid substratynda RF enjamlaryny öndürmek üçin ösdürilýär.
Düzgün bozulan bolsa, pozuň
Iş wagty: Iýul-16-2024