26-njy günde “Power Cube Semi” kompaniýasy Günorta Koreýanyň ilkinji 2300V SiC (Silicon Carbide) MOSFET ýarymgeçirijisiniň üstünlikli işlenip düzülendigini yglan etdi.
Bar bolan Si (kremniý) esasly ýarymgeçirijiler bilen deňeşdirilende, SiC (kremniý karbidi) has ýokary naprýaženiýelere çydap bilýär, şonuň üçin ol güýçli ýarymgeçirijileriň geljegine ýolbaşçylyk edýän täze nesil enjam hökmünde öwgüli hasaplanýar. Ol elektrik awtoulaglarynyň ýaýramagy we emeli intellekt arkaly işleýän maglumat merkezleriniň giňeldilmegi ýaly öňdebaryjy tehnologiýalary ornaşdyrmak üçin zerur bolan möhüm bölek bolup hyzmat edýär.
“Power Cube Semi” üç esasy kategoriýada güýçli ýarymgeçiriji enjamlary işläp düzýän meşhur kompaniýadyr: SiC (kremniý karbidi), Si (kremniý karbidi) we Ga2O3 (galliý oksidi). Ýakynda kompaniýa Hytaýdaky global elektrik awtoulag kompaniýasyna ýokary kuwwatly Şottki barýer diodlaryny (SBD) ulanyp satdy we ýarymgeçiriji dizaýny we tehnologiýasy bilen ykrar edildi.
2300V SiC MOSFET-iň çykarylmagy Günorta Koreýada şeýle işläp çykaryşyň ilkinji mysaly hökmünde üns çekijidir. Germaniýada ýerleşýän global elektrik ýarymgeçiriji kompaniýasy bolan Infineon hem mart aýynda 2000V önüminiň çykarylandygyny yglan etdi, ýöne 2300V önüm sanawy ýokdy.
Infineon-yň TO-247PLUS-4-HCC toplumyny ulanýan 2000V CoolSiC MOSFET ulgamy dizaýnerleriň arasynda energiýa dykyzlygynyň ýokarlanmagyna bolan islegi kanagatlandyrýar we berk ýokary woltly we kommutasiýa ýygylyk şertlerinde hem ulgamyň ygtybarlylygyny üpjün edýär.
CoolSiC MOSFET has ýokary göni tok baglanyşyk naprýaženiýesini hödürleýär, bu bolsa toguň köpeldilmezden kuwwatyň artmagyna mümkinçilik berýär. Ol bazarda 2000V döwülme naprýaženiýesi bolan ilkinji diskret kremniý karbid enjamy bolup, 14 mm aralyk we 5,4 mm boşluk bilen TO-247PLUS-4-HCC toplumyny ulanýar. Bu enjamlar pes kommutasiýa ýitgilerine eýedir we gün energiýasy geçirijileri, energiýa saklaýyş ulgamlary we elektrik awtoulaglaryny zarýadlamak ýaly ulanylyşlar üçin amatlydyr.
CoolSiC MOSFET 2000V önüm seriýasy 1500V DC çenli ýokary woltly DC şina ulgamlary üçin amatlydyr. 1700V SiC MOSFET bilen deňeşdirilende, bu enjam 1500V DC ulgamlary üçin ýeterlik derejede artykmaç woltlylyk çägini üpjün edýär. CoolSiC MOSFET 4.5V bosaga woltlylygy hödürleýär we berk kommutasiýa üçin berk göwrümli diodlar bilen enjamlaşdyrylandyr. .XT birikme tehnologiýasy bilen bu bölekler ajaýyp termal iş görkezijilerini we güýçli çyglylyk garşylygyny üpjün edýär.
2000V CoolSiC MOSFET-den başga-da, Infineon ýakyn wagtda 2024-nji ýylyň üçünji çärýeginde we 2024-nji ýylyň soňky çärýeginde degişlilikde TO-247PLUS 4-pinli we TO-247-2 paketlerinde gaplanan goşmaça CoolSiC diodlaryny çykarar. Bu diodlar, esasanam, gün energiýasy ulgamlary üçin amatlydyr. Gabat gelýän derweze sürüji önümleriniň kombinasiýalary hem bar.
CoolSiC MOSFET 2000V önüm seriýasy indi bazarda elýeterlidir. Mundan başga-da, Infineon degişli baha beriş tagtalaryny hödürleýär: EVAL-COOLSIC-2KVHCC. Işläp düzüjiler bu tagtany ähli CoolSiC MOSFET-lerini we 2000V-da bahalandyrylan diodlary, şeýle hem iki impulsly ýa-da üznüksiz PWM işleýşi arkaly EiceDRIVER ykjam bir kanally izolýasiýa derweze sürüjisi 1ED31xx önüm seriýasyny baha bermek üçin takyk umumy synag platformasy hökmünde ulanyp bilerler.
“Power Cube Semi” kompaniýasynyň baş tehnologiýa direktory Gung Şin-su şeýle diýdi: “Biz 1700V SiC MOSFET-leriniň işlenip düzülmeginde we köpçülikleýin öndürilmeginde bar bolan tejribämizi 2300V-a çenli giňeldip bildik.
Ýerleşdirilen wagty: 2024-nji ýylyň 8-nji apreli