Si kompozit substratlar Dia6inch-de N-görnüşli SiC

等级Baha

U 级

P 级

D 级

BPD pes derejesi

Önümçilik derejesi

Dummy Grade

直径Diametri

150.0 mm ± 0,25mm

厚度Galyňlyk

500 μm ± 25μm

晶片方向Wafer ugry

Öçürilen ok: 4H-N üçin 4.0 ° <11-20> ± 0,5 ° okda: 4H-SI üçin <0001> ± 0.5 °

主定位边方向Esasy kwartira

{10-10} .0 5.0 °

主定位边长度Esasy tekizlik uzynlygy

47,5 mm ± 2,5 mm

边缘Gyradan çykarmak

3 mm

总厚度变化/ 弯曲度 / 翘曲度 TTV / Bow / Warp

≤15μm / ≤40μm / ≤60μm

微管密度和基面位错MPD & BPD

MPD≤1 sm-2

MPD≤5 sm-2

MPD≤15 sm-2

BPD≤1000cm-2

电阻率Çydamlylyk

≥1E5 Ω · sm

表面粗糙度Gödeklik

Polýak Ra≤1 nm

CMP Ra≤0.5 nm

裂纹(强光灯观测) #

Hiç

Jemi uzynlygy ≤10mm, ýeke uzynlygy≤2mm

Intensokary intensiwlikdäki ýagtylyk

六方空洞（强光灯观测）*

Toplum meýdany ≤1%

Toplum meýdany ≤5%

Hexokary intensiwlik bilen alty plastinka

多型(强光灯观测) *

Hiç

Toplum meýdany ≤5%

Intokary intensiwlik bilen polip görnüşleri

划痕(强光灯观测) * &

1 × wafli diametri 3 çyzgy

1 × wafli diametri 5 çyzgy

Intensokary intensiwlik bilen çyzylýar

jemlenen uzynlyk

jemlenen uzynlyk

崩边# Gyrasy çip

Hiç

5 rugsat berildi, hersi mm1 mm

表面污染物（强光灯观测）

Hiç

Intensokary intensiwlik bilen hapalanmak