Diametri 6 дюйм bolan Si kompozit substratlarynda N-tipli SiC

等级Dereje

U 级

P 级

D 级

BPD-niň pes derejesi

Önümçilik derejesi

Ýalan derejeli

直径Diametr

150.0 mm±0.25mm

厚度Galyňlygy

500 μm±25μm

晶片方向Wafer ugry

Okdan daşary: 4H-N üçin <11-20 > ±0.5° tarap 4.0°, okda: 4H-SI üçin <0001>±0.5°

主定位边方向Esasy kwartira

{10-10}±5.0°

主定位边长度Esasy tekiz uzynlyk

47.5 mm±2.5 mm

边缘Gyra çykarylyşy

3 mm

总厚度变化/ 弯曲度 / 翘曲度 TTV / Bow / Warp

≤15μm /≤40μm /≤60μm

微管密度和基面位错MPD we BPD

MPD≤1 sm-2

MPD≤5 sm-2

MPD≤15 sm-2

BPD≤1000cm-2

电阻率Garşylyklylyk

≥1E5 Ω·sm

表面粗糙度Göwünsizlik

Polşa Ra≤1 nm

CMP Ra≤0.5 nm

裂纹(强光灯观测) #

Hiç hili

Jemi uzynlyk ≤10mm, ýeke uzynlyk ≤2mm

Ýokary intensiwlikli ýagtylyk sebäpli ýaryklar

六方空洞（强光灯观测）*

Jemi meýdan ≤1%

Jemi meýdan ≤5%

Ýokary intensiwlikli yşyk bilen altyburçluk plitalar

多型(强光灯观测) *

Hiç hili

Jemi meýdan ≤5%

Ýokary intensiwlikli ýagtylyk bilen politip meýdanlary

划痕(强光灯观测) * &

1 × wafer diametrine 3 dyrnak

1 × wafer diametrine 5 dyrnak

Ýokary intensiwlikli ýagtylyk sebäpli çyzyklaryň

umumy uzynlyk

umumy uzynlyk

崩边# Gyra çipi

Hiç hili

5 rugsat berilýär, her biri ≤1 mm

表面污染物（强光灯观测）

Hiç hili

Ýokary intensiwli ýagtylyk bilen hapalanmak