Si kompozit substratlar Dia6inch-de N-görnüşli SiC

Si kompozit substratlardaky N-görnüşli SiC Dia6inch aýratynlykly surat

Gysga düşündiriş:

Si birleşýän substratlardaky N-görnüşli SiC ýarymgeçiriji materiallar bolup, kremniniň (Si) substratyna goýlan n görnüşli kremniy karbid (SiC) gatlagyndan durýar.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

等级Baha	U 级	P 级	D 级
	BPD pes derejesi	Önümçilik derejesi	Dummy Grade
直径Diametri	150.0 mm ± 0,25mm
厚度Galyňlyk	500 μm ± 25μm
晶片方向Wafer ugry	Öçürilen ok: 4H-N üçin 4.0 ° <11-20> ± 0,5 ° okda: 4H-SI üçin <0001> ± 0.5 °
主定位边方向Esasy kwartira	{10-10} .0 5.0 °
主定位边长度Esasy tekizlik uzynlygy	47,5 mm ± 2,5 mm
边缘Gyradan çykarmak	3 mm
总厚度变化/ 弯曲度 / 翘曲度 TTV / Bow / Warp	≤15μm / ≤40μm / ≤60μm
微管密度和基面位错MPD & BPD	MPD≤1 sm-2	MPD≤5 sm-2	MPD≤15 sm-2
	BPD≤1000cm-2
电阻率Çydamlylyk	≥1E5 Ω · sm
表面粗糙度Gödeklik	Polýak Ra≤1 nm
	CMP Ra≤0.5 nm
裂纹(强光灯观测) #	Hiç		Jemi uzynlygy ≤10mm, ýeke uzynlygy≤2mm
Intensokary intensiwlikdäki ýagtylyk
六方空洞（强光灯观测）*	Toplum meýdany ≤1%		Toplum meýdany ≤5%
Hexokary intensiwlik bilen alty plastinka
多型(强光灯观测) *	Hiç		Toplum meýdany ≤5%
Intokary intensiwlik bilen polip görnüşleri
划痕(强光灯观测) * &	1 × wafli diametri 3 çyzgy		1 × wafli diametri 5 çyzgy
Intensokary intensiwlikdäki çyralar	jemlenen uzynlyk		jemlenen uzynlyk
崩边# Gyrasy çip	Hiç		5 rugsat berildi, hersi mm1 mm
表面污染物（强光灯观测）	Hiç
Intensokary intensiwlik bilen hapalanmak