N-Type SiC Kompozit Substratlary Dia6inch Ýokary hilli monokristal we pes hilli substrat

Gysgaça düşündiriş:

N-tipli SiC kompozit substratlary elektron enjamlaryň önümçiliginde ulanylýan ýarymgeçiriji materialdyr. Bu substratlar ajaýyp ýylylyk geçirijiligi, ýokary dargama woltlylygy we daşky gurşawyň agyr şertlerine garşylygy bilen tanalýan kremniý karbidinden (SiC) ýasalýar.


Aýratynlyklar

N-tipli SiC kompozit substratlary Umumy parametr tablisasy

项目Äzajylar 指标Spesifikasiýa 项目Äzajylar 指标Spesifikasiýa
直径Diametr 150±0.2mm (硅 面) 粗 糙 度
Öň tarapdaky (Si-ýüzli) gödeklik
Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
晶型Köptip 4H Gyralaryň gyrasy, çyzyk, çatlak (görsel barlag) Hiç hili
电阻率Garşylyklylyk 0.015-0.025 ohm ·sm 总厚度变化TTV ≤3μm
Geçiriji gatlagyň galyňlygy ≥0.4μm 翘曲度Warp ≤35μm
空洞Boşluk ≤5ea/wafer (2mm>D>0.5mm) 总厚度Galyňlygy 350±25μm

"N-tipli" belgi SiC materiallarynda ulanylýan lepingiň görnüşini aňladýar. Ýarymgeçirijiler fizikasynda leping ýarymgeçirijiniň elektrik häsiýetlerini üýtgetmek üçin oňa bilgeşleýin hapaçylyklary girizmegi öz içine alýar. N-tipli leping materiala negatiw zarýad göteriji konsentrasiýasyny berýän erkin elektronlaryň artykmaçlygyny üpjün edýän elementleri girizýär.

N-tipli SiC kompozit substratlarynyň artykmaçlyklary aşakdakylary öz içine alýar:

1. Ýokary temperatura öndürijiligi: SiC ýokary ýylylyk geçirijiligine eýedir we ýokary temperaturada işläp bilýär, bu bolsa ony ýokary kuwwatly we ýokary ýygylykly elektron ulanylyşlary üçin amatly edýär.

2. Ýokary döwülme naprýaženiýesi: SiC materiallary ýokary döwülme naprýaženiýesine eýedir, bu bolsa olaryň elektrik döwülmesi bolmazdan ýokary elektrik meýdanlaryna çydamly bolmagyna mümkinçilik berýär.

3. Himiki we daşky gurşawa garşylyk: SiC himiki taýdan çydamlydyr we daşky gurşawyň agyr şertlerine çydap bilýär, bu bolsa ony kyn ulanyşlarda ulanmaga amatly edýär.

4. Energiýa ýitgileriniň azaldylmagy: Adaty kremniý esasly materiallar bilen deňeşdirilende, SiC substratlary has netijeli energiýa öwrülmegine mümkinçilik berýär we elektron enjamlarda energiýa ýitgilerini azaldýar.

5. Giň zolak aralygy: SiC giň zolak aralygyna eýedir, bu bolsa ýokary temperaturada we ýokary kuwwatlylyk dykyzlygynda işläp bilýän elektron enjamlaryň işlenip düzülmegine mümkinçilik berýär.

Umuman alanyňda, N-tipli SiC kompozit substratlary, esasanam ýokary temperatura işlemegiň, ýokary kuwwatlylyk dykyzlygynyň we netijeli kuwwatlylyk öwrülmeginiň möhüm bolan ulanylyşlarynda, ýokary öndürijilikli elektron enjamlarynyň işlenip düzülmegi üçin uly artykmaçlyklary hödürleýär.


  • Öňki:
  • Indiki:

  • Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň