N-görnüşli SiC kompozit substratlar Dia6inch qualityokary hilli monokristalin we pes hilli substrat

"N görnüşli" belligi, SiC materiallarynda ulanylýan doping görnüşine degişlidir. Ondarymgeçiriji fizikasynda doping, elektrik häsiýetlerini üýtgetmek üçin hapalary ýarymgeçirijä bilkastlaýyn girizmegi öz içine alýar. N görnüşli doping, erkin elektronlaryň artykmaçlygyny üpjün edýän elementleri tanadýar, bu materiallara negatiw zarýad göterijiniň konsentrasiýasyny berýär.

N görnüşli SiC birleşýän substratlaryň artykmaçlyklary şulary öz içine alýar:

1. temperatureokary temperatura öndürijiligi: SiC ýokary ýylylyk geçirijiligine eýedir we ýokary temperaturada işläp biler, bu ýokary güýçli we ýokary ýygylykly elektroniki programmalar üçin amatly bolar.

2.

3. Himiki we daşky gurşawa garşylyk: SiC himiki taýdan çydamly we daşky gurşawyň agyr şertlerine çydap bilýär we kyn programmalarda ulanmak üçin amatly edýär.

4. Elektrik ýitgisiniň azalmagy: Adaty kremniý esasly materiallar bilen deňeşdirilende, SiC substratlary has netijeli kuwwat öwrülmegine we elektron enjamlarda elektrik ýitgisini azaltmaga mümkinçilik berýär.

5. Giň zolakly zolak: SiC has ýokary temperaturada we has ýokary dykyzlykda işläp bilýän elektron enjamlaryny ösdürmäge mümkinçilik berýän giň zolaklydyr.

Umuman aýdanyňda, N görnüşli SiC birleşdirilen substratlar ýokary öndürijilikli elektron enjamlaryny ösdürmek üçin ep-esli artykmaçlyklary hödürleýär, esasanam ýokary temperaturaly iş, ýokary güýç dykyzlygy we netijeli kuwwat öwrülişi möhüm bolan programmalarda.