LNOI Wafer (Litium Niobate izolýatorynda) Telekommunikasiýa Duýgur Ýokary Elektro-Optiki
Jikme-jik diagramma
Umumy syn
Wafer gutusynyň içinde simmetriki oýuklar bar, olaryň ölçegleri waferiň iki tarapyny goldamak üçin berk deňdir. Kristal gutu, adatça, temperatura, aşynma we statik elektrik energiýasyna çydamly bolan şeffaf plastik PP materialdan ýasalýar. Ýarymgeçiriji önümçilikde metal proses segmentlerini tapawutlandyrmak üçin dürli reňkli goşundy ulanylýar. Ýarymgeçirijileriň kiçi açar ölçegleri, dykyz nagyşlar we önümçilikde örän berk bölejik ölçeg talaplary sebäpli, wafer gutusynyň dürli önümçilik maşynlarynyň mikro gurşaw gutusynyň reaksiýa boşlugyna birikmek üçin arassa gurşawa kepil geçilmelidir.
Öndüriş usuly
LNOI waferlerini öndürmek birnäçe takyk ädimlerden ybarat:
1-nji ädim: Gelium Ion ImplantasiýaGelium ionlary ion implantator arkaly uly LN kristalyna girizilýär. Bu ionlar belli bir çuňlukda ýerleşip, ahyrsoňy plýonkanyň aýrylmagyna ýardam etjek gowşadylan tekizligi emele getirýär.
2-nji ädim: Esasy substratyň emele gelmegiAýry kremniý ýa-da LN plastinkasy PECVD ýa-da termal oksidlenme arkaly SiO2 bilen oksidlenýär ýa-da gatlaklanýar. Onuň ýokarky ýüzi iň gowy baglanyş üçin tekizlenýär.
3-nji ädim: LN-iň substrata birikdirilmegiIon implantasiýa edilen LN kristaly öwrülýär we göni wafer baglanyşygy arkaly esasy wafere berkidilýär. Barlag şertlerinde benzosiklobuten (BCB) has ýeňil şertlerde baglanyşygy ýeňilleşdirmek üçin ýelmeşdiriji hökmünde ulanylyp bilner.
4-nji ädim: Termiki işleme we plýonkany bölmekTawlamak, implantasiýa edilen çuňlukda köpürjikleriň emele gelmegini işjeňleşdirýär we inçe plýonkanyň (ýokarky LN gatlagy) esasy bölekden aýrylmagyna mümkinçilik berýär. Pilingi tamamlamak üçin mehaniki güýç ulanylýar.
5-nji ädim: Ýüzi jylamakHimiki mehaniki jylamak (HMJ) ýokarky LN ýüzüni tekizlemek, optiki hilini we enjamyň öndürijiligini ýokarlandyrmak üçin ulanylýar.
Tehniki parametrler
| Material | Optiki Dereje LiNbO3 wafes (ak) or Gara) | |
| Kýuri Temperatura | 1142±0.7℃ | |
| Kesmek Burç | X/Y/Z we ş.m. | |
| Diametr/ölçeg | 2”/3”/4” ±0.03mm | |
| Tol(±) | <0.20 mm ±0.005 mm | |
| Galyňlygy | 0,18～0,5 mm ýa-da ondan köp | |
| Esasy Tekiz | 16mm/22mm/32mm | |
| TTV | <3μm | |
| Ýaý | -30 | |
| Warp | <40μm | |
| Ugurlanma Tekiz | Ähli elýeterli | |
| Ýüz Görnüş | Bir tarapy jilalanan (SSP) / Iki tarapy jilalanan (DSP) | |
| Jylawlanan tarap Ra | <0.5nm | |
| S/D | 20/10 | |
| Gyra Kriteriýalar | R=0.2mm C-tipi or Bullburun | |
| Hili | Mugt of çatlak (köpükler) we goşulmalar) | |
| Optiki lehimlenen | Mg/Fe/Zn/MgO we ş.m. üçin optiki dereje LN wafliler her haýyş edilen | |
| Wafer Ýüz Kriteriýalar | Döwülme görkezijisi | No=2.2878/Ne=2.2033 @632nm tolkun uzynlygy/prizma birleşdiriji usuly. |
| Hapalanma, | Hiç hili | |
| Bölejikler c>0.3μ m | <=30 | |
| Çyzgy, çizgi | Hiç hili | |
| Kemçilik | Gyralarynda çatlaklar, dyrnaklar, arra yzlary, lekeler ýok | |
| Gaplama | Mukdar/Wafer gutusy | Gutyda 25 sany |
Ulanyş ýagdaýlary
Köpugurlylygy we öndürijiligi sebäpli LNOI köp sanly pudaklarda ulanylýar:
Fotonika:Kompakt modulýatorlar, multipleksorlar we fotonik zynjyrlar.
RF/Akustika:Akusto-optik modulýatorlar, RF süzgüçleri.
Kwant hasaplamalary:Syzyksyz ýygylykly garyşdyryjylar we foton jübüt generatorlary.
Goranmak we Aerokosmos:Pes ýitgili optik giroslar, ýygylygy üýtgedýän enjamlar.
Lukmançylyk enjamlary:Optiki biosensorlar we ýokary ýygylykly signal zondlary.
Köp soralýan soraglar
S: Optiki ulgamlarda näme üçin SOI-den has köp LNOI-a üns berilýär?
A:LNOI ýokary elektro-optik koeffisiýentlere we has giň açyklyk diapazonyna eýe bolup, fotonik zynjyrlarda has ýokary öndürijiligi üpjün edýär.
S: Bölünenden soň CMP hökmanymy?
A:Hawa. Açyk LN ýüzi ion dilimlerinden soň gödek bolýar we optiki derejeli tehniki şertlere laýyk gelmek üçin jylaňlanmalydyr.
S: Elýeterli iň uly wafli ölçegi näçe?
A:Söwda LNOI plitalary esasan 3 we 4 dýuým ölçegli bolýar, emma käbir üpjün edijiler 6 dýuýmlyk görnüşlerini işläp düzýärler.
S: LN gatlagyny bölünenden soň gaýtadan ulanyp bolýarmy?
A:Esasy kristal birnäçe gezek gaýtadan jylap we gaýtadan ulanylyp bilner, ýöne birnäçe siklden soň hili pese gaçmagy mümkin.
S: LNOI waferleri CMOS işleme bilen utgaşyklymy?
A:Hawa, olar, esasanam kremniý substratlary ulanylanda, adaty ýarymgeçirijileri öndürmek prosesleri bilen sazlaşmak üçin niýetlenendir.
