LNOI Wafer (izolýatorda litiý Niobat) Telekommunikasiýa ýokary elektro-optiki duýgur
Jikme-jik diagramma
Gysgaça syn
Wafli gutusynyň içinde wafliň iki tarapyny goldamak üçin ölçegleri birmeňzeş bolan simmetrik çukurlar bar. Kristal guty, adatça, temperatura, könelişen we statiki elektrik toguna çydamly açyk plastmassa PP materialdan ýasalýar. Ondarymgeçiriji önümçiliginde metal prosess segmentlerini tapawutlandyrmak üçin dürli reňkler ulanylýar. Icarymgeçirijileriň kiçi açar ululygy, dykyz nagyşlar we önümçilikde bölejikleriň ululygy talaplary sebäpli, wafli gutusyna dürli önümçilik maşynlarynyň mikro-daşky gurşaw reaksiýa boşlugyna birikmek üçin arassa gurşaw kepillendirilmelidir.
Önümçilik usuly
LNOI wafli ýasamak birnäçe takyk ädimlerden durýar:
1-nji ädim: Geliý Ion implantasiýasyGeliý ionlary ion implantatoryny ulanyp, köp sanly LN kristalyna girizilýär. Bu ionlar belli bir çuňlukda ýerleşip, filmiň bölünmegini ýeňilleşdirjek gowşak tekizligi emele getirýär.
2-nji ädim: Esasy substratyň emele gelmegiAýry kremniý ýa-da LN wafli, PECVD ýa-da termiki okislenme ulanyp, SiO2 bilen okislenýär ýa-da gatlaklanýar. Onuň ýokarky ýüzi optimal baglanyşyk üçin meýilleşdirilen.
3-nji ädim: LN-iň substrata baglanyşygyIon bilen oturdylan LN kristaly süýşürilýär we göni wafli baglanyşyk arkaly esasy wafli birikdirilýär. Gözleg sazlamalarynda benzocyclobutene (BCB) has berk şertlerde baglanyşygy ýönekeýleşdirmek üçin ýelim hökmünde ulanylyp bilner.
4-nji ädim: malylylyk bejergisi we filmiň bölünişiAnnealing, implantirlenen çuňlukda köpürjik emele gelmegini işjeňleşdirýär, inçe filmi (ýokarky LN gatlagy) köp bölekden aýyrmaga mümkinçilik berýär. Exfolýasiýa gutarmak üçin mehaniki güýç ulanylýar.
5-nji ädim: faceerüsti polishingHimiki mehaniki polishing (CMP), ýokarky LN ýüzüni tekizlemek, optiki hilini we enjam öndürijiligini ýokarlandyrmak üçin ulanylýar.
Tehniki parametrler
| Material | Optiki Baha LiNbO3 wafler (Ak or Gara) | |
| Kýuri Temp | 1142 ± 0.7 ℃ | |
| Kesmek Burç | X / Y / Z we ş.m. | |
| Diametri / ululygy | 2 ”/ 3” / 4 ”± 0.03mm | |
| Tol (±) | <0,20 mm ± 0,005mm | |
| Galyňlyk | 0,18 ～ 0,5mm ýa-da ondanam köp | |
| Başlangyç Kwartira | 16mm / 22mm / 32mm | |
| TTV | <3μm | |
| Aý | -30 | |
| Warp | <40μm | |
| Ugrukdyrma Kwartira | Hemmesi elýeterli | |
| Faceüzü Görnüşi | Sideeke-täk ýalpyldawuk (SSP) / Iki taraply ýalpyldawuk (DSP) | |
| Jaýlanan tarapy Ra | <0.5nm | |
| S / D. | 20/10 | |
| Gyrasy Kriteriýalar | R = 0,2mm C görnüşi or Bullnose | |
| Hil | Mugt of döwmek (köpürjikler we goşmak) | |
| Optiki doped | Mg / Fe / Zn / MgO we ş.m. üçin optiki synp LN wafli başyna haýyş etdi | |
| Wafer Faceüzü Kriteriýalar | Döwülme görkezijisi | = Ok = 2.2878 / Ne = 2.2033 @ 632nm tolkun uzynlygy / prizma birleşdiriji usuly. |
| Hapalanmak, | Hiç | |
| Bölejikler c> 0.3μ m | <= 30 | |
| Dyrnaçak, kesmek | Hiç | |
| Kemçilik | Gyrasy çatryklar, çyzgylar, yzlar, tegmiller ýok | |
| Gaplamak | Qty / Wafer gutusy | Bir guty üçin 25 sany |
Kazyýetleri ulanyň
Köpugurlylygy we öndürijiligi sebäpli LNOI köp pudaklarda ulanylýar:
Fotonika:Ykjam modulýatorlar, multiplexerler we fotoniki zynjyrlar.
RF / akustika:Akusto-optiki modulýatorlar, RF süzgüçleri.
Kwant hasaplamasy:Çyzykly ýygylyk garyjylary we foton jübüt generatorlary.
Goranmak we aerokosmos:Pes ýitgili optiki giros, ýygylygy üýtgedýän enjamlar.
Lukmançylyk enjamlary:Optiki biosensorlar we ýokary ýygylykly signal zondlary.
Sorag-jogap
S: Näme üçin optiki ulgamlarda LNOI SOI-den has ileri tutulýar?
A:LNOI has ýokary elektro-optiki koeffisiýentleri we has giň aýdyňlyk diapazonyny görkezýär, bu fotoniki zynjyrlarda has ýokary öndürijiligi üpjün edýär.
S: Bölünenden soň CMP hökmanymy?
A:Hawa. Exposedüze çykarylan LN üstü ion kesilenden soň gödek we optiki derejeli aýratynlyklara laýyk bolmaly.
S: Iň ýokary wafli ululygy nämeden ybarat?
A:Söwda LNOI wafli esasan 3 "we 4", käbir üpjün edijiler 6 "görnüşini ösdürýärler.
S: Bölünmeden soň LN gatlagyny gaýtadan ulanyp bolarmy?
A:Esasy kristal birnäçe gezek gaýtadan süpürilip we gaýtadan ulanylyp bilner, ýöne birnäçe aýlawdan soň hili peselip biler.
S: LNOI wafli CMOS gaýtadan işlemek bilen gabat gelýärmi?
A:Hawa, adaty ýarymgeçiriji ýasama prosesleri bilen deňeşdirmek üçin döredildi, esasanam kremniniň substratlary ulanylanda.
