Indium Antimonide (InSb) wafli N görnüşli P görnüşli Epi taýýar açylmadyk Te doped ýa-da Ge doped 2inch 3inch 4inch galyňlygy Indium Antimonide (InSb) wafli
Aýratynlyklary
Doping opsiýalary:
1.Andoped:Bu wafli islendik doping serişdesinden azat bolup, epitaksial ösüş ýaly ýöriteleşdirilen programmalar üçin ideal edýär.
2.Dop (N-görnüşi):Tellurium (Te) doping, adatça infragyzyl detektorlar we ýokary tizlikli elektronika ýaly programmalar üçin amatly N görnüşli wafli döretmek üçin ulanylýar.
3.Goplan (P-görnüşi):Germanium (Ge) doping, P ýarym görnüşli wafli döretmek üçin ulanylýar, ösen ýarymgeçiriji goşundylary üçin ýokary deşikli hereket edýär.
Ölçeg opsiýalary:
1. 2 dýuým, 3 dýuým we 4 dýuým diametrde bar. Bu wafli gözleglerden we ösüşden uly göwrümli önümçilige çenli dürli tehnologiki zerurlyklary kanagatlandyrýar.
2. Takyk diametr çydamlylygy, diametri 50,8 ± 0.3mm (2 dýuým wafli üçin) we 76,2 ± 0.3mm (3 dýuým wafli üçin) toparlaryň arasynda yzygiderliligi üpjün edýär.
Galyňlyga gözegçilik:
1.Wafler, dürli programmalarda iň amatly ýerine ýetirmek üçin 500 ± 5μm galyňlykda bar.
2. TTV (Jemi galyňlygyň üýtgemegi), BOW we Warp ýaly goşmaça ölçegler ýokary birmeňzeşligi we hilini üpjün etmek üçin seresaplylyk bilen dolandyrylýar.
Faceerüsti hili:
1.Wafler optiki we elektrik öndürijiligini gowulandyrmak üçin ýalpyldawuk / çyzylan ýer bilen gelýär.
2.Bu ýüzler epitaksial ösüş üçin amatly bolup, ýokary öndürijilikli enjamlarda mundan beýläk işlemek üçin amatly esas hödürleýär.
Epi taýýar:
1.InSb wafli epi taýyn, ýagny epitaksial çöketlik amallary üçin öňünden bejerilýär. Bu, ýarymgeçiriji önümçiliginde wafli üstünde epitaksial gatlaklary ösdürip ýetişdirmek üçin amatly edýär.
Goýmalar
1.Frafred detektorlar:InSb wafli köplenç infragyzyl (IR) ýüze çykarylanda, esasanam orta tolkun uzynlygy infragyzyl (MWIR) aralygynda ulanylýar. Bu wafli gijeki görüş, termiki şekillendiriş we infragyzyl spektroskopiýa goşundylary üçin zerurdyr.
2. -okary tizlikli elektronika:Elektron hereketliligi sebäpli InSb wafli ýokary ýygylykly tranzistorlar, kwant guýy enjamlary we ýokary elektronly hereket tranzistorlary (HEMT) ýaly ýokary tizlikli elektron enjamlarynda ulanylýar.
3.Kwant guýy enjamlary:Dar zolakly we ajaýyp elektron hereketi InSb wafli kwant guýy enjamlarynda ulanmak üçin amatly edýär. Bu enjamlar lazerlerde, detektorlarda we beýleki optoelektron ulgamlarynda esasy komponentlerdir.
4.Spintron enjamlary:InSb, maglumatlary gaýtadan işlemek üçin elektron aýlaw ulanylýan spintroniki programmalarda hem öwrenilýär. Materialyň pes aýlawly orbitasy bu ýokary öndürijilikli enjamlar üçin ideal edýär.
5.Terahertz (THz) radiasiýa programmalary:InSb esasly enjamlar, ylmy gözlegler, şekillendiriş we material häsiýetnamasy ýaly THz radiasiýa programmalarynda ulanylýar. THz spektroskopiýa we THz şekillendiriş ulgamlary ýaly ösen tehnologiýalara mümkinçilik berýär.
6.Termoelektrik enjamlary:InSb-iň özboluşly aýratynlyklary ony termoelektrik programmalary üçin özüne çekiji material edýär, bu ýerde ýylylygy tygşytly öwürmek üçin ulanylyp bilner, esasanam kosmos tehnologiýasy ýa-da aşa gurşawda elektrik öndürmek ýaly ýerlerde.
Önümiň parametrleri
| Parametr | 2 dýuým | 3 dýuým | 4 dýuým |
| Diametri | 50,8 ± 0,3mm | 76.2 ± 0.3mm | - |
| Galyňlyk | 500 ± 5μm | 650 ± 5μm | - |
| Faceüzü | Jaýlanan / Öçürilen | Jaýlanan / Öçürilen | Jaýlanan / Öçürilen |
| Doping görnüşi | Açylmadyk, Te-doped (N), Ge-doped (P) | Açylmadyk, Te-doped (N), Ge-doped (P) | Açylmadyk, Te-doped (N), Ge-doped (P) |
| Ugrukdyrma | (100) | (100) | (100) |
| Bukja | Leeke | Leeke | Leeke |
| Epi-taýýar | Hawa | Hawa | Hawa |
Te Doped (N-Type) üçin elektrik parametrleri:
- Hereket: 2000-5000 sm² / V · s
- Çydamlylyk: (1-1000) Ω · sm
- EPD (Dykyzlygy): 0002000 kemçilik / cm²
Ge Doped (P-Type) üçin elektrik parametrleri:
- Hereket: 4000-8000 sm² / V · s
- Çydamlylyk: (0,5-5) Ω · sm
- EPD (Dykyzlygy): 0002000 kemçilik / cm²
Netije
Indium Antimonide (InSb) wafli, elektronika, optoelektronika we infragyzyl tehnologiýalar ýaly ýokary öndürijilikli goşundylar üçin möhüm materialdyr. Ajaýyp elektron hereketi, pes aýlawly orbita birikdirilmegi we dürli doping wariantlary bilen (Te-N üçin, P görnüşli Ge), InSb wafli infragyzyl detektorlar, ýokary tizlikli tranzistorlar, kwant guýy enjamlary we spintron enjamlary ýaly enjamlarda ulanmak üçin amatlydyr.
Wafli dürli ölçeglerde (2 dýuým, 3 dýuým we 4 dýuým), takyk galyňlygy dolandyrmak we epi taýyn ýüzler bilen, häzirki zaman ýarymgeçiriji önümçiliginiň berk talaplaryna laýyk gelmegini üpjün edýär. Bu wafli, IR kesgitlemek, ýokary tizlikli elektronika we THz radiasiýasy ýaly ugurlar üçin amatly, gözleg, senagat we goranmakda öňdebaryjy tehnologiýalary üpjün edýär.
Jikme-jik diagramma
