Indium Antimonid (InSb) waferleri N görnüşli P görnüşli Epi taýýar lehimlenmemiş Te lehimli ýa-da Ge lehimli 2 dýuým 3 dýuým 4 dýuým galyňlykda Indium Antimonid (InSb) waferleri

Gysgaça düşündiriş:

Indiý antimonid (InSb) plitalary ýokary öndürijilikli elektron we optoelektroniki ulanylyşlarda esasy bölekdir. Bu plitalar dürli görnüşlerde, şol sanda N-görnüşde, P-görnüşde we lehimlenmedik görnüşde elýeterlidir we Tellur (Te) ýa-da Germaniý (Ge) ýaly elementler bilen lehimlenip bilner. InSb plitalary ajaýyp elektron hereketliligi we dar zolak aralygy sebäpli infragyzyl deteksiýada, ýokary tizlikli tranzistorlarda, kwantum guýulary enjamlarynda we beýleki ýöriteleşdirilen ulanylyşlarda giňden ulanylýar. Platalar 2 dýuým, 3 dýuým we 4 dýuým ýaly dürli diametrlerde, takyk galyňlyk gözegçiligi we ýokary hilli jylaňlanan/oýulan ýüzler bilen elýeterlidir.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Doping opsiýalary:
1. Goşundysyz:Bu plastinler hiç hili doping maddalaryndan azatdyr, bu bolsa olary epitaksial ösüş ýaly ýöriteleşdirilen ulanylyşlar üçin ideal edýär.
2.Te goşulan (N-görnüş):Tellur (Te) lehimlemesi, infragyzyl detektorlar we ýokary tizlikli elektronika ýaly ulanylyşlar üçin ideal bolan N-tipli waferleri döretmek üçin giňden ulanylýar.
3.Ge bilen lehimlenen (P-görnüş):Germaniý (Ge) lehimlemesi P-tipli waferleri döretmek üçin ulanylýar we ösen ýarymgeçirijiler üçin ýokary deşikli hereketliligi üpjün edýär.

Ölçeg opsiýalary:
1. 2 dýuým, 3 dýuým we 4 dýuým diametrlerde bar. Bu plastinkalar ylmy-barlag we işläp taýýarlamalardan başlap, iri möçberli önümçiliklere çenli dürli tehnologiki zerurlyklary kanagatlandyrýar.
2. Diametriň takyk çydamlylygy dürli tapgyrlarda yzygiderliligi üpjün edýär, diametri 50,8±0,3mm (2 dýuýmlyk waferler üçin) we 76,2±0,3mm (3 dýuýmlyk waferler üçin).

Galyňlygy gözegçilik etmek:
1. Dürli ulanylyşlarda iň gowy netije üçin wafliler 500±5μm galyňlykda elýeterlidir.
2. Ýokary birmeňzeşligi we hili üpjün etmek üçin TTV (Umumy galyňlygyň üýtgemegi), BOW we Warp ýaly goşmaça ölçegler üns bilen gözegçilik edilýär.

Ýüzleýiş Hili:
1. Gofretler optiki we elektrik öndürijiligini gowulandyrmak üçin jylaňlanan/oýulan ýüz bilen gelýär.
2. Bu ýüzler epitaksial ösüş üçin ideal bolup, ýokary öndürijilikli enjamlarda mundan beýläk işlemek üçin ýumşak esas döredýär.

Epi-Ready:
1. InSb waferleri epitaksial çökündi prosesleri üçin öňünden işlenilýändigini aňladýar. Bu bolsa, olary waferiň üstünde epitaksial gatlaklaryň ösdürilip ýetişdirilmegi zerur bolan ýarymgeçiriji önümçilikde ulanmak üçin ideal edýär.

Programmalar

1. Infragyzyl Detektorlar:InSb plastinkalary infragyzyl (IR) deteksiýada, esasanam orta tolkunly infragyzyl (MWIR) diapazonynda giňden ulanylýar. Bu plastinkalar gijeki görüş, termal suratlandyrma we infragyzyl spektroskopiýa ulanylyşlary üçin möhümdir.

2. Ýokary tizlikli elektronika:InSb plitalary ýokary elektron hereketliligi sebäpli ýokary tizlikli elektron enjamlarda, meselem, ýokary ýygylykly tranzistorlarda, kwant guýulary enjamlarynda we ýokary elektron hereketli tranzistorlarda (HEMT) ulanylýar.

3. Kwantum guýularynyň enjamlary:Dar zolak aralygy we ajaýyp elektron hereketliligi InSb plitalaryny kwantum guýulary enjamlarynda ulanmaga amatly edýär. Bu enjamlar lazerlerde, detektorlarda we beýleki optoelektron ulgamlarda esasy böleklerdir.

4.Spintronik enjamlar:InSb şeýle hem elektron spininiň maglumatlary gaýtadan işlemek üçin ulanylýan spintronik ulanylyşlarda öwrenilýär. Materialyň pes spin-orbit baglanyşygy ony bu ýokary öndürijilikli enjamlar üçin amatly edýär.

5. Terahers (THz) radiasiýa ulanylyşlary:InSb esasly enjamlar THz radiasiýa ulanylyşlarynda, şol sanda ylmy barlaglarda, suratlandyryşda we materiallaryň häsiýetnamalarynda ulanylýar. Olar THz spektroskopiýasy we THz suratlandyryş ulgamlary ýaly ösen tehnologiýalary ulanmaga mümkinçilik berýär.

6. Termoelektrik enjamlar:InSb-niň özboluşly häsiýetleri ony termoelektrik ulanyşlar üçin özüne çekiji materiala öwürýär, bu ýerde ol ýylylygy elektrik energiýasyna netijeli öwürmek üçin ulanylyp bilner, esasanam kosmos tehnologiýalary ýa-da ekstremal şertlerde elektrik energiýasyny öndürmek ýaly ýörite ulanyşlarda.

Önümiň parametrleri

Parametr	2 dýuým	3 dýuým	4 dýuým
Diametr	50.8±0.3mm	76.2±0.3mm	-
Galyňlygy	500±5μm	650±5μm	-
Ýüz	Jyllalanan/Oýulyp ýasalan	Jyllalanan/Oýulyp ýasalan	Jyllalanan/Oýulyp ýasalan
Doping görnüşi	Goşulmadyk, Te-goşulmadyk (N), Ge-goşulmadyk (P)	Goşulmadyk, Te-goşulmadyk (N), Ge-goşulmadyk (P)	Goşulmadyk, Te-goşulmadyk (N), Ge-goşulmadyk (P)
Ugurlanma	(100)	(100)	(100)
Paket	Ýeke	Ýeke	Ýeke
Epi-Ready	Hawa	Hawa	Hawa

Te bilen lehimlenen (N-görnüşli) elektrik parametrleri:

Hereketlilik: 2000-5000 sm²/V·s
Garşylyklylyk: (1-1000) Ω·sm
EPD (Kemçilikleriň Dykyzlygy): ≤2000 kemçilik/sm²

Ge bilen lehimlenen (P-görnüşli) elektrik parametrleri:

Hereketlilik: 4000-8000 sm²/V·s
Garşylyklylyk: (0.5-5) Ω·sm
EPD (Kemçilikleriň Dykyzlygy): ≤2000 kemçilik/sm²

Netije

Indiý antimonid (InSb) plitalary elektronika, optoelektronika we infragyzyl tehnologiýalar pudaklarynda ýokary öndürijilikli ulanylyşlaryň giň gerimi üçin möhüm materialdyr. Ajaýyp elektron hereketliligi, pes spin-orbit baglanyşygy we dürli goşundy opsiýalary (N-tip üçin Te, P-tip üçin Ge) bilen InSb plitalary infragyzyl detektorlar, ýokary tizlikli tranzistorlar, kwantum guýulary we spintronik enjamlar ýaly enjamlarda ulanmak üçin ajaýypdyr.

Plitalar dürli ölçeglerde (2 dýuým, 3 dýuým we 4 dýuým) elýeterlidir, takyk galyňlyk gözegçiligi we epi-taýýar ýüzleri bilen üpjün edilen, bu bolsa olaryň häzirki zaman ýarymgeçiriji önümçiliginiň berk talaplaryna laýyk gelmegini üpjün edýär. Bu plastinalar infragyzyl deteksiýa, ýokary tizlikli elektronika we THz radiasiýa ýaly ugurlarda ulanmak üçin ajaýypdyr, bu bolsa ylmy-barlag, senagat we goranmak pudaklarynda öňdebaryjy tehnologiýalary ulanmaga mümkinçilik berýär.