HPSI SiC wafer diametri: 3 дюйм galyňlygy: Power Electronics üçin 350um± 25 µm
Programma
HPSI SiC plitalary elektrik elektronikasynyň dürli ulgamlarynda ulanylýar, şol sanda:
Güýçli ýarymgeçirijiler:SiC plitalary, adatça, güýç diodlarynyň, tranzistorlaryň (MOSFET, IGBT) we tiristorlaryň önümçiliginde ulanylýar. Bu ýarymgeçirijiler senagat hereketlendirijilerinde, güýç çeşmelerinde we gaýtadan dikeldilýän energiýa ulgamlary üçin inwertorlarda ýaly ýokary netijeliligi we ygtybarlylygy talap edýän güýç öwürmek ulgamlarynda giňden ulanylýar.
Elektrikli ulaglar (EU):Elektrik awtoulaglarynyň hereketlendiriji ulgamlarynda SiC esasly güýç enjamlary has çalt geçiş tizligini, ýokary energiýa netijeliligini we termal ýitgileriň azaldylmagyny üpjün edýär. SiC bölekleri agramy azaltmak we energiýany özgertmegiň netijeliligini ýokarlandyrmak möhüm bolan batareýa dolandyryş ulgamlarynda (BMS), zarýad beriş infrastrukturasynda we bort zarýad berijilerinde (OBC) ulanmak üçin idealdyr.
Gaýtadan dikeldilýän energiýa ulgamlary:SiC plastinkalary gün energiýasy inwertorlarynda, ýel turbina generatorlarynda we energiýa saklaýyş ulgamlarynda barha köp ulanylýar, bu ýerde ýokary netijelilik we berklik möhümdir. SiC esasyndaky komponentler bu ulgamlarda has ýokary energiýa dykyzlygyny we öndürijiligi ýokarlandyrmagy üpjün edýär, bu bolsa energiýanyň umumy öwrüliş netijeliligini ýokarlandyrýar.
Senagat elektrik elektronikasy:Motor sürüjileri, robot tehnikasy we uly göwrümli energiýa üpjünçiligi ýaly ýokary öndürijilikli senagat ulanylyşlarynda SiC plastinkalaryny ulanmak netijeliligi, ygtybarlylygy we termal dolandyryşy babatda has gowy öndürijiligi üpjün edýär. SiC enjamlary ýokary kommutasiýa ýygylyklaryny we ýokary temperaturalary dolandyryp bilýär, bu bolsa olary talapkär gurşawlar üçin amatly edýär.
Telekommunikasiýa we maglumat merkezleri:SiC telekommunikasiýa enjamlary we maglumat merkezleri üçin energiýa çeşmelerinde ulanylýar, bu ýerde ýokary ygtybarlylyk we netijeli energiýa öwrülişi möhümdir. SiC esasyndaky energiýa enjamlary kiçi ölçeglerde has ýokary netijeliligi üpjün edýär, bu bolsa uly göwrümli infrastrukturalarda energiýa sarp edilişiniň azalmagyna we sowadyş netijeliliginiň ýokarlanmagyna getirýär.
SiC plastinkalarynyň ýokary döwülme woltlylygy, pes garşylyk we ajaýyp ýylylyk geçirijiligi olary bu ösen ulanyşlar üçin ideal substrata öwürýär we täze nesil energiýa tygşytlaýjy elektrik elektronikasynyň işlenip düzülmegine mümkinçilik berýär.
Emläkler
| Emläk | Bahasy |
| Wafer diametri | 3 dýuým (76,2 mm) |
| Waferiň galyňlygy | 350 µm ± 25 µm |
| Wafer ugry | <0001> ok boýunça ± 0.5° |
| Mikrotrubanyň dykyzlygy (MPD) | ≤ 1 sm⁻² |
| Elektrik garşylygy | ≥ 1E7 Ω·sm |
| Dopant | Dopingsiz |
| Esasy Tekizlik Ugury | {11-20} ± 5.0° |
| Esasy tekiz uzynlyk | 32,5 mm ± 3,0 mm |
| Ikinji derejeli tekiz uzynlyk | 18.0 mm ± 2.0 mm |
| Ikinji derejeli tekizlik ugry | Si ýüzüni ýokaryk galdyryň: esasy tekizlikden 90° CW ± 5.0° |
| Gyra çykarylyşy | 3 mm |
| LTV/TTV/Bow/Warp | 3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm |
| Ýüziň gödekligi | C-ýüz: Jilalanan, Si-ýüz: CMP |
| Ýaryklar (ýokary intensiwlikli çyra bilen barlanyldy) | Hiç hili |
| Altyburçluk plitalar (ýokary intensiwlikli çyra bilen barlanýar) | Hiç hili |
| Köp görnüşli meýdanlar (ýokary intensiwli ýagtylyk bilen barlanýar) | Umumy meýdan 5% |
| Çyzgylar (ýokary intensiwlikli ýagtylyk bilen barlanýar) | ≤ 5 çyzyk, umumy uzynlyk ≤ 150 mm |
| Gyralary gyralamak | Rugsat berilmeýär ≥ 0,5 mm ini we çuňlugy |
| Ýüziň hapalanmagy (ýokary intensiwli ýagtylyk bilen barlanýar) | Hiç hili |
Esasy peýdalar
Ýokary ýylylyk geçirijiligi:SiC plitalary ýylylygy ýaýratmak üçin ajaýyp ukyby bilen tanalýar, bu bolsa elektrik enjamlarynyň has ýokary netijeli işlemegine we gyzgynlyk bolmazdan ýokary toklary dolandyrmagyna mümkinçilik berýär. Bu aýratynlyk elektrik elektronikasynda örän möhümdir, bu ýerde ýylylygy dolandyrmak uly kynçylyk döredýär.
Ýokary döwülme woltažy:SiC-iň giň geçirijilik zolagy enjamlara ýokary wolt derejelerine çydamly bolmaga mümkinçilik berýär, bu bolsa olary elektrik ulgamlary, elektrik awtoulaglary we senagat enjamlary ýaly ýokary woltly ulanylyşlar üçin ideal edýär.
Ýokary netijelilik:Ýokary kommutasiýa ýygylyklarynyň we pes garşylygyň utgaşmasy energiýa ýitgileriniň azalmagyna getirýär, energiýanyň konwersiýasynyň umumy netijeliligini ýokarlandyrýar we çylşyrymly sowadyş ulgamlaryna bolan zerurlygy azaldýar.
Gaty güýçli gurşawlarda ygtybarlylyk:SiC ýokary temperaturada (600°C çenli) işläp bilýär, bu bolsa ony adaty kremniý esasly enjamlara zyýan ýetirip biljek gurşawlarda ulanmak üçin amatly edýär.
Energiýa tygşytlaýyşlary:SiC elektrik enjamlary energiýany öwürmegiň netijeliligini ýokarlandyrýar, bu bolsa energiýa sarp edilişini azaltmakda, esasanam senagat energiýa öwrüjileri, elektrik awtoulaglary we gaýtadan dikeldilýän energiýa infrastrukturasy ýaly uly ulgamlarda möhüm ähmiýete eýedir.
Jikme-jik diagramma
