HPSI SiC wafli dia: 3inç galyňlygy: Power Electronics üçin 350um ± 25 µm
Arza
HPSI SiC wafli, elektroniki goşundylaryň giň toplumynda ulanylýar, şol sanda:
Kuwwat ýarymgeçirijiler:SiC wafli köplenç güýç diodlaryny, tranzistorlary (MOSFET, IGBT) we tiristor öndürmekde ulanylýar. Bu ýarymgeçirijiler ýokary öndürijiligi we ygtybarlylygy talap edýän energiýa öwrüliş programmalarynda giňden ulanylýar, mysal üçin senagat hereketlendirijilerinde, elektrik üpjünçiliginde we täzelenip bilýän energiýa ulgamlary üçin inwertorlarda.
Elektrik ulaglary (EV):Elektrik ulagynyň hereketlendirijilerinde SiC esasly güýç enjamlary has çalt geçiş tizligini, ýokary energiýa netijeliligini we ýylylyk ýitgilerini azaldýar. SiC komponentleri, batareýany dolandyrmak ulgamlarynda (BMS), zarýad beriş infrastrukturasynda we bortdaky zarýad berijilerde (OBC) amaly taýdan amatly, bu ýerde agramy azaltmak we energiýa öwrülişiniň netijeliligini ýokarlandyrmak möhümdir.
Täzelenýän energiýa ulgamlary:SiC wafli, ýokary netijelilik we berklik zerur bolan gün inwertorlarynda, ýel turbinaly generatorlarda we energiýa saklaýyş ulgamlarynda has köp ulanylýar. SiC esasly komponentler has ýokary güýç dykyzlygyny we bu programmalarda öndürijiligi ýokarlandyryp, umumy energiýa öwrülişiniň netijeliligini ýokarlandyrýar.
Senagat elektrik elektronikasy:Motor hereketlendirijileri, robot enjamlary we uly göwrümli elektrik üpjünçiligi ýaly ýokary öndürijilikli önümçilik programmalarynda SiC wafli ulanmak netijelilik, ygtybarlylyk we ýylylyk dolandyryşy taýdan gowulaşmaga mümkinçilik berýär. SiC enjamlary ýokary kommutasiýa ýygylyklaryny we ýokary temperaturany dolandyryp, talap edilýän şertlere laýyk edip biler.
Telekommunikasiýa we maglumat merkezleri:SiC, ýokary ygtybarlylyk we netijeli kuwwat öwrülişi möhüm bolan telekommunikasiýa enjamlary we maglumat merkezleri üçin elektrik üpjünçiliginde ulanylýar. SiC esasly güýç enjamlary kiçi göwrümlerde has ýokary netijeliligi üpjün edýär, bu bolsa sarp ediş güýjüniň azalmagyna we uly göwrümli infrastrukturalarda has gowy sowadyş netijeliligine öwrülýär.
SiC wafli ýokary bölüniş naprýa .eniýesi, pes garşylyk we ajaýyp ýylylyk geçirijiligi, bu geljekki nesilleriň energiýa tygşytlaýan elektronikasynyň ösmegine mümkinçilik berýän bu ösen programmalar üçin iň oňat substrat bolýar.
Sypatlar
| Emläk | Gymmatlyk |
| Wafer diametri | 3 dýuým (76,2 mm) |
| Wafer galyňlygy | 350 µm ± 25 µm |
| Wafer ugry | <0001> okda ± 0,5 ° |
| Mikrop turbanyň dykyzlygy (MPD) | ≤ 1 sm⁻² |
| Elektrik garşylygy | ≥ 1E7 Ω · sm |
| Dopant | Açylmadyk |
| Esasy kwartira | {11-20} .0 5.0 ° |
| Esasy tekizlik uzynlygy | 32,5 mm ± 3.0 mm |
| Ikinji tekizlik uzynlygy | 18.0 mm ± 2,0 mm |
| Ikinji kwartira ugry | Si ýüzbe-ýüz: başlangyç kwartiradan 90 ° C ± 5.0 ° |
| Gyradan çykarmak | 3 mm |
| LTV / TTV / Bow / Warp | 3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm |
| Faceerüsti gödeklik | C ýüzi: Polatly, Si ýüzi: CMP |
| Acksaryklar (ýokary intensiwlik bilen barlanýar) | Hiç |
| Hex plitalar (ýokary intensiwlik bilen barlanýar) | Hiç |
| Polip görnüşleri (ýokary intensiwlik bilen barlanýar) | Jemi meýdany 5% |
| Dyrnaklar (ýokary intensiwlik bilen barlanýar) | ≤ 5 çyzgy, jemlenen uzynlygy ≤ 150 mm |
| Gyrasy kesmek | Hiç birine ≥ 0,5 mm ini we çuňlugy rugsat berilmedi |
| Faceerüsti hapalanma (ýokary intensiwlik bilen barlanýar) | Hiç |
Esasy peýdalary
Termokary ýylylyk geçirijiligi:SiC wafli, elektrik enjamlaryna has ýokary netijelilikde işlemäge we ýokary akymlary aşa gyzdyrman işlemäge mümkinçilik berýän ýylylygy ýaýratmakda ajaýyp ukyplary bilen tanalýar. Bu aýratynlyk, ýylylygy dolandyrmak möhüm kynçylyk bolan elektrik elektronikasynda möhümdir.
Breakary bölüniş naprýa: eniýesi:SiC-iň giň zolagy enjamlara has ýokary woltly derejelere çydamly bolmaga mümkinçilik berýär, olary elektrik torlary, elektrik ulaglary we senagat tehnikasy ýaly ýokary woltly programmalar üçin ideal edýär.
Effokary netijelilik:Highokary kommutasiýa ýygylyklarynyň we pes garşylykly kombinasiýa, energiýa ýitgisi pes bolan enjamlara, güýji öwürmegiň umumy netijeliligini ýokarlandyrýar we çylşyrymly sowadyş ulgamlaryna zerurlygy azaldýar.
Agyr şertlerde ygtybarlylyk:SiC ýokary temperaturada (600 ° C çenli) işlemäge ukyply, bu adaty kremniý esasly enjamlara zeper ýetirip biljek şertlerde ulanmak üçin amatly edýär.
Energiýa tygşytlamak:SiC energiýa enjamlary, esasanam senagat elektrik öwrüjileri, elektrik ulaglary we gaýtadan dikeldilýän energiýa infrastrukturasy ýaly uly ulgamlarda energiýa sarp edilişini azaltmakda möhüm ähmiýete eýe bolan energiýa öwrülişiniň netijeliligini ýokarlandyrýar.
Jikme-jik diagramma
