Aýna 4-inçdäki GaN: JGS1, JGS2, BF33 we adaty kwars ýaly aýna görnüşleri
Aýratynlyklary
Band Giň zolakly:GaN-de kremniý ýaly adaty ýarymgeçiriji materiallar bilen deňeşdirilende ýokary woltly we ýokary temperaturaly şertlerde has ýokary netijeliligi we has berkligi üpjün edýän 3,4 eV zolakly bar.
● Aýna aýna substratlary:Dürli ýylylyk, mehaniki we optiki öndürijilik talaplaryny kanagatlandyrmak üçin JGS1, JGS2, BF33 we adaty kwars aýna görnüşleri bar.
● Termokary ýylylyk geçirijiligi:GaN-nyň ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýylylygyň täsirli ýaýramagyny üpjün edýär, bu wafli güýçli ýylylyk öndürýän enjamlar we enjamlar üçin amatly edýär.
● breakokary bölüniş naprýa: eniýesi:GaN-yň ýokary naprýa .eniýeleri saklamak ukyby bu wafli güýç tranzistorlary we ýokary ýygylykly programmalar üçin amatly edýär.
● Ajaýyp mehaniki güýç:Aýna substratlar, GaN-iň häsiýetleri bilen utgaşyp, berk mehaniki güýç berýär, talap edilýän şertlerde wafli çydamlylygyny ýokarlandyrýar.
Manufact Önüm çykdajylarynyň azalmagy:Adaty GaN-on-Silikon ýa-da GaN-on-Safir wafli bilen deňeşdirilende, GaN-on-aýna ýokary öndürijilikli enjamlary uly göwrümli öndürmek üçin has tygşytly çözgütdir.
● Aýratyn optiki aýratynlyklar:Dürli aýna wariantlary, wafeliň optiki aýratynlyklaryny özleşdirmäge mümkinçilik berýär, bu bolsa optoelektronika we fotonikada ulanylýar.
Tehniki aýratynlyklar
| Parametr | Gymmatlyk |
| Wafer ölçegi | 4 dýuým |
| Aýna substrat görnüşleri | JGS1, JGS2, BF33, adaty kwars |
| GaN gatlak galyňlygy | 100 nm - 5000 nm (düzülip bilner) |
| GaN Bandgap | 3.4 eV (giň zolak) |
| Bölek naprýa .eniýesi | 1200V çenli |
| Malylylyk geçirijiligi | 1,3 - 2,1 W / sm · K. |
| Elektron hereketi | 2000 sm² / V · s |
| Wafer ýüzüniň gödekligi | RMS ~ 0.25 nm (AFM) |
| GaN sahypanyň garşylygy | 437,9 Ω · cm² |
| Çydamlylyk | Insarym izolýasiýa, N görnüşli, P görnüşli (düzülip bilner) |
| Optiki geçiriş | > Görünýän we UV tolkun uzynlyklary üçin 80% |
| Wafer Warp | <25 µm (iň ýokary) |
| Surface Finish | SSP (bir taraply ýalpyldawuk) |
Goýmalar
Optoelektronika:
GaN-aýna wafli giňden ulanylýarYşyk-diodly indikatorlarwelazer diodlaryGaN-yň ýokary netijeliligi we optiki öndürijiligi sebäpli. Glassaly aýna substratlary saýlamak ukybyJGS1weJGS2optiki aç-açanlykda özleşdirmäge mümkinçilik berýär, olary ýokary güýçli, ýokary ýagtylyk üçin ideal edýärgök / ýaşyl yşyk-diodly indikatorlarweUV lazerleri.
Fotonika:
GaN-aýna wafli üçin amatlyfotodetektorlar, fotonik integral zynjyrlar (PIC), weoptiki datçikler. Ajaýyp ýagtylyk geçiriş aýratynlyklary we ýokary ýygylykly programmalarda ýokary durnuklylyk olary amatly edýäraragatnaşykwedatçik tehnologiýalary.
Kuwwat elektronikasy:
Giň zolakly we ýokary naprýa .eniýe naprýa .eniýesi sebäpli GaN-aýna wafli ulanylýarýokary güýçli tranzistorlarweýokary ýygylykly güýç öwrülişi. GaN-yň ýokary woltly we ýylylyk bölünişigini dolandyrmak ukyby ony kämilleşdirýärgüýçlendiriji, RF güýç tranzistorlary, wekuwwat elektronikasyönümçilik we sarp ediş goşundylarynda.
Freokary ýygylykly programmalar:
GaN-aýna wafli ajaýyp görkezýärelektron hereketiwe ýokary kommutasiýa tizliginde işläp, olary ideal edip bilerýokary ýygylykly güýç enjamlary, mikrotolkun enjamlary, weRF güýçlendirijiler. Bular möhüm elementlerdir5G aragatnaşyk ulgamlary, radar ulgamlary, wehemra aragatnaşygy.
Awtoulag programmalary:
GaN-aýna wafli awtoulag güýç ulgamlarynda, esasanambortdaky zarýad berijiler (OBC)weDC-DC öwrüjilerielektrik ulaglary (EV) üçin. Wafleriň ýokary temperaturany we naprýa .eniýeleri dolandyrmak ukyby, has ýokary netijeliligi we ygtybarlylygy üpjün edip, EV-ler üçin elektrik elektronikasynda ulanmaga mümkinçilik berýär.
Lukmançylyk enjamlary:
GaN-yň häsiýetleri ony ulanmak üçin özüne çekiji material edýärlukmançylyk şekillendirişiwebiomedikal datçikler. Highokary woltly hereket etmek ukyby we radiasiýa garşylygy ony amaly programmalar üçin ideal edýäranyklaýyş enjamlarywelukmançylyk lazerleri.
Sowal-jogap
1-nji sorag: Näme üçin GaN-on-aýna GaN-on-Silikon ýa-da GaN-on-Safir bilen deňeşdirilende gowy wariant?
A1:GaN-on-aýna birnäçe artykmaçlygy hödürleýärçykdajylylygywehas gowy ýylylyk dolandyryşy. “GaN-on-Silicon” we “GaN-on-Sapphire” ajaýyp öndürijiligi üpjün etse-de, aýna substratlar arzan, has elýeterli we optiki we mehaniki aýratynlyklary boýunça düzülip bilner. Mundan başga-da, GaN-aýna wafli ikisinde-de ajaýyp öndürijiligi üpjün edýäroptikiweýokary güýçli elektron programmalary.
2-nji sorag: JGS1, JGS2, BF33 we adaty kwars aýna görnüşleriniň arasynda näme tapawut bar?
A2:
- JGS1weJGS2bilen tanalýan ýokary hilli optiki aýna substratlardyrýokary optiki aýdyňlykwepes ýylylyk giňelmesi, fotoniki we optoelektron enjamlary üçin ideal etmek.
- BF33aýna tekliplerihas ýokary refraktiw görkezijiýaly ösen optiki öndürijiligi talap edýän programmalar üçin amatlydyrlazer diodlary.
- Dinönekeý kwarsýokary üpjün edýärýylylyk durnuklylygyweradiasiýa garşylygy, ýokary temperaturaly we ýowuz gurşaw üçin amatly etmek.
3-nji sorag: GaN-aýna wafli üçin garşylyk we doping görnüşini sazlap bilerinmi?
A3:Hawa, hödürleýärisdüzülip bilinýän garşylykwedoping görnüşleriGaN-aýna wafli üçin (N görnüşli ýa-da P görnüşli). Bu çeýeligi wafli elektrik enjamlary, yşyk-diodly indikatorlar we fotoniki ulgamlar ýaly aýratyn programmalara laýyklaşdyrmaga mümkinçilik berýär.
4-nji sorag: Optoelektronikada GaN-on-aýna üçin adaty programmalar haýsylar?
A4:Optoelektronikada köplenç GaN-aýna wafli ulanylýargök we ýaşyl yşyk-diodly indikatorlar, UV lazerleri, wefotodetektorlar. Aýnanyň özleşdirilip bilinýän optiki häsiýetleri ýokary enjamlara mümkinçilik berýärýagtylyk geçirijiamaly programmalar üçin ideal edýärtehnologiýalaryny görkeziň, yşyklandyryş, weoptiki aragatnaşyk ulgamlary.
5-nji sorag: GaN-on-aýna ýokary ýygylykly programmalarda nähili işleýär?
A5:GaN-aýna wafli hödürleýärajaýyp elektron hereketi, gowy çykyş etmegine mümkinçilik berýärýokary ýygylykly programmalarýalyRF güýçlendirijiler, mikrotolkun enjamlary, we5G aragatnaşyk ulgamlary. Olaryň ýokary bölüniş naprýa .eniýesi we pes kommutasiýa ýitgileri olary amatly edýärýokary kuwwatly RF enjamlary.
6-njy sorag: GaN-aýna wafli adaty bölüniş naprýa? Eniýesi näme?
A6:GaN-aýna wafli, adatça, bölüniş naprýa .eniýesini goldaýar1200Vüçin amatly edýärýokary kuwwatlyweýokary woltlygoýmalary. Olaryň giň zolagy, kremniý ýaly adaty ýarymgeçiriji materiallardan has ýokary woltlary dolandyrmaga mümkinçilik berýär.
7-nji sorag: GaN-aýna wafli awtoulag programmalarynda ulanylyp bilnermi?
A7:Hawa, GaN-aýna wafli ulanylýarawtoulag güýji elektronikasygoşmak bilenDC-DC öwrüjileriwebortdaky zarýad berijiler(OBC) elektrik ulaglary üçin. Highokary temperaturada işlemek we ýokary woltlary dolandyrmak ukyby olary bu talap edilýän programmalar üçin ideal edýär.
Netije
Aýna 4-inç wafli boýunça GaN optoelektronika, elektrik elektronikasy we fotonika ýaly dürli programmalar üçin özboluşly we özleşdirilip bilinýän çözgüt hödürleýär. JGS1, JGS2, BF33 we adaty kwars ýaly aýna substrat görnüşleri bilen bu wafli mehaniki we optiki häsiýetlerde köpugurlylygy üpjün edýär, ýokary güýçli we ýokary ýygylykly enjamlar üçin ýörite çözgütleri döredýär. Yşyk-diodly indikatorlar, lazer diodlary ýa-da RF programmalary, GaN-aýna wafli bolsun
Jikme-jik diagramma
