4-inçlik aýnadaky GaN: JGS1, JGS2, BF33 we Adaty Kwarts ýaly özleşdirip bolýan aýna opsiýalary
Aýratynlyklar
●Giň zolak aralygy:GaN-yň 3.4 eV zolak aralygy bar, bu bolsa kremniý ýaly däp bolan ýarymgeçiriji materiallara garanyňda ýokary woltly we ýokary temperatura şertlerinde has ýokary netijeliligi we has berkligi üpjün edýär.
●Saýlap bolýan aýna substratlar:Dürli termal, mehaniki we optiki öndürijilik talaplaryny kanagatlandyrmak üçin JGS1, JGS2, BF33 we Adaty Kwarts aýna wariantlary bilen elýeterlidir.
●Ýokary ýylylyk geçirijiligi:GaN-yň ýokary ýylylyk geçirijiligi netijeli ýylylyk ýaýramagyny üpjün edýär, bu bolsa bu plitalary energiýa ulanyşlary we ýokary ýylylyk öndürýän enjamlar üçin ideal edýär.
●Ýokary döwülme woltažy:GaN-yň ýokary woltlylygy saklamak ukyby bu plastinalary güýç tranzistorlary we ýokary ýygylykly ulanyşlar üçin amatly edýär.
●Ajaýyp mehaniki berklik:Aýna substratlar, GaN-yň häsiýetleri bilen birleşip, berk mehaniki berkligi üpjün edýär we plastinkanyň kyn şertlerde çydamlylygyny ýokarlandyrýar.
●Öndüriş çykdajylarynyň azalmagy:Adaty GaN-on-Cilicone ýa-da GaN-on-Safir waferleri bilen deňeşdirilende, GaN-on-Aýna ýokary öndürijilikli enjamlary uly möçberde öndürmek üçin has tygşytly çözgütdir.
●Özleşdirilen optiki häsiýetler:Dürli aýna wariantlary plastinkanyň optiki häsiýetlerini özleşdirmäge mümkinçilik berýär, bu bolsa ony optoelektronikada we fotonikada ulanmak üçin amatly edýär.
Tehniki aýratynlyklar
| Parametr | Bahasy |
| Wafer ölçegi | 4 dýuým |
| Aýna substratynyň opsiýalary | JGS1, JGS2, BF33, Adaty kwars |
| GaN gatlagynyň galyňlygy | 100 nm – 5000 nm (özgertmek mümkin) |
| GaN Bandgap | 3.4 eV (giň zolak aralygy) |
| Buzulyş naprýaženiýesi | 1200V çenli |
| Termal geçirijilik | 1.3 – 2.1 W/sm·K |
| Elektron hereketliligi | 2000 sm²/V·s |
| Wafer ýüzüniň gödekligi | RMS ~0.25 nm (AFM) |
| GaN list garşylygy | 437.9 Ω·sm² |
| Garşylyklylyk | Ýarym izolýasiýaly, N-tipli, P-tipli (özgertme arkaly) |
| Optiki geçiriş | Görünýän we UB tolkun uzynlyklary üçin >80% |
| Wafer Warp | < 25 µm (maksimum) |
| Ýüzleýiş | SSP (bir taraply jylaňlanan) |
Programmalar
Optoelektronika:
GaN-aýna plitalary giňden ulanylýarLED-lerwelazer diodlaryGaN-yň ýokary netijeliligi we optiki işjeňligi sebäpli. Şeýle aýna substratlaryny saýlamak ukybyJGS1weJGS2optiki açyklykda özleşdirmäge mümkinçilik berýär, bu bolsa olary ýokary kuwwatly, ýokary ýagtylyk üçin ideal edýärgök/ýaşyl LED-lerweUV lazerleri.
Fotonika:
GaN-aýna plitalary üçin iň amatlydyrfotodetektorlar, fotonik integral mikrosxemalar (PIC), weoptiki sensorlarOlaryň ajaýyp ýagtylyk geçirijilik häsiýetleri we ýokary ýygylykly ulanylyşlarda ýokary durnuklylygy olary amatly edýär.aragatnaşykwesensor tehnologiýalary.
Güýçli elektronika:
Giň zolak aralygy we ýokary döwülme naprýaženiýesi sebäpli, aýnadaky GaN waferleri ulanylýarýokary kuwwatly tranzistorlarweýokary ýygylykly güýç konwersiýasyGaN-yň ýokary woltlylygy we termal ýaýramagy dolandyrmak ukyby ony ajaýyp edýärgüýç güýçlendirijileri, RF güýç tranzistorlary, wegüýç elektronikasysenagat we sarp ediji ulanylyşlarynda.
Ýokary ýygylykly programmalar:
GaN-aýna plitalary ajaýyp görkezýärelektron hereketliligiwe ýokary geçiş tizliginde işläp bilýär, bu bolsa olary iň amatly edýärýokary ýygylykly elektrik enjamlary, mikrotolkunly enjamlar, weRF güýçlendirijileriBularyň möhüm bölekleri bar5G aragatnaşyk ulgamlary, radar ulgamlary, wesputnik aragatnaşygy.
Awtomobil ulanylyşlary:
Aýnada GaN plitalary awtoulag energiýa ulgamlarynda, esasanambortdaky zarýad berijiler (OBC)weDC-DC öwrüjilerielektrik ulaglary (EV) üçin. Plastinkalaryň ýokary temperatura we naprýaženiýelere çydap bilmek ukyby olary EV-ler üçin güýç elektronikasynda ulanmaga mümkinçilik berýär we has ýokary netijeliligi we ygtybarlylygy üpjün edýär.
Lukmançylyk enjamlary:
GaN-yň häsiýetleri ony şeýle hem ulanmak üçin özüne çekiji materiala öwürýärlukmançylyk suratlarywebiolukmançylyk sensorlaryÝokary woltly işleýän ukyby we radiasiýa garşylygy ony şu aşakdaky maksatlar üçin amatly edýär.diagnostika enjamlarywelukmançylyk lazerleri.
Sorag-jogap
S1: Näme üçin aýnada GaN, kremniýde GaN ýa-da sapfirde GaN bilen deňeşdirilende gowy wariant?
A1:GaN-on-aýnagyň birnäçe artykmaçlyklary bar, şol sandaçykdajylaryň netijeliligiwehas gowy termal dolandyryşGaN-on-Cilicone we GaN-on-Saffire ajaýyp öndürijilik berýän bolsa-da, aýna substratlar optiki we mehaniki häsiýetler babatda arzan, has elýeterli we özleşdirip bolýandyr. Mundan başga-da, GaN-on-Aýna plitalary ikisinde-de ajaýyp öndürijilik berýäroptikiweýokary kuwwatly elektron programmalar.
S2: JGS1, JGS2, BF33 we Adaty Kwarts aýna wariantlarynyň arasyndaky tapawut näme?
A2:
- JGS1weJGS2bilen tanalýan ýokary hilli optik aýna substratlarydyrýokary optiki açyklykwepes termal giňelme, olary fotonik we optoelektron enjamlar üçin ideal edýär.
- BF33aýna teklipleriýokary refraksiýa görkezijisiwe optiki işjeňligiň ýokarlandyrylmagyny talap edýän programmalar üçin idealdyr, mysal üçinlazer diodlary.
- Adaty kwartsýokary derejede üpjün edýärtermal durnuklylykweradiasiýa garşylyk, ony ýokary temperatura we berk daşky gurşaw ulgamlary üçin amatly edýär.
S3: GaN-aýna plitalary üçin garşylyk we lehimleme görnüşini sazlap bilerinmi?
A3:Hawa, biz hödürleýärisözelleşdirilip bilinýän garşylykwedoping görnüşleri(N-tipli ýa-da P-tipli) aýnadaky GaN waflileri üçin. Bu çeýelik waflileri elektrik enjamlary, LED-ler we fotonik ulgamlar ýaly belli bir ulanylyşlara laýyklaşdyrmaga mümkinçilik berýär.
S4: Optoelektronikada aýnada GaN-iň tipik ulanylyş usullary nähili?
A4:Optoelektronikada, aýnada GaN-plastik plitalar köplenç ulanylýargök we ýaşyl LED-ler, UV lazerleri, wefotodetektorlarAýnanyň sazlanyp bilinýän optiki häsiýetleri ýokary derejeli enjamlara mümkinçilik berýär.ýagtylyk geçirişi, olary ulanyşlar üçin ideal edýärdispleý tehnologiýalary, yşyklandyryş, weoptiki aragatnaşyk ulgamlary.
S5: GaN-aýnada ýokary ýygylykly ulanylyşlarda nähili işleýär?
A5:GaN-on-shine waflileri teklip edýärajaýyp elektron hereketliligi, olara gowy netije görkezmäge mümkinçilik berýärýokary ýygylykly ulanylyşlarýalyRF güýçlendirijileri, mikrotolkunly enjamlar, we5G aragatnaşyk ulgamlaryOlaryň ýokary döwülme woltlylygy we aşaky geçiş ýitgileri olary amatly edýär.ýokary kuwwatly RF enjamlary.
S6: GaN-aýna plitalarynyň adaty döwülme naprýaženiýesi näçe?
A6:Aýnadaky GaN plitalary, adatça, döwülme naprýaženiýelerini goldaýar1200V, olary amatly edýärýokary kuwwatlyweýokary woltlyulanylyşlary. Olaryň giň zolak aralygy kremniý ýaly adaty ýarymgeçiriji materiallara garanyňda ýokary naprýaženiýeleri dolandyrmaga mümkinçilik berýär.
S7: GaN-aýna plitalary awtoulag ulanylyşynda ulanylyp bilnermi?
A7:Hawa, aýnada GaN waferleri ulanylýarawtoulag elektrik elektronikasyşol sandaDC-DC öwrüjileriwebortdaky zarýad berijiler(OBC) elektrik ulaglary üçin. Olaryň ýokary temperaturada işlemek we ýokary woltly toklary dolandyrmak ukyby olary şu talap ediji ulanyşlar üçin ideal edýär.
Netije
Biziň 4 dýuýmly aýnaly GaN plitalarymyz optoelektronika, güýç elektronikasy we fotonika ýaly dürli ulgamlar üçin özboluşly we sazlanyp bilinýän çözgüt hödürleýär. JGS1, JGS2, BF33 we Ordinary Quartz ýaly aýna substrat opsiýalary bilen bu plitalar mehaniki we optiki häsiýetlerde köpugurlylygy üpjün edýär we ýokary kuwwatly we ýokary ýygylykly enjamlar üçin ýörite çözgütleri döretmäge mümkinçilik berýär. LED-ler, lazer diodlary ýa-da RF ulgamlary üçin bolsun, aýnaly GaN plitalary
Jikme-jik diagramma
