GaN-on-Diamond Wafers 4inch 6inch Jemi epi galyňlygy (mikron) 0,6 ~ 2,5 ýa-da ýokary ýygylykly programmalar üçin ýöriteleşdirilen
Sypatlar
Gämi ululygy:
Dürli ýarymgeçiriji önümçilik proseslerine köptaraply integrasiýa üçin 4 dýuým we 6 dýuým diametrde bar.
Müşderiniň talaplaryna baglylykda wafli ululygy üçin özleşdirme opsiýalary.
Epitaksial gatlak galyňlygy:
Aralygy: belli bir programma zerurlyklaryna esaslanyp, galyňlygy üçin opsiýalar bilen 0,6 µm-dan 2,5 mkm.
Epitaksial gatlak, ýokary hilli GaN kristal ösüşini üpjün etmek üçin niýetlenendir, güýji, ýygylygy we ýylylyk dolandyryşyny deňleşdirmek üçin optimal galyňlygy.
Malylylyk geçirijiligi:
Göwher gatlagy, takmynan 2000-2200 W / m · K ýokary ýylylyk geçirijiligini üpjün edýär, ýokary güýçli enjamlardan ýylylygyň netijeli ýaýramagyny üpjün edýär.
GaN material aýratynlyklary:
Giň zolakly: GaN gatlagy, gaty gurşawda, ýokary naprýa .eniýede we ýokary temperatura şertlerinde işlemäge mümkinçilik berýän giň zolakdan (~ 3.4 eV) peýdalanýar.
Elektron hereketi: highokary elektron hereketi (takmynan 2000 sm² / V · s), has çalt geçişe we has ýokary ýygylyklara sebäp bolýar.
Breakary bölüniş naprýa .eniýesi: GaN-iň bölüniş naprýa .eniýesi adaty ýarymgeçiriji materiallardan has ýokary bolup, ony güýç talap edýän programmalar üçin amatly edýär.
Elektrik öndürijiligi:
Powerokary güýç dykyzlygy: GaN-on-Almaz wafli, güýç güýçlendirijileri we RF ulgamlary üçin ajaýyp kiçijik forma faktoryny saklamak bilen ýokary güýç öndürmäge mümkinçilik berýär.
Pes ýitgiler: GaN-iň netijeliligi we göwheriň ýylylyk bölünip çykmagy, iş wagtynda güýç ýitgileriniň azalmagyna getirýär.
Faceerüsti hili:
Qualityokary hilli epitaksial ösüş: GaN gatlagy göwher substratda epitaksial ösdürilip ýetişdirilýär, iň az ýerleşiş dykyzlygyny, ýokary kristal hilini we enjamyň optimal işlemegini üpjün edýär.
Birmeňzeşlik:
Galyňlygy we düzümi birmeňzeşligi: GaN gatlagy we göwher substrat, enjamyň yzygiderli işlemegi we ygtybarlylygy üçin ajaýyp birmeňzeşligi saklaýar.
Himiki durnuklylyk:
GaN we göwher, bu wafli himiki şertlerde ygtybarly ýerine ýetirmäge mümkinçilik berýän ajaýyp himiki durnuklylygy hödürleýär.
Goýmalar
RF güýç güýçlendirijileri:
GaN-on-Diamond wafli, telekommunikasiýa, radar ulgamlary we hemra aragatnaşygyndaky RF güýç güýçlendirijileri üçin amatlydyr, ýokary ýygylyklarda (meselem, 2 GGs-dan 20 GGs we ondan ýokary) hem ýokary netijeliligi we ygtybarlylygy hödürleýär.
Mikrotolkun aragatnaşygy:
Bu wafli ýokary güýçli çykyş we signalyň minimal zaýalanmagy möhüm ähmiýete eýe bolan mikrotolkun aragatnaşyk ulgamlarynda has ýokarydyr.
Radar we duýgur tehnologiýalary:
“GaN-on-Diamond” wafli radar ulgamlarynda giňden ulanylýar, ýokary ýygylykly we ýokary güýçli programmalarda, esasanam harby, awtoulag we howa giňişliginde ygtybarly öndürijiligi üpjün edýär.
Sputnik ulgamlary:
Sputnik aragatnaşyk ulgamlarynda bu wafli aşa ekologiki şertlerde işlemäge ukyply güýç güýçlendirijileriniň berkligini we ýokary öndürijiligini üpjün edýär.
Powerokary güýçli elektronika:
“GaN-on-Diamond” -yň ýylylyk dolandyryş mümkinçilikleri olary güýçli öwrüjiler, inwertorlar we berk relýler ýaly ýokary güýçli elektronika üçin amatly edýär.
Malylylyk dolandyryş ulgamlary:
Göwheriň ýokary ýylylyk geçirijiligi sebäpli bu wafli ýokary güýçli LED we lazer ulgamlary ýaly berk ýylylyk dolandyryşyny talap edýän programmalarda ulanylyp bilner.
GaN-on-almaz wafli üçin soraglar
1-nji sorag: GaN-on-Diamond wafli ýokary ýygylykly programmalarda ulanmagyň artykmaçlygy näme?
A1:GaN-on-Diamond wafli, ýokary elektron hereketliligini we GaN-iň giň zolagyny göwheriň ajaýyp ýylylyk geçirijiligi bilen birleşdirýär. Bu, ýokary ýygylykly enjamlara ýylylygy netijeli dolandyrmak, adaty materiallar bilen deňeşdirilende has ýokary netijeliligi we ygtybarlylygy üpjün etmek bilen has ýokary güýç derejesinde işlemäge mümkinçilik berýär.
2-nji sorag: GaN-on-Diamond wafli belli bir güýç we ýygylyk talaplary üçin düzülip bilnermi?
A2:Hawa, “GaN-on-Diamond” wafli, ýokary güýçli we ýokary ýygylykly programmalar üçin çeýeligi üpjün edip, epitaksial gatlagyň galyňlygy (0,6 µm - 2,5 mk), wafli ululygy (4 dýuým, 6 dýuým) we beýleki parametrleri öz içine alýan görnüşleri hödürleýär.
3-nji sorag: Almazyň GaN üçin substrat hökmünde esasy peýdalary haýsylar?
A3:Almazyň aşa ýylylyk geçirijiligi (2200 W / m · K çenli) ýokary güýçli GaN enjamlary tarapyndan öndürilýän ýylylygy netijeli ýaýratmaga kömek edýär. Bu ýylylyk dolandyryş ukyby, GaN-on-Diamond enjamlaryna has ýokary dykyzlyklarda we ýygylyklarda işlemäge mümkinçilik berýär, enjamyň işleýşini we uzak ömrüni üpjün edýär.
4-nji sorag: GaN-on-Diamond wafli kosmos ýa-da howa giňişligi üçin amatlymy?
A4:Hawa, GaN-on-Diamond wafli, ýokary ygtybarlylygy, ýylylyk dolandyryş mümkinçilikleri we ýokary radiasiýa, temperaturanyň üýtgemegi we ýokary ýygylykly iş ýaly aşa şertlerde öndürijiligi sebäpli kosmos we howa giňişligi üçin amatlydyr.
5-nji sorag: GaN-on-Diamond wafli öndürilen enjamlaryň garaşylýan ömri näçe?
A5:GaN-yň mahsus berkligi we göwheriň ajaýyp ýylylyk ýaýramagy häsiýetleriniň utgaşmagy enjamlar üçin uzak ömür sürýär. “GaN-on-Diamond” enjamlary wagtyň geçmegi bilen minimal zaýalanmak bilen kyn şertlerde we ýokary güýçli şertlerde işlemek üçin niýetlenendir.
6-njy sorag: Almazyň ýylylyk geçirijiligi, GaN-on-Diamond wafli umumy işine nähili täsir edýär?
A6:Göwheriň ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary kuwwatly programmalarda emele gelen ýylylygy netijeli geçirmek arkaly GaN-on-Diamond wafli öndürijiligini ýokarlandyrmakda möhüm rol oýnaýar. Bu, GaN enjamlarynyň optimal öndürijiligini saklamagyny, ýylylyk stresini azaltmagyny we adaty ýarymgeçiriji enjamlarda ýygy-ýygydan ýüze çykýan gyzgynlykdan gaça durmagyny üpjün edýär.
7-nji sorag: GaN-on-Diamond wafli beýleki ýarymgeçiriji materiallardan ýokary bolan adaty programmalar haýsylar?
A7:GaN-on-Diamond wafli, ýokary kuwwatly işlemegi, ýokary ýygylykly işlemegi we ýylylyk dolandyryşyny talap edýän programmalardaky beýleki materiallardan öňe geçýär. Muňa RF güýç güýçlendirijileri, radar ulgamlary, mikrotolkun aragatnaşygy, hemra aragatnaşygy we beýleki ýokary güýçli elektronika girýär.
Netije
GaN-on-Diamond wafli, ýokary ýygylykly we ýokary kuwwatly programmalar üçin ajaýyp çözgüt hödürleýär, GaN-iň ýokary öndürijiligini göwheriň ajaýyp ýylylyk aýratynlyklary bilen birleşdirýär. Düzülip bilinýän aýratynlyklar bilen, netijeli elektrik üpjünçiligini, ýylylyk dolandyryşyny we ýokary ýygylykly işlemegi talap edýän pudaklaryň isleglerini kanagatlandyrmak üçin döredilip, kyn şertlerde ygtybarlylygy we uzak ömri üpjün edýär.
Jikme-jik diagramma
