Gallium Nitride (GaN) Safir Wafersinde ösdürilip ýetişdirilen epitaksial MEMS üçin 4inch 6inch

Gallium Nitride (GaN) Safir Wafersinde ösdürilip ýetişdirilen epitaksial MEMS aýratynlyklary üçin 4inch 6inch

Gysga düşündiriş:

Safir wafli boýunça “Gallium Nitride” (GaN) ýokary ýygylykly we ýokary güýçli programmalar üçin deňsiz-taýsyz öndürijilik hödürleýär we indiki nesil RF (Radio quygylygy) öňdäki modullar, LED yşyklar we beýleki ýarymgeçiriji enjamlar üçin iň oňat material bolýar.GaNbandokary zolakly öz içine alýan ýokary elektrik aýratynlyklary, adaty kremniý esasly enjamlara garanyňda has ýokary naprýa .eniýe we temperaturalarda işlemäge mümkinçilik berýär. GaN kremniniň üstünden barha kabul edilip başlansoň, ýeňil, güýçli we täsirli materiallary talap edýän elektronikada öňe gidişlige itergi berýär.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Safir wafli boýunça GaN-iň aýratynlyklary

● Effokary netijelilik:GaN esasly enjamlar, kremniý esasly enjamlara garanyňda bäş esse köp güýç berýär, dürli güýçlendirme we optoelektronika ýaly dürli elektron programmalarynda öndürijiligi ýokarlandyrýar.
Band Giň zolakly:GaN-yň giň zolagy, ýokary temperaturada ýokary netijeliligi üpjün edýär we ýokary güýçli we ýokary ýygylykly programmalar üçin ideal edýär.
● Çydamlylygy:GaN-yň aşa şertleri (ýokary temperatura we radiasiýa) dolandyrmak ukyby, agyr şertlerde uzak wagtlap işlemegini üpjün edýär.
● Kiçi ululyk:GaN, adaty ýarymgeçiriji materiallar bilen deňeşdirilende has kiçi we has güýçli elektronikany ýeňilleşdirip, has ykjam we ýeňil enjamlary öndürmäge mümkinçilik berýär.

Abstrakt

“Gallium Nitride” (GaN), RF öňdäki modullar, ýokary tizlikli aragatnaşyk ulgamlary we LED yşyklandyryş ýaly ýokary güýç we netijeliligi talap edýän ösen programmalar üçin saýlama ýarymgeçiriji hökmünde ýüze çykýar. GaN epitaksial wafli, sapfir substratlarynda ösdürilip ýetişdirilende, ýokary ýylylyk geçirijiliginiň, ýokary bölüniş naprýa .eniýesiniň we giň ýygylyk sesiniň kombinasiýasyny hödürleýär, bu simsiz aragatnaşyk enjamlarynda, radarlarda we dykyzlandyryjylarda optimal işlemek üçin möhümdir. Bu wafli 4 dýuým we 6 dýuým diametrde bolýar, dürli tehniki talaplary kanagatlandyrmak üçin dürli GaN galyňlygy bolýar. GaN-yň özboluşly aýratynlyklary ony elektrik elektronikasynyň geljegi üçin esasy kandidat edýär.

Önümiň parametrleri

Önüm aýratynlygy	Spesifikasiýa
Wafer diametri	50mm, 100mm, 50,8mm
Substrat	Safir
GaN gatlak galyňlygy	0,5 μm - 10 μm
GaN görnüşi / Doping	N görnüşi (P görnüşi isleg boýunça elýeterli)
GaN Kristal ugry	<0001>
Polishing görnüşi	Bir taraply ýalpyldawuk (SSP), iki taraplaýyn ýalpyldawuk (DSP)
Al2O3 Galyňlyk	430 μm - 650 μm
TTV (Galyňlygyň umumy üýtgemegi)	≤ 10 μm
Aý	≤ 10 μm
Warp	≤ 10 μm
Faceerüsti meýdany	Ulanylýan ýerüsti meýdany> 90%

Sowal-jogap

1-nji sorag: Adaty kremniý esasly ýarymgeçirijilerden GaN-ni ulanmagyň esasy artykmaçlyklary haýsylar?

A1: GaN, kremniniň üstünden birnäçe möhüm artykmaçlygy hödürleýär, has ýokary zolakly naprýa .eniýäni dolandyrmaga we has ýokary temperaturada netijeli işlemäge mümkinçilik berýän has giň zolakly. Bu, GaN-ny ýokary güýçli, RF modullary, güýç güýçlendirijileri we yşyklandyryjylar ýaly ýokary ýygylykly programmalar üçin ideal edýär. GaN-yň has ýokary dykyzlygy dolandyrmak ukyby kremniý esasly alternatiwalar bilen deňeşdirilende has kiçi we has täsirli enjamlara mümkinçilik berýär.

2-nji sorag: Safir wafli boýunça GaN-i MEMS (Mikro-elektro-mehaniki ulgamlar) goýmalarynda ulanyp bolarmy?

A2: Hawa, Safir wafli boýunça GaN, esasanam ýokary güýç, temperatura durnuklylygy we pes ses talap edilýän ýerlerde MEMS programmalary üçin amatlydyr. Materialokary ýygylykly gurşawda materialyň berkligi we netijeliligi simsiz aragatnaşyk, duýgurlyk we radar ulgamlarynda ulanylýan MEMS enjamlary üçin ideal edýär.

3-nji sorag: GaN-yň simsiz aragatnaşykda haýsy programmalary bar?

A3: GaN simsiz aragatnaşyk üçin RF öňdäki modullarda, şol sanda 5G infrastrukturasy, radar ulgamlary we dykyzlandyryjylar üçin giňden ulanylýar. Powerokary kuwwatly dykyzlygy we ýylylyk geçirijiligi ony ýokary güýçli, ýokary ýygylykly enjamlar üçin ajaýyp edýär, kremniý esasly çözgütler bilen deňeşdirilende has gowy öndürijilik we kiçi forma faktorlaryny döredýär.

4-nji sorag: Safir wafli boýunça GaN üçin esasy wagt we iň az sargyt mukdary haýsylar?

A4: Gurşun wagty we iň az sargyt mukdary wafli ululygyna, GaN galyňlygyna we müşderiniň aýratyn talaplaryna baglylykda üýtgeýär. Aýratynlyklaryňyza esaslanyp jikme-jik bahalar we elýeterlilik üçin gönüden-göni biziň bilen habarlaşmagyňyzy haýyş edýäris.

5-nji sorag: GaN gatlagynyň galyňlygyny ýa-da doping derejesini alyp bilerinmi?

A5: Hawa, aýratyn programma zerurlyklaryny kanagatlandyrmak üçin GaN galyňlygyny we doping derejelerini özleşdirmegi teklip edýäris. Isleýän aýratynlyklaryňyzy bize habar bermegiňizi haýyş edýäris we aýratyn çözgüt hödürläris.