MEMS üçin 4 дюйм 6 дюйм Sapphire Wafers-de ösdürilip ýetişdirilen galliý nitridi (GaN) epitaksial

MEMS üçin sapfir plitalarynda ösdürilip ýetişdirilen galliý nitridi (GaN) epitaksial 4 dýuým 6 dýuým. Görkezilen surat.

Gysgaça düşündiriş:

Sapphire plitalaryndaky galliý nitridi (GaN) ýokary ýygylykly we ýokary kuwwatly ulanylyşlar üçin deňsiz-taýsyz öndürijilik hödürleýär, bu bolsa ony täze nesil RF (Radio ýygylykly) öň uç modullary, LED çyralary we beýleki ýarymgeçiriji enjamlar üçin ideal materiala öwürýär.GaNÝokary elektrik häsiýetnamalary, şol sanda ýokary zolak aralygy, oňa däp bolan kremniý esasly enjamlara garanyňda ýokary döwülme naprýaženiýelerinde we temperaturalarynda işlemäge mümkinçilik berýär. GaN kremniýden has köp ulanylýarka, ol ýeňil, güýçli we netijeli materiallary talap edýän elektronikada öňe gidişlikleri öňe sürýär.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Safir plitalaryndaky GaN-iň häsiýetleri

● Ýokary netijelilik:GaN esasly enjamlar kremniý esasly enjamlara garanyňda bäş esse köp energiýa üpjün edýär we radioýaýlym güýçlendirmesi we optoelektronika ýaly dürli elektron ulanylyşlarda öndürijiligi ýokarlandyrýar.
●Giň zolak aralygy:GaN-yň giň zolak aralygy ýokary temperaturada ýokary netijeliligi üpjün edýär, bu bolsa ony ýokary kuwwatly we ýokary ýygylykly ulanyşlar üçin ideal edýär.
●Çydamlylyk:GaN-yň ekstremal şertlere (ýokary temperatura we radiasiýa) çydap bilmek ukyby agyr şertlerde uzak wagtlap işlemegi üpjün edýär.
●Kiçi ölçeg:GaN däp bolan ýarymgeçiriji materiallara garanyňda has kiçi we ýeňil enjamlary öndürmäge mümkinçilik berýär, bu bolsa has kiçi we has güýçli elektronikany döretmäge mümkinçilik berýär.

Abstrakt

Galliý nitridi (GaN) ýokary kuwwatlylygy we netijeliligi talap edýän öňdebaryjy ulanylyşlar, mysal üçin, RF öň uç modullary, ýokary tizlikli aragatnaşyk ulgamlary we LED yşyklandyryşy üçin saýlanan ýarymgeçiriji hökmünde öňe çykýar. Safir substratlarynda ösdürilip ýetişdirilen GaN epitaksial plastinkalary ýokary ýylylyk geçirijiliginiň, ýokary döwülme naprýaženiýesiniň we giň ýygylykly jogabyň utgaşmasyny hödürleýär, bu bolsa simsiz aragatnaşyk enjamlarynda, radarlarda we jammerlerde iň gowy iş üçin möhümdir. Bu plastinkalar dürli tehniki talaplara laýyk gelmek üçin dürli GaN galyňlyklary bilen 4 dýuým we 6 dýuým diametrlerde elýeterlidir. GaN-yň özboluşly häsiýetleri ony elektrik elektronikasynyň geljegi üçin esasy dalaşgär edýär.

Önümiň parametrleri

Önümiň aýratynlygy	Spesifikasiýa
Wafer diametri	50mm, 100mm, 50.8mm
Substrat	Sapfir
GaN gatlagynyň galyňlygy	0,5 μm - 10 μm
GaN görnüşi/doping	N-tip (P-tip isleg boýunça elýeterlidir)
GaN Kristal Ugury	<0001>
Jyllamagyň görnüşi	Bir taraply jilalanan (SSP), Iki taraply jilalanan (DSP)
Al2O3 galyňlygy	430 μm - 650 μm
TTV (Umumy galyňlygyň üýtgemegi)	≤ 10 μm
Ýaý	≤ 10 μm
Warp	≤ 10 μm
Ýüz meýdany	Ulanylýan ýer meýdany > 90%

Sorag-jogap

S1: GaN-y ulanmagyň däp bolan kremniý esasly ýarymgeçirijilere garanda esasy artykmaçlyklary näme?

A1GaN kremniýden birnäçe möhüm artykmaçlyklary hödürleýär, şol sanda has giň zolak aralygy, bu bolsa oňa ýokary döwülme naprýaženiýelerini dolandyrmaga we ýokary temperaturalarda netijeli işlemäge mümkinçilik berýär. Bu bolsa GaN-y RF modullary, güýç güýçlendirijileri we LED-ler ýaly ýokary kuwwatly, ýokary ýygylykly ulanylyşlar üçin ideal edýär. GaN-yň ýokary kuwwatlylyk dykyzlyklaryny dolandyrmaga ukyplylygy kremniý esasly alternatiwalara garanyňda has kiçi we has netijeli enjamlary döretmäge mümkinçilik berýär.

S2: Sapfir plitalaryndaky GaN MEMS (Mikro-Elektro-Mehaniki Ulgamlar) ulanylyşlarynda ulanylyp bilnermi?

A2Hawa, Sapphire plitalaryndaky GaN, esasanam ýokary güýç, temperatura durnuklylygy we pes ses talap edilýän ýerlerde MEMS ulanylyşlary üçin amatlydyr. Materialyň ýokary ýygylykly gurşawlarda berkligi we netijeliligi ony simsiz aragatnaşykda, duýujylykda we radar ulgamlarynda ulanylýan MEMS enjamlary üçin ideal edýär.

S3: Simsiz aragatnaşykda GaN-yň nähili mümkin ulanylyşlary bar?

A3GaN simsiz aragatnaşyk üçin RF front-end modullarynda, şol sanda 5G infrastrukturasynda, radar ulgamlarynda we dymdyryjylarda giňden ulanylýar. Onuň ýokary kuwwatlylyk dykyzlygy we ýylylyk geçirijiligi ony ýokary kuwwatly, ýokary ýygylykly enjamlar üçin ajaýyp edýär, bu bolsa kremniý esasly çözgütlere garanyňda has gowy öndürijiligi we kiçi görnüş faktorlaryny üpjün edýär.

S4: Sapfir waferlerinde GaN üçin eltip bermek möhleti we minimal sargyt mukdary näçe?

A4Eltip bermek möhleti we iň az sargyt mukdary waferiň ölçegine, GaN galyňlygyna we müşderiniň anyk talaplaryna baglylykda üýtgeýär. Siziň aýratynlyklaryňyza esaslanyp, jikme-jik bahalar we elýeterlilik barada maglumat almak üçin biziň bilen gönüden-göni habarlaşyň.

S5: GaN gatlagynyň galyňlygyny ýa-da lehimleme derejelerini öz islegime görä alyp bilerinmi?

A5Hawa, biz belli bir ulanylyş zerurlyklaryny kanagatlandyrmak üçin GaN galyňlygyny we lehimleme derejelerini özleşdirmegi hödürleýäris. Islegli aýratynlyklaryňyzy bize habar beriň, biz size özleşdirilen çözgüt hödürläris.