GaAs lazer epitaksial plastinkasy 4 dýuým 6 dýuým VCSEL dik boşluk ýüzüniň şöhle saçýan lazer tolkun uzynlygy 940nm ýeke birleşýän

Gysgaça düşündiriş:

Müşderi tarapyndan bellenen dizaýn Gigabit Ethernet lazer massiwleri ýokary deňlikli 6 dýuýmlyk plitalar 850/940nm merkezi optiki tolkun uzynlygy oksid çäklendirilen ýa-da proton implantasiýa edilen VCSEL sanly maglumat baglanyşyk aragatnaşyk, lazer syçanjygynyň elektrik we optiki häsiýetnamalary temperatura pes duýgurlyk. VCSEL-940 ýekelik çatrygy, adatça 940 nanometr töwereginde emissiýa tolkun uzynlygy bolan dik boşluk ýüzi emissiýa lazeridir (VCSEL). Şeýle lazerler adatça bir kwant guýusyndan ybarat bolup, netijeli ýagtylyk emissiýasyny üpjün edip bilýär. 940 nanometr tolkun uzynlygy ony infragyzyl spektrde dürli ulanyşlar üçin amatly edýär. Beýleki lazer görnüşleri bilen deňeşdirilende, VCsel-ler ýokary elektro-optiki öwrülme netijeliligine eýedir. VCSEL toplumy deňeşdirme boýunça kiçi we integrasiýa etmek aňsat. VCSEL-940-yň giňden ulanylmagy ony häzirki zaman tehnologiýasynda möhüm rol oýnamaga mejbur etdi.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

GaAs lazer epitaksial listiniň esasy häsiýetnamalaryna aşakdakylar girýär

1. Bir kesişli gurluş: Bu lazer, adatça, netijeli ýagtylyk çykaryşyny üpjün edip bilýän ýeke kwant guýusyndan ybarat bolýar.
2. Tolkun uzynlygy: 940 nm tolkun uzynlygy ony infragyzyl spektr diapazonynda, dürli ulanyşlar üçin amatly edýär.
3. Ýokary netijelilik: Lazerleriň beýleki görnüşleri bilen deňeşdirilende, VCSEL ýokary elektro-optiki konwersiýa netijeliligine eýedir.
4. Kompaktlyk: VCSEL bukjasy deňeşdirme boýunça kiçi we ony integrasiýa etmek aňsat.

5. Pes bosaga tok we ýokary netijelilik: Gömülen geterostrukturaly lazerler örän pes lazerleşdiriş bosaga tok dykyzlygyny (meselem, 4mA/sm²) we ýokary daşarky differensial kwant netijeliligini (meselem, 36%) görkezýär, çyzykly çykyş kuwwaty bolsa 15mW-dan geçýär.
6. Tolkun geçiriji režiminiň durnuklylygy: Gömülen geterostrukturaly lazer, döwülme görkezijisi boýunça dolandyrylýan tolkun geçiriji mehanizmi we dar işjeň zolak giňligi (takmynan 2μm) sebäpli tolkun geçiriji režiminiň durnuklylygynyň artykmaçlygyna eýedir.
7. Ajaýyp fotoelektrik öwrüliş netijeliligi: Epitaksial ösüş prosesini optimizirlemek arkaly içki ýitgileri azaltmak üçin ýokary içki kwantum netijeliligi we fotoelektrik öwrüliş netijeliligi gazanylyp bilner.
8. Ýokary ygtybarlylyk we ömür: ýokary hilli epitaksial ösüş tehnologiýasy önümiň ygtybarlylygyny we ömrüni ýokarlandyryp, ýüzüniň görnüşi gowy we kemçilikleriň dykyzlygy pes bolan epitaksial listleri taýýarlap bilýär.
9. Dürli ulanyşlar üçin amatly: GAAS esasyndaky lazer diodly epitaksial list optiki süýümli aragatnaşykda, senagat ulanyşlarynda, infragyzyl we fotodetektorlarda we beýleki ugurlarda giňden ulanylýar.

GaAs lazer epitaksial listiniň esasy ulanylyş usullary şulardan ybaratdyr

1. Optiki aragatnaşyk we maglumat aragatnaşygy: GaAs epitaksial plastinkalary optiki aragatnaşyk ulgamynda, esasanam ýokary tizlikli optiki aragatnaşyk ulgamlarynda, lazerler we detektorlar ýaly optoelektron enjamlary öndürmek üçin giňden ulanylýar.

2. Senagat ulanylyşlary: GaAs lazer epitaksial listleri senagat ulanylyşlarynda, mysal üçin, lazer bilen işlemek, ölçemek we duýmak ýaly möhüm ulanylyşlara eýedir.

3. Sarp ediji elektronikasy: Sarp ediji elektronikasynda GaAs epitaksial plastinkalary smartfonlarda we beýleki sarp ediji elektronikasynda giňden ulanylýan VCselleri (dik boşluk ýüzüni şöhlelendirýän lazerler) öndürmek üçin ulanylýar.

4. RF ulanylyşlary: GaAs materiallary RF ulgamynda uly artykmaçlyklara eýedir we ýokary öndürijilikli RF enjamlaryny öndürmek üçin ulanylýar.

5. Kwant nokat lazerleri: GAAS esasyndaky kwant nokat lazerleri aragatnaşyk, lukmançylyk we harby ugurlarda, esasanam 1,31 µm optiki aragatnaşyk zolagynda giňden ulanylýar.

6. Passiw Q açary: GaAs siňdirijisi passiw Q açary bolan diod bilen pompalanan gaty ýagdaýly lazerler üçin ulanylýar, ol mikro işleme, ölçeýji we mikrohirurgiýa üçin amatlydyr.

Bu ulanylyşlar GaAs lazer epitaksial plastinkalarynyň ýokary tehnologiýaly ulanylyşlaryň giň geriminde mümkinçiliklerini görkezýär.

XKH, müşderileriň talaplaryna laýyklykda dürli gurluşly we galyňlykly GaAs epitaksial waferlerini hödürleýär, olar VCSEL/HCSEL, WLAN, 4G/5G baza stansiýalary ýaly dürli ulanylyşlary öz içine alýar. XKH-nyň önümleri ýokary öndürijiligi we ygtybarlylygy üpjün etmek üçin ösen MOCVD enjamlary arkaly öndürilýär. Logistika babatda, biziň halkara çeşme kanallarymyzyň giň toplumy bar, sargytlaryň sanyny çeýe işläp bilýäris we inçelmek, segmentleşdirmek ýaly goşmaça gymmatly hyzmatlary hödürleýäris. Netijeli eltip bermek prosesleri wagtynda eltip bermegi üpjün edýär we müşderileriň hil we eltip bermek wagtlary boýunça talaplaryny kanagatlandyrýar. Gelenden soň, müşderiler önümiň rahat ulanylmaga berilmegini üpjün etmek üçin toplumlaýyn tehniki goldaw we satuwdan soňky hyzmat alyp bilerler.