LaA ýokary güýçli epitaksial wafli substrat gallium arsenid wafli kuwwatly lazer tolkun uzynlygy 905nm lazer bejergisi üçin

Gysga düşündiriş:

GaAs lazer epitaksial sahypasy, lazer ýaly optoelektron enjamlaryny öndürmek üçin ulanylýan galliý arsenid (GaAs) substratynda epitaksial ösüş tehnologiýasy arkaly emele gelen ýekeje kristal inçe film materialyna degişlidir.
GaAs 905 kuwwatly lazerler we GaAs ýokary güýçli epitaks çipleri galiý arsenid (GaAs) materiallaryna esaslanýan lazerler we köp ugurlarda giňden ulanylýar. MOCVD epitaksial wafli esasan ýokary güýçli lazer diodynda ulanylýar. InGaAs kwant guýusy işjeň gatlak hökmünde ulanylýar. Epitaksial wafli PL, XRD, ECV we beýleki synag usullary bilen derňelýär. GaAs 905 kuwwatly lazerler we GaAs ýokary güýçli epitaks çipleri, ýokary netijeliligi, ýokary kuwwatlylygy we ýylylyk öndürijiligi sebäpli lukmançylyk, senagat, ylmy gözleglerde we beýleki ugurlarda giňden ulanylýar we möhüm bazar bahasy we tehniki potensialyna eýe.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

GaAs lazer epitaksial sahypasynyň esasy aýratynlyklary:

1. highokary elektron hereketi: Gallium arsenidiniň ýokary elektron hereketi bar, bu bolsa GaAs lazer epitaksial wafli ýokary ýygylykly enjamlarda we ýokary tizlikli elektron enjamlarynda oňat amaly ýerine ýetirýär.
2. Göni zolakly geçiş lýumensensiýasy: Göni zolakly material hökmünde galliý arsenid elektrik energiýasyny optoelektron enjamlarynda ýeňil energiýa öwürip, lazer öndürmek üçin ideal edip biler.
3. Tolkun uzynlygy: GaAs 905 lazer, adatça 905 nm-de işleýär we biomedisina ýaly köp sanly amaly ýerine ýetirýär.
4. highokary netijelilik: ýokary fotoelektrik öwrülişi bilen elektrik energiýasyny lazer çykyşyna netijeli öwrüp biler.
5. powerokary kuwwatly çykyş: powerokary kuwwat çykaryşyny gazanyp biler we güýçli ýagtylyk çeşmesini talap edýän amaly ssenariler üçin amatlydyr.
6. Gowy ýylylyk öndürijiligi: GaAs materialy gowy ýylylyk geçirijiligine eýe bolup, lazeriň işleýiş temperaturasyny peseltmäge we durnuklylygy ýokarlandyrmaga kömek edýär.
7. Giňişleýin sazlaşyk: Çykyş güýji, dürli programma talaplaryna uýgunlaşmak üçin sürüjiniň tokyny üýtgedip sazlanyp bilner.

GaAs lazer epitaksial planşetleriniň esasy goşundylary:

1. Optiki süýüm aragatnaşygy: GaAs lazer epitaksial list, ýokary tizlikli we uzak aralyk optiki signal geçirişini gazanmak üçin optiki süýüm aragatnaşygynda lazer öndürmek üçin ulanylyp bilner.

2. Senagat goşundylary: Senagat pudagynda GaAs lazer epitaksial listleri lazer aralygy, lazer belligi we beýleki goşundylar üçin ulanylyp bilner.

4. Infragyzyl we ýer meýdany: GaAs lazer epitaksial listi infragyzyl lazerleri, spot generatorlaryny we beýleki enjamlary öndürmek üçin hem ulanylyp bilner, infragyzyl kesgitlemekde, ýagty displeýde we beýleki meýdanlarda möhüm rol oýnaýar.

GaAs lazer epitaksial sahypasynyň taýýarlanmagy esasan epitaksial ösüş tehnologiýasyna, şol sanda metal-organiki himiki bug buglanyşyna (MOCVD), molekulýar şöhle epitaksial (MBE) we beýleki usullara baglydyr. Bu usullar ýokary hilli GaAs lazer epitaksial listlerini almak üçin epitaksial gatlagyň galyňlygyny, düzümini we kristal gurluşyny takyk dolandyryp biler.

XKH, optiki aragatnaşyk, VCSEL, infragyzyl we ýeňil ýer meýdanlarynda köp sanly programmany öz içine alýan dürli gurluşlarda we galyňlykda GaAs epitaksial listlerini özleşdirmegi hödürleýär. XKH önümleri ýokary öndürijiligi we ygtybarlylygy üpjün etmek üçin ösen MOCVD enjamlary bilen öndürilýär. Logistika nukdaýnazaryndan, XKH sargytlaryň sanyny çeýe dolandyryp bilýän we arassalamak we bölmek ýaly goşmaça hyzmatlary berip bilýän halkara çeşme kanallarynyň giň toparyna eýedir. Netijeli gowşuryş amallary wagtynda eltilmegini üpjün edýär we hil we gowşuryş wagtlary üçin müşderileriň talaplaryny kanagatlandyrýar. Müşderiler önümiň oňat ulanylmagyny üpjün etmek üçin gelenden soň giňişleýin tehniki goldawy we satuwdan soňky hyzmaty alyp bilerler.