Lazerli lukmançylyk bejergisi üçin GaAs ýokary kuwwatly epitaksial wafer substraty galliý arsenid wafer güýji lazer tolkun uzynlygy 905nm

Gysgaça düşündiriş:

GaAs lazer epitaksial list, lazer ýaly optoelektron enjamlary öndürmek üçin ulanylýan galliý arsenid (GaAs) substratynda epitaksial ösüş tehnologiýasy arkaly emele gelen bir kristally inçe plýonka materialyny aňladýar.
GaAs 905 kuwwatly lazerler we GaAs ýokary kuwwatly epitaksiýa çipleri galliý arsenid (GaAs) materiallaryna esaslanýan lazerlerdir we köp pudaklarda giňden ulanylýar. MOCVD epitaksiýa waferi esasan ýokary kuwwatly lazer diodlarynda ulanylýar. InGaAs kwantum guýusy işjeň gatlak hökmünde ulanylýar. Epitaksiýa waferi PL, XRD, ECV we beýleki synag usullary arkaly seljerilýär. GaAs 905 kuwwatly lazerler we GaAs ýokary kuwwatly epitaksiýa çipleri ýokary netijeliligi, ýokary kuwwatly çykyşy we gowy termal görkezijileri sebäpli lukmançylykda, senagatda, ylmy barlaglarda we beýleki pudaklarda giňden ulanylýar we möhüm bazar gymmatyna we tehniki mümkinçiliklerine eýedir.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

GaAs lazer epitaksial listiniň esasy aýratynlyklaryna aşakdakylar girýär:

1. Ýokary elektron hereketliligi: Galliý arsenidiniň ýokary elektron hereketliligi bar, bu bolsa GaAs lazer epitaksial plitalarynyň ýokary ýygylykly enjamlarda we ýokary tizlikli elektron enjamlarda gowy ulanylyşyny üpjün edýär.
2. Göni zolak aralygynyň geçiş lüminesensiýasy: Göni zolak aralygy material hökmünde galliý arsenid optoelektron enjamlarda elektrik energiýasyny ýagtylyk energiýasyna netijeli öwrüp bilýär, bu bolsa ony lazer öndürmek üçin amatly edýär.
3. Tolkun uzynlygy: GaAs 905 lazerleri adatça 905 nm-de işleýär, bu bolsa olary biolukmançylyk ýaly köp sanly ulanylyşlar üçin amatly edýär.
4. Ýokary netijelilik: ýokary fotoelektrik konwersiýa netijeliligi bilen, elektrik energiýasyny lazer çykyşyna netijeli öwrüp bilýär.
5. Ýokary kuwwatlylyk çykyşy: Ol ýokary kuwwatlylyk çykyşyny gazanyp bilýär we güýçli ýagtylyk çeşmesini talap edýän ulanyş senariýalary üçin amatlydyr.
6. Gowy termal görkeziji: GaAs materialy gowy termal geçirijilige eýedir, bu bolsa lazeriň iş temperaturasyny peseltmäge we durnuklylygy gowulandyrmaga kömek edýär.
7. Giň sazlanyş mümkinçiligi: Çykyş kuwwatyny dürli ulanyş talaplaryna uýgunlaşdyrmak üçin hereketlendirijiniň tokuny üýtgetmek arkaly sazlap bolýar.

GaAs lazer epitaksial tabletkalarynyň esasy ulanylyş ugurlary:

1. Optiki süýümli aragatnaşyk: GaAs lazer epitaksial list ýokary tizlikli we uzak aralyklara optiki signal geçirijiligini üpjün etmek üçin optiki süýümli aragatnaşykda lazer öndürmek üçin ulanylyp bilner.

2. Senagat ulanylyşlary: Senagat ulgamynda GaAs lazer epitaksial listleri lazer aralygyny kesgitlemek, lazer belligi we beýleki ulanylyşlar üçin ulanylyp bilner.

3. VCSEL: Dik boşluk ýüzüni şöhlelendirýän lazer (VCSEL) optiki aragatnaşykda, optiki saklamakda we optiki duýuşda giňden ulanylýan GaAs lazer epitaksial listiniň möhüm ulanylyş ugrydyr.

4. Infragyzyl we nokatly meýdan: GaAs lazer epitaksial list infragyzyl lazerleri, nokatly generatorlary we beýleki enjamlary öndürmek üçin hem ulanylyp bilner, infragyzyl anyklaýyşda, ýagtylyk görkezilişinde we beýleki ugurlarda möhüm rol oýnaýar.

GaAs lazer epitaksial listini taýýarlamak, esasan, metal-organik himiki bug çökündisi (MOCVD), molekulýar şöhle epitaksial (MBE) we beýleki usullary öz içine alýan epitaksial ösüş tehnologiýasyna baglydyr. Bu usullar ýokary hilli GaAs lazer epitaksial listlerini almak üçin epitaksial gatlagyň galyňlygyny, düzümini we kristal gurluşyny takyk gözegçilikde saklap bilýär.

XKH optiki aragatnaşykda, VCSEL-de, infragyzyl we ýagtylyk nokatly meýdanlarda dürli ulanylyşlary öz içine alýan dürli gurluşlarda we galyňlyklarda GaAs epitaksial listleriniň özleşdirilmegini hödürleýär. XKH-nyň önümleri ýokary öndürijiligi we ygtybarlylygy üpjün etmek üçin ösen MOCVD enjamlary bilen öndürilýär. Logistika babatda XKH-da sargytlaryň sanyny çeýe işläp bilýän we kämilleşdirme we böleklere bölmek ýaly goşmaça gymmatly hyzmatlary hödürleýän giň halkara çeşme kanallary bar. Netijeli eltip berme prosesleri wagtynda eltip bermegi üpjün edýär we müşderileriň hil we eltip berme wagty boýunça talaplaryny kanagatlandyrýar. Müşderiler önümiň rahat ulanylmaga berilmegini üpjün etmek üçin gelenlerinden soň toplumlaýyn tehniki goldaw we satuwdan soňky hyzmat alyp bilerler.