Elektrod Safir Substraty we Wafer C-tekizlik LED Substratlary

Gysgaça düşündiriş:

Sapfir tehnologiýasynyň yzygiderli täzelenmegine we ulanyş bazarynyň çalt giňelmegine esaslanyp, önümçilikde ulanmakdaky özboluşly artykmaçlyklary sebäpli 4 dýuýmlyk we 6 dýuýmlyk substrat plitalary esasy çip kompaniýalary tarapyndan has köp kabul ediler.


Aýratynlyklar

Spesifikasiýa

UMUMY

Himiki formula

Al2O3

Kristal gurluşy

Altyburçluk Sistema (hk o 1)

Birlik öýjük ölçegi

a = 4.758 Å, Å c = 12.991 Å, c: a = 2.730

FIZIKI

 

Metrik

Iňlis (Imperiýa)

Dykyzlyk

3.98 g/sm³

0.144 lb/in³

Gatylyk

1525 - 2000 Knoop, 9 mhos

3700° F

Ereme Nokady

2310 K (2040° C)

 

GURLUŞYK

Dartgynlylyk güýji

275 MPa-dan 400 MPa-a çenli

40,000-den 58,000 psi-e çenli

20° C-de dartgynlylyk güýji

 

58,000 psi (dizaýn min.)

500° C-de dartgynlylyk güýji

 

40,000 psi (dizaýn min.)

1000° C-de dartgynlylyk güýji

355 MPa

52,000 psi (dizaýn min.)

Bükülme berkligi

480 MPa-dan 895 MPa-a çenli

70,000-den 130,000 psi-e çenli

Sykyş güýji

2.0 GPa (soňky)

300,000 psi (soňky)

Safir ýarymgeçiriji zynjyr substraty hökmünde

Inçe sapfir plitalary, sapfir üstünde kremniý (SOS) diýlip atlandyrylýan integral mikrosxemalary öndürmek üçin kremniý goýlan izolýasiýa substratynyň ilkinji üstünlikli ulanylyşy boldy. Ajaýyp elektrik izolýasiýa häsiýetlerinden başga-da, sapfir ýokary ýylylyk geçirijiligine eýedir. Sapfir üstünde CMOS çipleri, esasanam, ykjam telefonlar, jemgyýetçilik howpsuzlyk radiolary we hemra aragatnaşyk ulgamlary ýaly ýokary kuwwatly radio ýygylygy (RF) ulanylyşlary üçin amatlydyr.

Bir kristally sapfir plitalary ýarymgeçiriji senagatynda galliý nitridi (GaN) esasyndaky enjamlary ösdürmek üçin substrat hökmünde hem ulanylýar. Sapfiriň ulanylmagy çykdajylary ep-esli azaldýar, sebäbi ol germaniniň bahasynyň takmynan 1/7 bölegine deňdir. Sapfirdäki GaN köplenç gök yşyk çykarýan diodlarda (LED) ulanylýar.

Penjire materialy hökmünde ulanyň

Sintetiki sapfir (käwagt sapfir aýnasy diýlip atlandyrylýar) köplenç penjire materialy hökmünde ulanylýar, sebäbi ol 150 nm (ultrabinafşe) we 5500 nm (infragyzyl) tolkun uzynlyklaryndaky ýagtylygyň ýokary derejede açyklygydyr (görünýän spektr takmynan 380 nm-den 750 nm-e çenli üýtgeýär) we dyrnaklanmaga örän ýokary garşylyga eýedir. Sapfir penjireleriniň esasy artykmaçlyklary

Goşmak

UV şöhlesinden infragyzyl ýagtylyga çenli örän giň optiki geçirijilik zolagy

Beýleki optik materiallardan ýa-da aýna penjirelerden has berk

Çyzgylanmaga we aşynmaga ýokary derejede çydamly (Mohs şkalasy boýunça 9 mineral gatylygy, tebigy maddalaryň arasynda diňe almaz we moissanitden soň ikinji orunda durýar)

Örän ýokary ereme nokady (2030°C)

Jikme-jik diagramma

Elektrod Safir Substraty we Wafer (1)
Elektrod Safir Substraty we Wafer (2)

  • Öňki:
  • Indiki:

  • Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň