Dia150mm 4H-N 6inch SiC substrat Önümçilik we gödek derejesi

Dia150mm 4H-N 6inch SiC substrat Önümçilik we gödek derejeli Aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

Silikon karbid (SiC) IV-IV toparyň ikilik birleşmesi, döwürleýin tablisanyň IV toparyndaky ýeke-täk durnukly birleşme we möhüm ýarymgeçiriji materialdyr.Ajaýyp ýylylyk, mehaniki, himiki we elektrik aýratynlyklaryna eýedir, diňe bir ýokary hilli materiallaryň biri bolan ýokary temperaturaly, ýokary ýygylykly, güýçli elektron enjamlaryny öndürmek bilen çäklenmän, substrat material hökmünde hem ulanylyp bilner. GaN gök ýagtylyk diodlarynda.Häzirki wagtda 4H esasly substrat kremniy karbid üçin ulanylýan geçiriji görnüş ýarym izolýasiýa görnüşine (dopirlenmedik, dopirlenmedik) we N görnüşine bölünýär.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

6 dýuým kremniy karbid mosfet wafli esasy aýratynlyklary aşakdakylardyr ;.

Volokary woltly çydamlylyk: Silikon karbidiň ýokary bölüniş elektrik meýdany bar, şonuň üçin 6 dýuým kremniý karbid mosfet wafli ýokary woltly çydamlylyk ukybyna eýe, ýokary woltly amaly ssenariýalaryna laýyk gelýär.

Currentokary tok dykyzlygy: Silikon karbidiň uly elektron hereketi bar, 6 dýuým kremniy karbid mosfet wafli has uly toklara garşy durmak üçin has köp dykyzlygy döredýär.

Operatingokary işleýiş ýygylygy: Silikon karbid göterijiniň hereketi pes, 6 dýuým kremniy karbid mosfet wafli ýokary ýygylykly amaly ssenariýalaryna laýyk gelýän ýokary iş ýygylygyna eýe.

Gowy ýylylyk durnuklylygy: Silikon karbid ýokary ýylylyk geçirijiligine eýe bolup, 6 dýuým kremniý karbid mosfet wafli ýokary temperatura şertlerinde henizem gowy öndürijilik edýär.

6 dýuým kremniý karbid mosfet wafli aşakdaky ugurlarda giňden ulanylýar: gün inwertorlary, täze energiýa ulagy zarýad bermek, demirýol transporty, ýokary tizlikli howa kompressory ýaly transformatorlar, düzedijiler, inwertorlar, güýç güýçlendirijileri we ş.m. ýangyç öýjügi, DC-DC öwrüjisi (DCDC), elektrik ulagynyň hereketlendirijisi we maglumat merkezleri we beýleki amaly goşundylar bilen beýleki sebitlerde sanlylaşdyrma tendensiýalary.

4H-N 6inch SiC substraty, dürli derejeli substrat aksiýa wafli bilen üpjün edip bileris.Şeýle hem, islegleriňize görä özleşdirmegi tertipläp bileris.Gözleg üçin hoş geldiňiz!