Custöriteleşdirilen GaN-on-SiC epitaksial wafli (100mm, 150mm) - Birnäçe SiC substrat görnüşi (4H-N, HPSI, 4H / 6H-P)
Aýratynlyklary
● Epitaksial gatlak galyňlygy: Özbaşdak düzülip bilner1.0 µmto3,5 mk, ýokary güýç we ýygylyk öndürijiligi üçin optimallaşdyrylan.
● SiC substrat görnüşleri: Dürli SiC substratlary bar, şol sanda:
- 4H-N: Frequokary ýygylykly, ýokary güýçli programmalar üçin ýokary hilli azot doply 4H-SiC.
- HPSI: Elektrik izolýasiýasyny talap edýän programmalar üçin ýokary arassa ýarym izolýasiýa SiC.
- 4H / 6H-P: Efficiencyokary netijelilik we ygtybarlylyk deňagramlylygy üçin 4H we 6H-SiC garyndy.
● Wafer ölçegleri: Elýeterli100mmwe150mmEnjamyň masştabynda we integrasiýasynda köpugurlylygyň diametrleri.
● Breakokary naprýa .eniýe naprýa .eniýesi: SiC tehnologiýasyndaky GaN ýokary güýçli naprýa .eniýe üpjün edýär, ýokary güýçli programmalarda ygtybarly işlemäge mümkinçilik berýär.
● Highokary ýylylyk geçirijiligi: SiC-iň mahsus ýylylyk geçirijiligi (takmynan 490 W / m · K.) güýç sarp edýän programmalar üçin ajaýyp ýylylygyň ýaýramagyny üpjün edýär.
Tehniki aýratynlyklar
| Parametr | Gymmatlyk |
| Wafer diametri | 100mm, 150mm |
| Epitaksial gatlak galyňlygy | 1,0 µm - 3,5 µm (düzülip bilner) |
| SiC substrat görnüşleri | 4H-N, HPSI, 4H / 6H-P |
| SiC ýylylyk geçirijiligi | 490 W / m · K. |
| SiC çydamlylygy | 4H-N: 10 ^ 6 Ω · sm,HPSI: Insarym izolýasiýa,4H / 6H-P: Garylan 4H / 6H |
| GaN gatlak galyňlygy | 1.0 µm - 2.0 µm |
| GaN daşaýjy konsentrasiýasy | 10 ^ 18 sm ^ -3-den 10 ^ 19 sm ^ -3 (düzülip bilner) |
| Waferiň üstki hili | RMS gödekligi: <1 nm |
| Dislokasiýa dykyzlygy | <1 x 10 ^ 6 sm ^ -2 |
| Wafer ýaý | <50 µm |
| Wafer tekizligi | <5 µm |
| Iň ýokary iş temperaturasy | 400 ° C (GaN-on-SiC enjamlary üçin adaty) |
Goýmalar
● Elektroniki enjamlar:GaN-on-SiC wafli ýokary netijeliligi we ýylylygyň ýaýramagyny üpjün edýär, bu güýç güýçlendirijileri, kuwwat öwrüji enjamlary we elektrik ulaglarynda, täzelenip bilýän energiýa ulgamlarynda we senagat tehnikalarynda ulanylýan güýç inwertory zynjyrlary üçin ideal bolýar.
Power RF güýçlendiriji:GaN we SiC-iň kombinasiýasy, telekommunikasiýa, hemra aragatnaşygy we radar ulgamlary ýaly ýokary ýygylykly, ýokary güýçli RF programmalary üçin ajaýyp.
● Aerokosmos we goranmak:Bu wafli, howa şertlerinde we agyr şertlerde işläp bilýän ýokary öndürijilikli elektronikany we aragatnaşyk ulgamlaryny talap edýän howa we goranyş tehnologiýalary üçin amatlydyr.
● Awtoulag programmalary:Elektrik ulaglarynda (EV), gibrid ulaglarda (HEV) we zarýad beriş stansiýalarynda ýokary öndürijilikli elektrik ulgamlary üçin amatly, güýçli öwrülişi we gözegçiligi üpjün edýär.
● Harby we radar ulgamlary:GaN-on-SiC wafli, ýokary netijeliligi, kuwwat bilen işlemek ukyby we talap edilýän şertlerde ýylylyk öndürijiligi üçin radar ulgamlarynda ulanylýar.
● Mikrotolkun we millimetr-tolkun programmalary:5G-ni öz içine alýan indiki nesil aragatnaşyk ulgamlary üçin GaN-on-SiC ýokary güýçli mikrotolkun we millimetr tolkun diapazonlarynda iň amatly öndürijiligi üpjün edýär.
Sowal-jogap
1-nji sorag: SiC-ni GaN üçin substrat hökmünde ulanmagyň artykmaçlyklary näme?
A1:Silikon Karbid (SiC) kremniý ýaly adaty substratlar bilen deňeşdirilende has ýokary ýylylyk geçirijiligini, ýokary bölüniş naprýa .eniýesini we mehaniki güýjini hödürleýär. Bu, GaN-on-SiC wafli ýokary güýçli, ýokary ýygylykly we ýokary temperaturaly programmalar üçin ideal edýär. SiC substraty, ygtybarlylygy we öndürijiligi ýokarlandyryp, GaN enjamlary tarapyndan öndürilýän ýylylygy ýaýratmaga kömek edýär.
2-nji sorag: Epitaksial gatlagyň galyňlygyny aýratyn programmalar üçin düzüp bolarmy?
A2:Hawa, epitaksial gatlagyň galyňlygyny birneme aralykda düzüp bolýar1,0 µm-dan 3,5 mkm, programmaňyzyň güýjüne we ýygylyk talaplaryna baglylykda. Güýç güýçlendirijileri, RF ulgamlary ýa-da ýokary ýygylykly zynjyrlar ýaly aýratyn enjamlar üçin öndürijiligi optimizirlemek üçin GaN gatlagynyň galyňlygyny düzüp bileris.
3-nji sorag: 4H-N, HPSI we 4H / 6H-P SiC substratlarynyň arasynda näme tapawut bar?
A3:
- 4H-N: Azot doply 4H-SiC, ýokary elektron öndürijiligini talap edýän ýokary ýygylykly programmalar üçin köplenç ulanylýar.
- HPSI: Pokary arassalyk ýarym izolýasiýa SiC, iň az elektrik geçirijiligini talap edýän programmalar üçin ideal elektrik izolýasiýasyny üpjün edýär.
- 4H / 6H-P: 4H we 6H-SiC garyndysy, öndürijiligi deňleşdirýär, ýokary netijelilik we berklik kombinasiýasyny hödürleýär, dürli güýç elektronik programmalary üçin amatly.
4-nji sorag: Bu GaN-on-SiC wafli elektrik ulaglary we täzelenip bilýän energiýa ýaly ýokary kuwwatly programmalar üçin amatlymy?
A4:Hawa, “GaN-on-SiC” wafli elektrik ulaglary, gaýtadan dikeldilýän energiýa we senagat ulgamlary ýaly ýokary güýçli programmalar üçin amatlydyr. GaN-on-SiC enjamlarynyň ýokary bölek naprýa .eniýesi, ýokary ýylylyk geçirijiligi we kuwwat bilen işlemek mümkinçilikleri, elektrik öwrülişini we dolandyryş zynjyrlaryny talap etmekde netijeli işlemäge mümkinçilik berýär.
5-nji sorag: Bu wafli üçin adaty ýerleşiş dykyzlygy nämeden ybarat?
A5:Bu GaN-on-SiC waflleriniň ýerleşiş dykyzlygy adatça<1 x 10 ^ 6 sm ^ -2, ýokary hilli epitaksial ösüşi üpjün edýär, kemçilikleri azaldýar we enjamyň işleýşini we ygtybarlylygyny ýokarlandyrýar.
6-njy sorag: Belli bir wafli ululygyny ýa-da SiC substrat görnüşini sorap bilerinmi?
A6:Hawa, programmaňyzyň aýratyn zerurlyklaryny kanagatlandyrmak üçin ýöriteleşdirilen wafli ululyklary (100mm we 150mm) we SiC substrat görnüşlerini (4H-N, HPSI, 4H / 6H-P) hödürleýäris. Goşmaça özleşdirmek opsiýalary we talaplaryňyzy ara alyp maslahatlaşmak üçin biziň bilen habarlaşmagyňyzy haýyş edýäris.
7-nji sorag: GaN-on-SiC wafli ekstremal şertlerde nähili işleýär?
A7:GaN-on-SiC wafli, ýokary ýylylyk durnuklylygy, ýokary kuwwatlylygy we ajaýyp ýylylyk paýlamak mümkinçilikleri sebäpli aşa gurşaw üçin amatlydyr. Bu wafli howa giňişliginde, goranyşda we senagat önümçiliginde köplenç duş gelýän ýokary temperaturaly, ýokary güýçli we ýokary ýygylykly şertlerde gowy ýerine ýetirýär.
Netije
Customöriteleşdirilen GaN-on-SiC Epitaxial Wafers, ýokary güýçli we ýokary ýygylykly programmalarda has ýokary öndürijilik üpjün etmek üçin GaN we SiC-iň ösen häsiýetlerini birleşdirýär. Birnäçe SiC substrat opsiýalary we özleşdirilip bilinýän epitaksial gatlaklary bilen bu wafli ýokary netijeliligi, termiki dolandyryşy we ygtybarlylygy talap edýän pudaklar üçin amatlydyr. Elektrik elektronikasy, RF ulgamlary ýa-da gorag programmalary üçin bolsun, GaN-on-SiC wafli size zerur öndürijiligi we çeýeligi hödürleýär.
Jikme-jik diagramma
