Özleşdirilen GaN-on-SiC epitaksial plitalary (100mm, 150mm) – Birnäçe SiC substrat opsiýalary (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Gysgaça düşündiriş:

Biziň öz islegimize görä taýýarlanan GaN-on-SiC epitaksial plitalarymyz Galliý nitridiniň (GaN) ajaýyp häsiýetlerini berk ýylylyk geçirijiligi we mehaniki güýji bilen utgaşdyrmak arkaly ýokary kuwwatly, ýokary ýygylykly ulanylyşlar üçin has ýokary öndürijilik hödürleýär.Kremniý karbidi (SiC)100 mm we 150 mm wafli ölçeglerinde elýeterli bolan bu wafliler elektrik elektronikasy, RF güýçlendirijileri we beýleki ösen ýarymgeçiriji enjamlar üçin anyk talaplara laýyk gelýän dürli SiC substrat opsiýalarynda, şol sanda 4H-N, HPSI we 4H/6H-P görnüşlerinde gurulýar. Özboluşly epitaksial gatlaklar we özboluşly SiC substratlary bilen waflilerimiz senagat ulgamlarynda talap edilýän ýokary netijeliligi, termal dolandyryşy we ygtybarlylygy üpjün etmek üçin niýetlenendir.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

●Epitaksial gatlagyň galyňlygy: Özleşdirip bolýar1.0 µm-a3.5 µm, ýokary kuwwatly we ýygylykly iş üçin optimizirlenen.

●SiC substratynyň opsiýalaryDürli SiC substratlary bilen elýeterli, şol sanda:

4H-NÝokary ýygylykly, ýokary kuwwatly ulanylyşlar üçin ýokary hilli azot bilen lehimlenen 4H-SiC.
HPSIElektrik izolýasiýasyny talap edýän ulanylyşlar üçin ýokary arassalykly ýarym izolýasiýaly SiC.
4H/6H-PÝokary netijelilik we ygtybarlylyk deňagramlylygy üçin 4H we 6H-SiC garyşyk.

●Wafliniň ölçegleri: Elýeterli100 mmwe150 mmenjamyň ölçeglerini ölçeklemekde we integrasiýasynda köpugurlylyk üçin diametrler.

●Ýokary döwülme naprýaženiýesiSiC tehnologiýasyndaky GaN ýokary derejeli döwülme naprýaženiýesini üpjün edýär we ýokary kuwwatly ulanylyşlarda ygtybarly işlemegi üpjün edýär.

● Ýokary ýylylyk geçirijiligiSiC-niň özüne mahsus ýylylyk geçirijiligi (takmynan 490 W/m·K) energiýany köp sarp edýän ulanylyşlar üçin ajaýyp ýylylyk ýaýramagyny üpjün edýär.

Tehniki aýratynlyklar

Parametr	Bahasy
Wafer diametri	100mm, 150mm
Epitaksial gatlagyň galyňlygy	1.0 µm – 3.5 µm (özgertme arkaly)
SiC substratynyň görnüşleri	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
SiC Termal Geçirijiligi	490 W/m·K
SiC garşylygy	4H-N: 10^6 Ω·sm,HPSIÝarym izolýasiýa ediji,4H/6H-P: Garyşyk 4H/6H
GaN gatlagynyň galyňlygy	1.0 µm – 2.0 µm
GaN daşaýjy konsentrasiýasy	10^18 sm^-3-den 10^19 sm^-3-e çenli (özleşdirip bolýar)
Wafer ýüzüniň hili	RMS gödekligi: < 1 nm
Çykyşyň dykyzlygy	< 1 x 10^6 sm^-2
Wafer Bow	< 50 µm
Wafer tekizligi	< 5 µm
Maksimum işleýiş temperaturasy	400°C (GaN-on-SiC enjamlary üçin adaty)

Programmalar

●Elektrikli elektronika:GaN-on-SiC plitalary ýokary netijeliligi we ýylylyk paýlanyşyny üpjün edýär, bu bolsa olary elektrik ulaglarynda, gaýtadan dikeldilýän energiýa ulgamlarynda we senagat enjamlarynda ulanylýan güýç güýçlendirijileri, güýç öwüriji enjamlar we güýç-inwertor zynjyrlary üçin ideal edýär.
●RF güýç güýçlendirijileri:GaN we SiC-niň utgaşmasy telekommunikasiýa, hemra aragatnaşygy we radar ulgamlary ýaly ýokary ýygylykly, ýokary kuwwatly RF ulanylyşlary üçin ajaýypdyr.
●Aerokosmos we Goranmak:Bu waferler agyr şertlerde işläp bilýän ýokary öndürijilikli elektrik elektronikasyny we aragatnaşyk ulgamlaryny talap edýän aerokosmos we goranyş tehnologiýalary üçin amatlydyr.
●Awtoulag ulanylyşlary:Elektrik awtoulaglarynda (EV), gibrid awtoulaglarda (HEV) we zarýad beriş stansiýalarynda ýokary öndürijilikli energiýa ulgamlary üçin ideal bolup, energiýany netijeli öwürmegi we dolandyrmagy üpjün edýär.
●Harby we radar ulgamlary:GaN-on-SiC plitalary ýokary netijeliligi, güýç bilen işlemegiň mümkinçilikleri we kyn şertlerde termal işlemegi üçin radar ulgamlarynda ulanylýar.
●Mikrotolkunly we millimetr tolkunly peçleriň ulanylyşy:5G ýaly täze nesil aragatnaşyk ulgamlary üçin GaN-on-SiC ýokary kuwwatly mikrotolkunly we millimetr tolkun diapazonlarynda iň gowy öndürijiligi üpjün edýär.

Sorag-jogap

S1: SiC-ni GaN üçin substrat hökmünde ulanmagyň peýdalary nämeler?

A1:Kremniý karbidi (SiC) kremniý ýaly däp bolan substratlara garanyňda ýokary ýylylyk geçirijiligini, ýokary dargama woltlylygyny we mehaniki berkligi hödürleýär. Bu bolsa GaN-on-SiC waferlerini ýokary kuwwatly, ýokary ýygylykly we ýokary temperaturaly ulanyşlar üçin ideal edýär. SiC substraty GaN enjamlary tarapyndan öndürilýän ýylylygy dargatmaga kömek edýär, ygtybarlylygy we öndürijiligi ýokarlandyrýar.

S2: Epitaksial gatlagyň galyňlygyny belli bir ulanylyşlar üçin sazlap bolýarmy?

A2:Hawa, epitaksial gatlagyň galyňlygyny belli bir aralykda sazlap bolýar1.0 µm-den 3.5 µm-e çenli, programmanyňyzyň güýç we ýygylyk talaplaryna baglylykda. Biz GaN gatlagynyň galyňlygyny güýç güýçlendirijileri, RF ulgamlary ýa-da ýokary ýygylykly zynjyrlar ýaly belli enjamlar üçin öndürijiligi optimizirlemek üçin sazlap bileris.

S3: 4H-N, HPSI we 4H/6H-P SiC substratlarynyň arasyndaky tapawut näme?

A3:

4H-NAzot bilen lehimlenen 4H-SiC, ýokary elektron öndürijiligini talap edýän ýokary ýygylykly ulanyşlar üçin giňden ulanylýar.
HPSIÝokary arassa ýarym izolýasiýaly SiC elektrik izolýasiýasyny üpjün edýär, minimal elektrik geçirijiligini talap edýän ulanyşlar üçin idealdyr.
4H/6H-P: Dürli elektrik elektronikasy ulanylyşlary üçin amatly, ýokary netijeliligiň we berkligiň utgaşmasyny hödürleýän, öndürijiligi deňleşdirýän 4H we 6H-SiC garyndysy.

S4: Bu GaN-on-SiC waferleri elektrik awtoulaglary we gaýtadan dikeldilýän energiýa ýaly ýokary kuwwatly ulanylyşlar üçin amatlymy?

A4:Hawa, GaN-on-SiC plitalary elektrik ulaglary, gaýtadan dikeldilýän energiýa we senagat ulgamlary ýaly ýokary kuwwatly ulanylyşlar üçin gowy amatlydyr. GaN-on-SiC enjamlarynyň ýokary döwülme woltlylygy, ýokary ýylylyk geçirijiligi we energiýany dolandyrmak mümkinçilikleri olaryň talap edilýän energiýa öwrülme we dolandyryş zynjyrlarynda netijeli işlemegine mümkinçilik berýär.

S5: Bu plastinalar üçin adaty dislokasiýa dykyzlygy näçe?

A5:Bu GaN-on-SiC plitalarynyň dislokasiýa dykyzlygy adatça şeýle bolýar< 1 x 10^6 sm^-2, bu bolsa ýokary hilli epitaksial ösüşi üpjün edýär, kemçilikleri azaldýar we enjamyň işini we ygtybarlylygyny ýokarlandyrýar.

S6: Men belli bir wafer ölçegini ýa-da SiC substrat görnüşini sorap bilerinmi?

A6:Hawa, biz siziň ulanyşyňyzyň aýratyn zerurlyklaryny kanagatlandyrmak üçin özleşdirilen wafer ölçeglerini (100mm we 150mm) we SiC substrat görnüşlerini (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) hödürleýäris. Goşmaça özleşdirme opsiýalary we talaplaryňyzy ara alyp maslahatlaşmak üçin biziň bilen habarlaşyň.

S7: GaN-on-SiC waferleri ekstremal şertlerde nähili işleýär?

A7:GaN-on-SiC waferleri ýokary termal durnuklylygy, ýokary kuwwatly işlemegi we ajaýyp ýylylyk ýaýratmak ukyplary sebäpli ekstremal gurşawlar üçin amatlydyr. Bu waferler awiakosmos, goranmak we senagat ulanylyşlarynda köp duş gelýän ýokary temperatura, ýokary kuwwatly we ýokary ýygylykly şertlerde gowy işleýär.

Netije

Biziň özleşdirilen GaN-on-SiC epitaksial plitalarymyz ýokary kuwwatly we ýokary ýygylykly ulanylyşlarda ýokary öndürijiligi üpjün etmek üçin GaN we SiC-niň ösen häsiýetlerini birleşdirýär. Köp sanly SiC substrat opsiýalary we özleşdirip bolýan epitaksial gatlaklary bilen bu plitalar ýokary netijeliligi, termal dolandyryşy we ygtybarlylygy talap edýän pudaklar üçin idealdyr. Energetika elektronikasy, RF ulgamlary ýa-da goranyş ulanylyşlary üçin bolsun, biziň GaN-on-SiC plitalarymyz size gerek bolan öndürijiligi we çeýeligi hödürleýär.