Güýçli elektronika üçin ýörite N görnüşli SiC tohum substraty Dia153/155mm

Elektrik elektronikasy üçin ýörite N görnüşli SiC tohum substraty Diametri 153/155mm Görkezilen surat

Gysgaça düşündiriş:

Kremniý karbidi (SiC) tohum substratlary, aýratyn ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary derejede dargama elektrik meýdanynyň güýji we ýokary elektron hereketliligi bilen tapawutlanýan üçünji nesil ýarymgeçirijiler üçin esasy material bolup hyzmat edýär. Bu häsiýetler olary elektrik elektronikasy, RF enjamlary, elektrik ulaglary (EV) we gaýtadan dikeldilýän energiýa ulgamlary üçin hökmany edýär. XKH, senagatda öňdebaryjy kristal hilini üpjün etmek üçin fiziki bug daşamak (PVT) we ýokary temperaturaly himiki bug çökündisi (HTCVD) ýaly öňdebaryjy kristal ösüş usullaryny ulanyp, ýokary hilli SiC tohum substratlarynyň ylmy-barlag we işläp taýýarlamalaryna ýöriteleşýär.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Tanyşdyryň

XKH özelleşdirilip bolýan N-tipli/P-tipli lehimleme bilen 4 dýuýmly, 6 dýuýmly we 8 dýuýmly SiC tohum substratlaryny hödürleýär, olar 0,01-0,1 Ω·sm garşylyk derejesine we 500 sm⁻²-den aşak dislokasiýa dykyzlygyna ýetýär, bu bolsa olary MOSFET-leri, Şottki barýer diodlaryny (SBD) we IGBT-leri öndürmek üçin amatly edýär. Biziň dik integrasiýa edilen önümçilik prosesimiz kristal ösdürmegi, listleri dilimlemegi, jylaňlamagy we barlagy öz içine alýar, ylmy-barlag edaralarynyň, ýarymgeçiriji öndürijileriň we gaýtadan dikeldilýän energiýa kompaniýalarynyň dürli talaplaryny kanagatlandyrmak üçin aýlyk önümçilik kuwwaty 5000 listden geçýär.

Mundan başga-da, biz aşakdakylary öz içine alýan ýörite çözgütleri hödürleýäris:

Kristal ugryny sazlamak (4H-SiC, 6H-SiC)

Ýöriteleşdirilen doping (Alýumin, Azot, Bor we ş.m.)

Ultra ýumşak jylaňlama (Ra < 0.5 nm)

XKH optimizirlenen SiC substrat çözgütlerini hödürlemek üçin nusga esasly işlemegi, tehniki maslahatlary we kiçi tapgyrly prototipleri goldaýar.

Tehniki parametrler

Kremniý karbid tohum waferi
Köptip	4H
Ýüziň ugry boýunça ýalňyşlyk	4° tarap <11-20>±0.5º
Garşylyklylyk	özleşdirme
Diametr	205±0.5mm
Galyňlygy	600±50μm
Göwünsizlik	CMP, Ra≤0.2nm
Mikrotrubanyň dykyzlygy	≤1 ea/sm2
Çyzyklar	≤5, Jemi uzynlyk ≤2 * Diametr
Gyra bölekleri/içlikleri	Hiç hili
Öň tarapdaky lazer belligi	Hiç hili
Çyzyklar	≤2, Jemi uzynlyk ≤ Diametr
Gyra bölekleri/içlikleri	Hiç hili
Köptipli sebitler	Hiç hili
Arka lazer bilen belliklemek	1 mm (ýokarky gyradan)
Gyra	Paxça
Gaplama	Köp waferli kasset

SiC tohum substratlary - Esasy häsiýetler

1. Ajaýyp fiziki häsiýetler

· Ýokary ýylylyk geçirijiligi (~490 W/m·K), kremniýden (Si) we galliý arsenidinden (GaAs) ep-esli öňe geçýär, bu bolsa ony ýokary kuwwatly dykyzlykdaky enjamlary sowadmak üçin ideal edýär.

· Ýokary woltly şertlerde durnukly işlemegi üpjün edýän döwülme meýdanynyň güýji (~3 MV/sm), elektrik ulaglarynyň inwertorlary we senagat energiýa modullary üçin örän möhümdir.

· Giň zolak aralygy (3.2 eV), ýokary temperaturada syzma toklaryny azaldýar we enjamyň ygtybarlylygyny ýokarlandyrýar.

2. Ýokary derejeli kristal hili

· PVT + HTCVD gibrid ösüş tehnologiýasy mikrotrubalaryň kemçiliklerini azaldýar we dislokasiýa dykyzlygyny 500 sm⁻²-den aşakda saklaýar.

· Wafer ýaý/wersiýa < 10 μm we ýüzüniň tekizligi Ra < 0.5 nm, ýokary takyklykly litografiýa we inçe plýonka çökündi prosesleri bilen utgaşyklylygy üpjün edýär.

3. Dopingiň dürli görnüşleri

·N-tip (azot bilen lehimlenen): Pes garşylyk (0.01-0.02 Ω·sm), ýokary ýygylykly RF enjamlary üçin optimizirlenen.

· P-tip (Alýumin bilen lehimlenen): Güýçli MOSFET-ler we IGBT-ler üçin ideal, daşaýjylaryň hereketliligini gowulandyrýar.

· Ýarym izolýasiýa ediji SiC (Wanadiý bilen lehimlenen): Garşylyk > 10⁵ Ω·sm, 5G RF öň tarap modullary üçin niýetlenen.

4. Daşky gurşawyň durnuklylygy

· Ýokary temperatura garşylyk (>1600°C) we radiasiýanyň gatylygy, aerokosmos, ýadro enjamlary we beýleki ekstremal gurşawlar üçin amatly.

SiC tohum substratlary - Esasy ulanylyşlar

1. Güýçli elektronika

· Elektrik ulaglary (EU): Netijeliligi ýokarlandyrmak we ýylylyk dolandyryş talaplaryny azaltmak üçin bortdaky zarýad berijilerde (OBC) we inwertorlarda ulanylýar.

· Senagat energiýa ulgamlary: Fotowoltaik inwertorlary we akylly torlary güýçlendirýär, energiýany konwersiýa etmegiň >99% netijeliligine ýetýär.

2. RF enjamlary

· 5G Baza Stansiýalary: Ýarym izolýasiýaly SiC substratlary ýokary ýygylykly, ýokary kuwwatly signal geçirijiligini goldaýan GaN-on-SiC RF güýç güýçlendirijilerini ulanmaga mümkinçilik berýär.

Hemra aragatnaşygy: Pes ýitgili häsiýetnamalary ony millimetr tolkunly enjamlar üçin amatly edýär.

3. Gaýtadan dikeldilýän energiýa we energiýany saklamak

· Gün energiýasy: SiC MOSFET-leri DC-AC öwrülme netijeliligini ýokarlandyrýar we ulgamyň çykdajylaryny azaldýar.

· Energiýa Saklama Ulgamlary (ESS): Iki ugurly konwertorlary optimizirleýär we batareýanyň ömrüni uzaldýar.

4. Goranmak we Aerokosmos

· Radar ulgamlary: AESA (Aktiw elektroniki skanirlenen massiw) radarlarynda ýokary kuwwatly SiC enjamlary ulanylýar.

· Kosmos gämileriniň energiýasyny dolandyrmak: Radiasiýa garşylykly SiC substratlary kosmosyň çuň missiýalary üçin örän möhümdir.

5. Ylmy-barlag we täze tehnologiýalar

· Kwantum hasaplamalary: Ýokary arassalykdaky SiC spin qubit barlaglaryny amala aşyrmaga mümkinçilik berýär.

· Ýokary Temperaturaly Sensorlar: Nebit gözleg we ýadro reaktorynyň gözegçiliginde ulanylýar.

SiC tohum substratlary - XKH hyzmatlary

1. Üpjünçilik zynjyrynyň artykmaçlyklary

· Dikligine integrasiýa edilen önümçilik: Ýokary arassa SiC poroşogyndan başlap, taýýar waferlere çenli doly gözegçilik, standart önümler üçin 4-6 hepdelik öndüriş möhletini üpjün edýär.

· Çykdajylaryň bäsdeşligi: Ölçeg ykdysadyýeti uzak möhletli ylalaşyklary (UMY) goldamak bilen bäsdeşlere garanyňda 15-20% arzan baha bermäge mümkinçilik berýär.

2. Özleşdiriş hyzmatlary

· Kristal ugry: 4H-SiC (standart) ýa-da 6H-SiC (ýöriteleşdirilen ulanylyşlar).

· Doping optimizasiýasy: N-tipli/P-tipli/ýarym izolýasiýa häsiýetlerine laýyklaşdyrylan.

· Ösen derejede jylamak: CMP jylamak we epi-ready ýüzi işläp taýýarlamak (Ra < 0.3 nm).

3. Tehniki goldaw

· Mugt nusga synagy: XRD, AFM we Hall täsiriniň ölçeg hasabatlaryny öz içine alýar.

· Enjam simulýasiýa kömegi: Epitaksial ösüşi we enjamyň dizaýnyny optimizirlemegi goldaýar.

4. Çalt jogap

· Az göwrümli prototipleme: Iň az 10 wafli sargyt, 3 hepde içinde eltip berilýär.

· Global logistika: Gapydan gapya çenli eltip bermek üçin DHL we FedEx bilen hyzmatdaşlyk.

5. Hil kepilligi

· Doly proses barlagy: Rentgen topografiýasyny (XRT) we kemçilikleriň dykyzlyk analizini öz içine alýar.

· Halkara sertifikatlary: IATF 16949 (awtomobil derejesi) we AEC-Q101 standartlaryna laýyk gelýär.

Netije

XKH-nyň SiC tohum substratlary kristal hilinde, üpjünçilik zynjyrynyň durnuklylygynda we özleşdiriş çeýeliginde ajaýyp üstünliklere eýe bolup, elektrik elektronikasyna, 5G aragatnaşygyna, gaýtadan dikeldilýän energiýa we goranmak tehnologiýalaryna hyzmat edýär. Üçünji nesil ýarymgeçiriji senagatyny öňe ilerletmek üçin 8 dýuýmlyk SiC köpçülikleýin önümçilik tehnologiýasyny ösdürmegi dowam etdirýäris.

Öňki: ICP üçin 4 дюйм 6 дюйм wafer saklaýjysy üçin SiC keramiki plastinka/tagta

Indiki: Optiki aragatnaşyk üçin Dia 205/203/208 4H-N görnüşli SiC tohum kristal substratlary