Powerörite N görnüşi SiC tohum substraty Dia153 / 155mm Elektron elektronikasy üçin

Powerörite N görnüşi SiC tohum substraty Dia153 / 155mm Elektronikanyň aýratyn şekili üçin

Gysga düşündiriş:

Silikon Karbid (SiC) tohum substratlary, aşa ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary bölek elektrik meýdany we ýokary elektron hereketi bilen tapawutlanýan üçünji nesil ýarymgeçirijiler üçin esas material bolup hyzmat edýär. Bu häsiýetler olary elektrik elektronikasy, RF enjamlary, elektrik ulaglary (EV) we täzelenip bilýän energiýa goşundylary üçin aýrylmaz edýär. XKH gözleg we ýokary hilli SiC tohum substratlaryny öndürmekde ýöriteleşip, önümçilikde öňdebaryjy kristal hilini üpjün etmek üçin Fiziki bug transporty (PVT) we ýokary temperaturaly himiki bug buglanyşy (HTCVD) ýaly kristal ösüş usullaryny ulanýar.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklary

Tanyşdyryň

XKH düzülip bilinýän N görnüşli / P görnüşli doping bilen 4 dýuým, 6 dýuým we 8 dýuýmlyk SiC tohum substratlaryny hödürleýär, garşylyk derejesi 0.01-0.1 Ω · sm we ýerleşiş dykyzlygy 500 sm⁻²-den pes bolup, MOSFET-ler, Şottki Barýer Diodlary (SBDs) we IGBT-ler öndürmek üçin ideal bolýar. Dikligine integrirlenen önümçilik işimiz, gözleg edaralarynyň, ýarymgeçiriji öndürijileriň we täzelenip bilýän energiýa kompaniýalarynyň dürli isleglerini kanagatlandyrmak üçin aýlyk önümçilik kuwwaty 5000 wafden ýokary bolan kristal ösüşi, wafli dilimlemek, polatlamak we gözden geçirmegi öz içine alýar.

Mundan başga-da, ýörite çözgütleri hödürleýäris, şol sanda:

Kristal ugry özleşdirmek (4H-SiC, 6H-SiC)

Specialöriteleşdirilen doping (Alýumin, Azot, Bor we ş.m.)

Ultra tekiz polishing (Ra <0,5 nm)

XKH optimal SiC substrat çözgütlerini bermek üçin nusga esasly gaýtadan işlemegi, tehniki geňeşmeleri we kiçi partiýa prototipini goldaýar.

Tehniki parametrler

Silikon karbid tohumy
Politip	4H
Faceerüsti ugrukdyryş säwligi	4 ° <11-20> ± 0.5º tarap
Çydamlylyk	özleşdirmek
Diametri	205 ± 0,5mm
Galyňlyk	600 ± 50μm
Gödeklik	CMP, Ra≤0.2nm
Mikrop turbanyň dykyzlygy	≤1 ea / cm2
Dyrnaklar	≤5, Jemi Uzynlygy≤2 * Diametri
Gyrasy çipler / görkezijiler	Hiç
Öňki lazer belligi	Hiç
Dyrnaklar	≤2, Jemi Uzynlyk ≤Diameter
Gyrasy çipler / görkezijiler	Hiç
Polip görnüşleri	Hiç
Yzky lazer belligi	1mm (ýokarky gyradan)
Gyrasy	Çamfer
Gaplamak	Köp wafli kaseta

SiC tohum substratlary - esasy aýratynlyklar

1. Aýratyn fiziki aýratynlyklar

· Termokary ýylylyk geçirijiligi (~ 490 W / m · K), kremniýden (Si) we galiý arsenidinden (GaAs) ep-esli ýokary bolup, ýokary güýçli dykyzlykly enjamy sowatmak üçin ideal edýär.

· Bölünýän meýdan güýji (~ 3 MV / sm), ýokary woltly şertlerde durnukly işlemäge mümkinçilik berýän, EV inwertorlary we senagat güýji modullary üçin möhüm.

· Giň zolakly zolak (3.2 eV), ýokary temperaturada syzma akymlaryny azaltmak we enjamyň ygtybarlylygyny ýokarlandyrmak.

2. Iň ýokary kristal hili

· PVT + HTCVD gibrid ösüş tehnologiýasy, ýerleşiş dykyzlygyny 500 sm⁻²-den pes saklap, mikrop turbanyň kemçiliklerini azaldýar.

· Wafli ýaý / egri <10 μm we ýerüsti çişlik Ra <0,5 nm, ýokary takyk litografiýa we inçe film çökdürmek amallaryna laýyklygy üpjün edýär.

3. Dopingiň dürli görnüşleri

· N görnüşli (Azotly doply): lowokary ýygylykly RF enjamlary üçin optimallaşdyrylan pes garşylyk (0.01-0.02 Ω · sm).

· P görnüşli (Alýuminiý doply): MOSFET we IGBT güýji üçin amatly, daşaýjynyň hereketini gowulandyrýar.

· Insarym izolýasiýa SiC (Vanadium-doped): Çydamlylyk> 10⁵ Ω · sm, 5G RF öňdäki modullar üçin niýetlenendir.

4. Daşky gurşawyň durnuklylygy

· Howa giňişligi, ýadro enjamlary we beýleki ekstremal şertler üçin ýokary temperatura garşylyk (> 1600 ° C) we radiasiýa gatylygy.

SiC tohum substratlary - başlangyç programmalar

1. Elektrik enjamlary

· Elektrik ulaglary (EV): Bortdaky zarýad berijilerde (OBC) we inwertorlarda netijeliligi ýokarlandyrmak we ýylylyk dolandyryş talaplaryny azaltmak üçin ulanylýar.

· Senagat güýç ulgamlary: Fotowoltaik inwertorlary we akylly setleri güýçlendirýär, 99% kuwwat öwrülişiniň netijeliligini gazanýar.

2. RF enjamlary

· 5G Esasy stansiýalar: ýarym izolýasiýa SiC substratlary, ýokary ýygylykly, ýokary güýçli signal geçirişini goldaýan GaN-on-SiC RF güýç güýçlendirijilerini üpjün edýär.

Sputnik aragatnaşygy: Pes ýitgi häsiýetleri ony millimetr tolkun enjamlary üçin amatly edýär.

3. Täzelenýän energiýa we energiýa ammary

· Gün energiýasy: SiC MOSFET-ler ulgam çykdajylaryny azaltmak bilen DC-AC öwrülişiniň netijeliligini ýokarlandyrýar.

· Energiýa saklaýyş ulgamlary (ESS): Iki taraplaýyn öwrüjileri optimizirleýär we batareýanyň ömrüni uzaldýar.

4. Goranmak we howa

· Radar ulgamlary: AESA (Active Elektron Scanered Array) radarlarynda ýokary güýçli SiC enjamlary ulanylýar.

· Kosmos gämileriniň kuwwatyny dolandyrmak: Radiasiýa çydamly SiC substratlary, kosmos giňişlikleri üçin möhümdir.

5. Gözleg we döreýän tehnologiýalar

· Kwant hasaplamasy: purokary arassa SiC spin kubit gözlegini amala aşyrmaga mümkinçilik berýär.

· Temokary temperatura datçikleri: Nebit gözleginde we ýadro reaktorynyň gözegçiliginde.

SiC tohum substratlary - XKH hyzmatlary

1. Üpjünçilik zynjyrynyň artykmaçlyklary

· Dikligine integrirlenen önümçilik: highokary arassa SiC poroşokyndan taýýar wafli çenli doly gözegçilik, adaty önümler üçin 4-6 hepdäniň gurşun wagtyny üpjün etmek.

· Çykdajylaryň bäsdeşlik ukyby: Uzak möhletleýin şertnamalary (LTA) goldaýan göwrümli ykdysadyýetler, bäsdeşlerden 15-20% arzan bahany üpjün edýär.

2. Hususylaşdyrma hyzmatlary

· Kristal ugry: 4H-SiC (standart) ýa-da 6H-SiC (ýöriteleşdirilen programmalar).

· Doping optimizasiýasy: N görnüşli / P görnüşli / ýarym izolýasiýa häsiýetleri.

· Ösen polishing: CMP polishing we epi taýýar ýerüsti bejermek (Ra <0.3 nm).

3. Tehniki goldaw

· Mugt nusga synagy: XRD, AFM we Hall effekt ölçeg hasabatlaryny öz içine alýar.

· Enjamyň simulýasiýa kömegi: Epitaksial ösüşi we enjam dizaýnyny optimallaşdyrmagy goldaýar.

4. Çalt jogap

· Pes sesli prototip: 3 hepdäniň içinde gowşurylan iň az 10 wafli.

· Global logistika: DHL we FedEx bilen öýme-öý eltip bermek üçin hyzmatdaşlyk.

5. Hiliň barlagy

· Doly amal barlagy: rentgen topografiýasyny (XRT) we kemçilik dykyzlygynyň derňewini örtýär.

· Halkara şahadatnamalary: IATF 16949 (awtoulag derejesi) we AEC-Q101 ülňülerine laýyk gelýär.

Netije

XKH-iň SiC tohumy substratlary kristal hili, üpjünçilik zynjyrynyň durnuklylygy we özleşdiriş çeýeligi, güýç elektronikasyna, 5G aragatnaşyk, täzelenip bilýän energiýa we goranyş tehnologiýalaryna hyzmat edýär. Üçünji nesil ýarymgeçiriji pudagyny öňe sürmek üçin 8 dýuýmlyk SiC köpçülikleýin önümçilik tehnologiýasyny öňe sürýäris.

Öňki: ICP üçin 4inch 6inch wafli saklaýjy üçin SiC keramiki plastinka / tarelka

Indiki: Cöriteleşdirilen SiC tohum kristal substratlary Dia 205/203/208 Optiki aragatnaşyk üçin 4H-N görnüşi