AlN-on-NPSS wafer: Ýokary temperatura, ýokary kuwwatlylyk we RF ulanylyşlary üçin jylaňlanmadyk sapfir substratyndaky ýokary öndürijilikli alýumin nitrid gatlagy

Gysgaça düşündiriş:

AlN-on-NPSS plastinkasy ýokary öndürijilikli alýumin nitridi (AlN) gatlagyny jylaňlanmadyk sapfir substraty (NPSS) bilen birleşdirip, ýokary temperaturaly, ýokary kuwwatly we radioýygylykly (RF) ulanylyşlar üçin ideal çözgüt hödürleýär. AlN-iň ajaýyp ýylylyk geçirijiliginiň we elektrik häsiýetleriniň özboluşly utgaşmasy, substratyň ajaýyp mehaniki güýji bilen birlikde, bu plastinkany güýç elektronikasy, ýokary ýygylykly enjamlar we optiki komponentler ýaly talap edilýän ulanylyşlar üçin iň gowy saýlawa öwürýär. Ajaýyp ýylylyk ýaýradyjylygy, pes ýitgileri we ýokary temperaturaly gurşawlar bilen utgaşyklylygy bilen bu plastinka ýokary öndürijilikli täze nesil enjamlaryň işlenip düzülmegine mümkinçilik berýär.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Ýokary öndürijilikli AlN gatlagyAlýumin nitridi (AlN) öz häsiýeti bilen tanalýarýokary ýylylyk geçirijiligi(~200 W/m·K),giň zolak, weýokary döwülme naprýaženiýesiüçin ideal material edýärýokary kuwwatly, ýokary ýygylykly, weýokary temperaturaprogrammalar.

Jilalanmadyk Safir Substraty (NPSS): Jyllalanmadyk sapfir ... üpjün edýärçykdajy taýdan netijeli, mehaniki taýdan berkesasy, ýüzi jylamak kynçylygy bolmazdan, epitaksial ösüş üçin durnukly binýady üpjün edýär. NPSS-iň ajaýyp mehaniki häsiýetleri ony kyn gurşawlar üçin berk edýär.

Ýokary termal durnuklylykAlN-on-NPSS plastinkasy temperaturanyň aşa ýokary üýtgemelerine çydap bilýär, bu bolsa ony ulanmak üçin amatly edýärgüýç elektronikasy, awtoulag ulgamlary, LED-ler, weoptiki ulanylyşlarýokary temperatura şertlerinde durnukly işlemegi talap edýän.

Elektrik izolýasiýasyAlN ajaýyp elektrik izolýasiýa häsiýetlerine eýedir, bu bolsa ony ulanylýan ýerlerde ulanmak üçin ajaýyp edýärelektrik izolýasiýasyşol sanda örän möhümdirRF enjamlarywemikrotolkunly elektronika.

Ýokary derejeli ýylylyk ýaýramagyÝokary ýylylyk geçirijiligi bilen, AlN gatlagy ýokary güýçde we ýygylykda işleýän enjamlaryň işini we uzak ömürliligini saklamak üçin möhüm bolan netijeli ýylylyk ýaýramagyny üpjün edýär.

Tehniki parametrler

Parametr	Spesifikasiýa
Wafer diametri	2 dýuým, 4 dýuým (öz ölçeglerini saýlap bolýar)
Substrat görnüşi	Jilalanmadyk Safir Substraty (NPSS)
AlN gatlagynyň galyňlygy	2µm-den 10µm-e çenli (özgertmek mümkin)
Substratyň galyňlygy	430µm ± 25µm (2 dýuým üçin), 500µm ± 25µm (4 dýuým üçin)
Termal geçirijilik	200 W/m·K
Elektrik garşylygy	Ýokary izolýasiýa, RF ulanylyşlary üçin amatly
Ýüziň gödekligi	Ra ≤ 0.5µm (AlN gatlagy üçin)
Materialyň arassalygy	Ýokary arassalykly AlN (99.9%)
Reňk	Ak/Ak reňksiz (açyk reňkli NPSS substratly AlN gatlagy)
Wafer Warp	< 30µm (adaty)
Doping görnüşi	Goşulmadyk (öz islegiňize görä sazlap bolýar)

Programmalar

TheAlN-on-NPSS waferbirnäçe pudaklarda ýokary öndürijilikli ulanylyşlaryň giň görnüşi üçin niýetlenendir:

Ýokary kuwwatly elektronikaAlN gatlagynyň ýokary ýylylyk geçirijiligi we izolýasiýa häsiýetleri ony ideal materiala öwürýärgüýç tranzistorlary, düzeltijiler, wegüýç IC-leriulanylanawtoulag, senagat, wegaýtadan dikeldilýän energiýasistemalar.

Radio-Çaglylyk (RF) KomponentleriAlN-iň ajaýyp elektrik izolýasiýa häsiýetleri, onuň pes ýitgisi bilen birleşip, öndürmäge mümkinçilik berýärRF tranzistorlary, HEMT-ler (Ýokary elektron hereketli tranzistorlar), we beýlekimikrotolkunly komponentlerýokary ýygylyklarda we güýç derejelerinde netijeli işleýän.

Optiki enjamlarAlN-on-NPSS waferleri ulanylýarlazer diodlary, LED-ler, wefotodetektorlar, bu ýerdeýokary ýylylyk geçirijiligiwemehaniki berklikuzak ömür dowamynda öndürijiligini saklamak üçin möhümdir.

Ýokary Temperatura Sensorlary: Waferiň aşa gyzgynlyga çydamlylygy ony amatly edýärtemperatura sensorlarywedaşky gurşawyň gözegçiligiýaly pudaklardaaerokosmos, awtoulag, wenebit we gaz.

Ýarymgeçiriji gaplama: Ulanylan ýylylyk ýaýradyjylarwetermal dolandyryş gatlaklarygaplama ulgamlarynda, ýarymgeçirijileriň ygtybarlylygyny we netijeliligini üpjün etmek.

Sorag-jogap

S: AlN-on-NPSS waferleriniň kremniý ýaly däp bolan materiallardan esasy artykmaçlygy näme?

A: Esasy artykmaçlyk AlN-dirýokary ýylylyk geçirijiligi, bu bolsa oňa ýylylygy netijeli ýaýratmaga mümkinçilik berýär we ony iň amatly edýärýokary kuwwatlyweýokary ýygylykly ulanylyşlarýylylygy dolandyrmak möhüm bolan ýerde. Mundan başga-da, AlN-iňgiň zolakwe ajaýypelektrik izolýasiýasy, ony ulanmak üçin has gowy edýärRFwemikrotolkunly enjamlardäp bolan kremniý bilen deňeşdirilende.

S: NPSS waferlerindäki AlN gatlagyny öz islegiňize görä sazlap bolýarmy?

A: Hawa, AlN gatlagy ulanylyşyňyzyň aýratyn zerurlyklaryny kanagatlandyrmak üçin galyňlygy boýunça (2µm-den 10µm-e çenli ýa-da ondan köp) sazlanyp bilner. Şeýle hem, biz goşundy görnüşi (N-tipli ýa-da P-tipli) we ýöriteleşdirilen funksiýalar üçin goşmaça gatlaklar boýunça sazlamagy hödürleýäris.

S: Awtomobil senagatynda bu plastinkanyň adaty ulanylyşy näme?

A: Awtomobil senagatynda AlN-on-NPSS waferleri köplenç ulanylýargüýç elektronikasy, LED yşyklandyryş ulgamlary, wetemperatura sensorlaryOlar dürli temperatura şertlerinde işleýän ýokary netijeli ulgamlar üçin möhüm bolan ýokary derejeli ýylylyk dolandyryşyny we elektrik izolýasiýasyny üpjün edýärler.