AlN-on-NPSS Wafer: Temokary temperatura, ýokary kuwwatly we RF programmalary üçin polat edilmedik ýakut substratynda ýokary öndürijilikli alýumin nitrit gatlagy

AlN-on-NPSS Wafer: Temokary temperatura, ýokary kuwwatly we RF programmalary üçin aýratyn surat üçin polirlenmedik ýakut substratynda ýokary öndürijilikli alýumin nitrit gatlagy

Gysga düşündiriş:

AlN-on-NPSS wafli ýokary öndürijilikli alýumin nitrit (AlN) gatlagyny ýokary temperatura, ýokary kuwwatly we radio ýygylykly (RF) amaly programmalar üçin ideal çözgüt hödürlemek üçin, ýalpyldawuk sapfir substraty (NPSS) bilen birleşdirýär. AlN-iň ajaýyp ýylylyk geçirijiligi we elektrik häsiýetleriniň täsin utgaşmasy, substratyň ajaýyp mehaniki güýji bilen birlikde, bu wafli elektrik elektronikasy, ýokary ýygylykly enjamlar we optiki komponentler ýaly programmalary talap etmek üçin ileri tutulýan saýlama edýär. Ajaýyp ýylylyk ýaýramagy, pes ýitgi we ýokary temperatura gurşawy bilen utgaşyklyk bilen bu wafli has ýokary öndürijilikli indiki nesil enjamlaryny ösdürmäge mümkinçilik berýär.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Aýratynlyklary

Performanceokary öndürijilikli AlN gatlagy: Alýumin Nitride (AlN) özi bilen tanalýarýokary ýylylyk geçirijiligi(~ 200 W / m · K),giň zolak, weýokary naprýa .eniýe naprýa .eniýesiüçin ideal material etmekýokary kuwwatly, ýokary ýygylykly, weýokary temperaturagoýmalary.

Polat däl sapfir substraty (NPSS): Jaýlanmadyk sapfir atygşytly, mehaniki taýdan berkýerüsti ýalpyldawuklygyň çylşyrymlylygy bolmazdan epitaksial ösüş üçin durnukly binýady üpjün etmek. NPSS-iň ajaýyp mehaniki aýratynlyklary ony kyn şertlerde çydamly edýär.

Termokary ýylylyk durnuklylygy: AlN-on-NPSS wafli aşa temperaturanyň üýtgemegine çydap biler we ony ulanmaga amatly ederkuwwat elektronikasy, awtoulag ulgamlary, Yşyk-diodly indikatorlar, weoptiki programmalarýokary temperaturaly şertlerde durnukly öndürijiligi talap edýär.

Elektrik izolýasiýasy: AlN ajaýyp elektrik izolýasiýa häsiýetine eýe bolup, ony nirede goýmalar üçin ajaýyp edýärelektrik izolýasiýasygoşmak bilen möhümdirRF enjamlarywemikrotolkun elektronikasy.

Iň ýokary ýylylyk paýlanyşy: Alokary ýylylyk geçirijiligi bilen, AlN gatlagy ýokary güýç we ýygylyk bilen işleýän enjamlaryň işleýşini we uzak ömrüni saklamak üçin zerur ýylylygyň ýaýramagyny üpjün edýär.

Tehniki parametrler

Parametr	Spesifikasiýa
Wafer diametri	2 dýuým, 4 dýuým (ýörite ölçegler bar)
Substrat görnüşi	Polat däl sapfir substraty (NPSS)
AlN gatlak galyňlygy	2µm-den 10µm (düzülip bilner)
Substrat galyňlygy	430µm ± 25µm (2 dýuým üçin), 500µm ± 25µm (4 dýuým üçin)
Malylylyk geçirijiligi	200 W / m · K.
Elektrik garşylygy	RFokary izolýasiýa, RF programmalary üçin amatly
Faceerüsti gödeklik	Ra ≤ 0.5µm (AlN gatlagy üçin)
Maddy arassalygy	Nokary arassalyk AlN (99,9%)
Reňk	Ak / ak-ak (açyk reňkli NPSS substratly AlN gatlagy)
Wafer Warp	<30µm (adaty)
Doping görnüşi	Dopirlenmedik (özleşdirilip bilner)

Goýmalar

TheAlN-on-NPSS waflibirnäçe pudak boýunça ýokary öndürijilikli goşundylaryň köp görnüşi üçin niýetlenendir:

Powerokary güýçli elektronika: AlN gatlagynyň ýokary ýylylyk geçirijiligi we izolýasiýa häsiýetleri ony ideal material edýärtok tranzistorlary, düzedijiler, wekuwwatly ICulanylýarawtoulag, senagat, wegaýtadan dikeldilýän energiýaulgamlary.

Radio-ýygylyk (RF) komponentleri: AlN-iň ajaýyp elektrik izolýasiýa häsiýetleri, pes ýitgileri bilen birlikde önümçilige mümkinçilik berýärRF tranzistorlary, HEMTs (-okary elektron-hereketli tranzistorlar)we başgalarmikrotolkun bölekleriýokary ýygylyklarda we güýç derejesinde netijeli işleýär.

Optiki enjamlar: AlN-on-NPSS wafli ulanylýarlazer diodlary, Yşyk-diodly indikatorlar, wefotodetektorlar, niredeýokary ýylylyk geçirijiligiwemehaniki berkligiuzaldylan ömrüň dowamynda öndürijiligi saklamak üçin zerurdyr.

Temokary temperatura datçikleri: Wafli aşa yssylyga garşy durmak ukyby ony amatly edýärtemperatura datçikleriwedaşky gurşawa gözegçilikýaly pudaklardahowa giňişligi, awtoulag, wenebit we gaz.

Ondarymgeçiriji gaplama: Ulanylýar ýylylyk ýaýradyjylarweýylylyk dolandyryş gatlaklarygaplaýyş ulgamlarynda, ýarymgeçirijileriň ygtybarlylygyny we netijeliligini üpjün edýär.

Sowal-jogap

S: AlN-on-NPSS wafli kremniý ýaly adaty materiallardan esasy artykmaçlygy näme?

J: Esasy artykmaçlygy AlN-iňýokary ýylylyk geçirijiligiýylylygy netijeli ýaýratmaga mümkinçilik berýän, ony amatly edýärýokary kuwwatlyweýokary ýygylykly programmalarýylylygy dolandyrmak möhümdir. Mundan başga-da, AlN-de agiň zolakwe ajaýypelektrik izolýasiýasyulanmak üçin has ýokary edýärRFwemikrotolkun enjamlaryadaty kremniý bilen deňeşdirilende.

S: NPSS waflindäki AlN gatlagyny sazlap bolarmy?

J: Hawa, AlN gatlagy programmaňyzyň aýratyn zerurlyklaryny kanagatlandyrmak üçin galyňlygy (2µm-den 10µm ýa-da ondanam köp) aralygynda düzülip bilner. Şeýle hem, doping görnüşi (N görnüşli ýa-da P görnüşli) we ýöriteleşdirilen funksiýalar üçin goşmaça gatlaklar boýunça özleşdirmegi teklip edýäris.

S: Awtoulag pudagynda bu wafli üçin adaty programma haýsy?

J: Awtoulag pudagynda köplenç AlN-on-NPSS wafli ulanylýarkuwwat elektronikasy, LED yşyklandyryş ulgamlary, wetemperatura datçikleri. Dürli temperatura şertlerinde işleýän ýokary netijelilik ulgamlary üçin zerur bolan ýokary ýylylyk dolandyryşyny we elektrik izolýasiýasyny üpjün edýärler.