8inç 200mm Silikon Karbid SiC Wafers 4H-N görnüşli Önümçilik derejesi 500um galyňlygy

Gysga düşündiriş:

Şanhaý Sinkehui Tehniki. Co., Ltd ýokary hilli kremniý karbid wafli we N we ýarym izolýasiýa görnüşli 8 inç diametre çenli substratlar üçin iň gowy saýlamany we bahalary hödürleýär. Kiçi we uly ýarymgeçiriji enjam kompaniýalary we gözleg laboratoriýalary dünýäde silikon karbid wafli ulanýarlar we bil baglaýarlar.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

200mm 8inch SiC substrat spesifikasiýasy

Ölçegi: 8inç;

Diametri: 200mm ± 0,2;

Galyňlygy: 500um ± 25;

Faceerüsti ugry: 4 [11-20] ± 0,5 °;

Keseliň ugry: [1-100] ± 1 ° ；

Keseliň çuňlugy: 1 ± 0,25mm ；

Mikropipe: <1cm2;

Hex plitalary: Hiç birine rugsat berilmedi;

Çydamlylygy: 0.015 ~ 0.028Ω;

EPD: <8000cm2;

TED: <6000cm2

BPD: <2000cm2

TSD: <1000cm2

SF: meýdany <1%

TTV≤15um ；

Warp≤40um ；

Bow25um ；

Poli meýdanlary: ≤5%;

Dyrnak: <5 we jemleýji uzynlyk <1 Waferiň diametri;

Çipler / görkezijiler: Hiç biri D> 0,5 mm ini we çuňlugy üçin rugsat bermeýär;

Acksaryklar: ýok;

Dok: Hiç

Gämi gyrasy: Çamfer;

Faceerüsti gutarma: Iki taraplaýyn polýak, Si Face CMP;

Gaplamak: Köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli gap;

200mm 4H-SiC kristallary taýýarlamakda häzirki kynçylyklar

1) ýokary hilli 200mm 4H-SiC tohum kristallaryny taýýarlamak;

2) Uly göwrümli temperatura meýdany birmeňzeş däl we nukleýasiýa prosesine gözegçilik;

3) Kristal ösüş ulgamlaryny ulaltmakda gaz komponentleriniň transport netijeliligi we ewolýusiýasy;

4) Uly göwrümli ýylylyk stresiniň ýokarlanmagy sebäpli kristal döwülmegi we kemçilikleriň köpelmegi.

Bu kynçylyklary ýeňip geçmek we ýokary hilli 200mm SiC wafersolýusiýalary almak teklip edilýär:

200 mm tohum kristalyny taýýarlamak nukdaýnazaryndan degişli temperatura meýdan meýdany we giňelýän gurnama öwrenildi we hasaba alynmadyk kristal hilini we ulalmagy üçin işlenip düzüldi; 150 mm SiC se: d kristaldan başlap, SiC kristalizasiýasyny 200 mm ýetýänçä kem-kemden giňeltmek üçin tohum kristal gaýtalamagyny amala aşyryň; Birnäçe kristal ulalmagy we prosesiig arkaly, kristalyň giňelýän ýerinde kristal hilini kem-kemden optimizirläň we 200mm tohum kristallarynyň hilini ýokarlandyryň.

200 mm geçiriji kristal we substraty taýýarlamak nukdaýnazaryndan gözleg, uly göwrümli kristal ösüşi üçin temperatura meýdany we akym meýdany dizaýnyny optimallaşdyrdy, 200 mm geçiriji SiC kristal ösüşini we doping birmeňzeşligini gözegçilikde saklady. Kristalyň gödek gaýtadan işlenmegi we emele gelmeginden soň, adaty diametri bolan 8 inçelektrik geçiriji 4H-SiC ingot alyndy. SiC 200mm wafli galyňlygy 525um ýa-da şondan soň kesmek, üwemek, ýuwmak, gaýtadan işlemekden soň