8 дюйм 200 мм Silikon Karbid SiC Wafers 4H-N görnüşli önümçilik derejesi 500um galyňlyk

Gysgaça düşündiriş:

“Shanghai Xinkehui Tech. Co., Ltd” kompaniýasy N- we ýarym izolýasiýa görnüşli, diametri 8 dýuýma çenli ýokary hilli kremniý karbid plitalary we substratlary üçin iň gowy saýlamany we bahalary hödürleýär. Dünýädäki kiçi we uly ýarymgeçiriji enjam kompaniýalary we ylmy-barlag laboratoriýalary biziň silikon karbid plitalarymyzy ulanýar we olara bil baglaýar.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

200mm 8inç SiC substratynyň aýratynlyklary

Ölçegi: 8 dýuým;

Diametri: 200mm±0.2;

Galyňlygy: 500um±25;

Ýüziň ugry: [11-20]±0.5° tarap 4;

Kesik ugry: [1-100]±1°；

Kesik çuňlugy: 1±0.25mm;

Mikroturba: <1 sm2;

Altyburçlukly plitalar: rugsat berilmeýär;

Garşylyk: 0.015~0.028Ω;

EPD: <8000 sm2;

TED: <6000 sm2

BPD: <2000 sm2

TSD: <1000cm2

SF: meýdan <1%

TTV≤15um；

Çözgüt≤40um；

Ýaý≤25um；

Poli meýdanlar: ≤5%;

Çyzgy: <5 we jemi uzynlyk < 1 Wafer diametri;

Çipler/Çukurlyklar: Hiç biri D>0.5mm giňlik we çuňluk rugsat bermeýär;

Çatlaklar: Ýok;

Leke: Ýok

Wafer gyrasy: Fah;

Ýüzleýiş: Iki taraply lak, Si ýüzli CMP;

Gaplama: Köp waferli kasset ýa-da ýeke waferli gap;

200 mm 4H-SiC kristallaryny taýýarlamakdaky häzirki kynçylyklar, esasan

1) Ýokary hilli 200 mm 4H-SiC tohum kristallaryny taýýarlamak;

2) Uly ölçegli temperatura meýdanynyň deň dälligi we ýadro döreme prosesiniň gözegçiligi;

3) Uly kristal ösüş ulgamlarynda gaz görnüşli komponentleriň daşamak netijeliligi we ewolýusiýasy;

4) Uly ölçegli termal stres sebäpli kristallaryň ýarylmagy we kemçilikleriň köpelmegi artýar.

Bu kynçylyklary ýeňip geçmek we ýokary hilli 200 mm SiC plitalaryny almak üçin aşakdaky çözgütler teklip edilýär:

200 mm tohum kristallaryny taýýarlamak babatda, degişli temperatura meýdanynyň akymy we giňelýän gurluş öwrenildi we kristalyň hilini we giňelýän ölçegini hasaba almak üçin döredildi; 150 mm SiC se:d kristalyndan başlap, SiC kristallaşmasyny 200 mm ýetýänçä kem-kemden giňeltmek üçin tohum kristallarynyň gaýtalanmagyny amala aşyryň; Kristallaryň köp sanly ösüşi we işlenilmegi arkaly kristalyň giňelýän meýdanyndaky kristalyň hilini kem-kemden optimizirläň we 200 mm tohum kristallarynyň hilini ýokarlandyryň.

200 mm geçiriji kristal we substrat taýýarlamak babatda, ylmy barlaglar uly ölçegli kristal ösüşi üçin temperatura meýdanynyň we akym meýdanynyň dizaýnyny optimizirledi, 200 mm geçiriji SiC kristal ösüşini geçirdi we lehimleme deňligini gözegçilikde saklady. Kristalyň gödek işlenişinden we şekillendirilişinden soň, standart diametrli 8 dýuýmlyk elektrik geçiriji 4H-SiC külçesi alyndy. Kesmekden, üwemekden, jylalamakdan we gaýtadan işlemekden soň, galyňlygy 525 um ýa-da şoňa golaý bolan SiC 200 mm waferlerini almak üçin