8Inch 200mm 4H-N SiC Wafer Geçirijili gözleg derejesi
Özboluşly fiziki we elektroniki aýratynlyklary sebäpli 200 mm SiC wafli ýarymgeçiriji material ýokary öndürijilikli, ýokary temperaturaly, radiasiýa çydamly we ýokary ýygylykly elektron enjamlaryny döretmek üçin ulanylýar. Tehnologiýa has ösüp, isleg artdygyça 8inch SiC substrat bahasy kem-kemden peselýär. Soňky tehnologiýa ösüşleri 200mm SiC wafli önümçiliginiň göwrümli önümçiligine getirýär. Si we GaAs wafli bilen deňeşdirilende SiC wafli ýarymgeçiriji materiallaryň esasy artykmaçlyklary: Güýç döwülende 4H-SiC elektrik meýdanynyň güýji Si we GaAs üçin degişli bahalardan has ýokary ululyk tertibinden has ýokarydyr. Bu, Ron döwletiň garşylygy ep-esli peselmegine getirýär. Pes derejeli garşylyk, ýokary tok dykyzlygy we ýylylyk geçirijiligi bilen utgaşyp, elektrik enjamlary üçin gaty kiçi ölü ulanmaga mümkinçilik berýär. SiC-iň ýokary ýylylyk geçirijiligi çipiň ýylylyk garşylygyny peseldýär. SiC wafli esasly enjamlaryň elektron häsiýetleri wagtyň geçmegi bilen we önümleriň ýokary ygtybarlylygyny üpjün edýän temperatura durnuklylygy boýunça gaty durnukly. Silikon karbid, çipiň elektron häsiýetlerini pese gaçyrmaýan gaty radiasiýa garşy örän çydamly. Kristalyň ýokary çäklendiriji iş temperaturasy (6000C-den gowrak) size agyr iş şertleri we ýörite programmalar üçin ýokary ygtybarly enjamlary döretmäge mümkinçilik berýär. Häzirki wagtda 200mmSiC wafli yzygiderli we yzygiderli üpjün edip bileris we ammarda birneme paý alyp bileris.
Spesifikasiýa
San | Haryt | Bölüm | Önümçilik | Gözleg | Dummy |
1. Parametrler | |||||
1.1 | polip görnüşi | -- | 4H | 4H | 4H |
1.2 | ýerüsti ugry | ° | <11-20> 4 ± 0,5 | <11-20> 4 ± 0,5 | <11-20> 4 ± 0,5 |
2. Elektrik parametri | |||||
2.1 | dopant | -- | n görnüşli azot | n görnüşli azot | n görnüşli azot |
2.2 | garşylyk | ohm · sm | 0.015 ~ 0.025 | 0.01 ~ 0.03 | NA |
3. Mehaniki parametr | |||||
3.1 | diametri | mm | 200 ± 0.2 | 200 ± 0.2 | 200 ± 0.2 |
3.2 | galyňlygy | μm | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 |
3.3 | Kesgitleýiş ugry | ° | [1- 100] ± 5 | [1- 100] ± 5 | [1- 100] ± 5 |
3.4 | Çuňlugyň çuňlugy | mm | 1 ~ 1.5 | 1 ~ 1.5 | 1 ~ 1.5 |
3.5 | LTV | μm | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤10 (10mm * 10mm) |
3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
3.7 | Aý | μm | -25 ~ 25 | -45 ~ 45 | -65 ~ 65 |
3.8 | Warp | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
4. Gurluş | |||||
4.1 | mikrop turbanyň dykyzlygy | ea / cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
4.2 | metal düzümi | atomlar / cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
4.3 | TSD | ea / cm2 | ≤500 | 0001000 | NA |
4.4 | BPD | ea / cm2 | 0002000 | ≤5000 | NA |
4.5 | TED | ea / cm2 | 0007000 | ≤10000 | NA |
5. Oňyn hil | |||||
5.1 | öň | -- | Si | Si | Si |
5.2 | ýerüsti gutarmak | -- | Si-ýüzli CMP | Si-ýüzli CMP | Si-ýüzli CMP |
5.3 | bölejik | wafli | ≤100 (ululygy≥0.3μm) | NA | NA |
5.4 | dyrna | wafli | ≤5, Jemi Uzynlygy200mm | NA | NA |
5.5 | Gyrasy çipler / indentler / çatryklar / tegmiller / hapalanma | -- | Hiç | Hiç | NA |
5.6 | Polip görnüşleri | -- | Hiç | Meýdany ≤10% | Meýdany ≤30% |
5.7 | öň bellik | -- | Hiç | Hiç | Hiç |
6. Yzky hil | |||||
6.1 | Yza | -- | C ýüzli deputat | C ýüzli deputat | C ýüzli deputat |
6.2 | dyrna | mm | NA | NA | NA |
6.3 | Yzky kemçilikler çipler / görkezijiler | -- | Hiç | Hiç | NA |
6.4 | Yzky gödeklik | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
6.5 | Yzky bellik | -- | Notch | Notch | Notch |
7. Gyrasy | |||||
7.1 | gyrasy | -- | Çamfer | Çamfer | Çamfer |
8. Bukja | |||||
8.1 | gaplamak | -- | Wakuum bilen epi taýýar gaplamak | Wakuum bilen epi taýýar gaplamak | Wakuum bilen epi taýýar gaplamak |
8.2 | gaplamak | -- | Köp wafli kaseta gaplamak | Köp wafli kaseta gaplamak | Köp wafli kaseta gaplamak |