8 dýuým 200mm Safir Wafer Daşaýjy Subsrate SSP DSP Galyňlygy 0,5mm 0.75mm

Gysga düşündiriş:

8 dýuým sapfir substrat wafli dürli programmalarda ulanylýan ýokary hilli, çydamly kristal materialdyr. Dürli ýylylyk we himiki durnuklylyk, şeýle hem ýokary optiki aýdyňlygy bilen bellidir.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Jikme-jik maglumat

Önümçilik usuly: 8 dýuým sapfir substratyň önümçilik prosesi birnäçe basgançagy öz içine alýar. Ilki bilen ýokary arassalykly alýumin tozy eriş ýagdaýyny emele getirmek üçin ýokary temperaturada ereýär. Soňra tohum kristaly ereýär we tohumlar ýuwaş-ýuwaşdan yza çekilende sapfiriň ösmegine mümkinçilik berýär. Sufficienteterlik ulalandan soň, ýakut kristaly inçe wafli bilen seresaplylyk bilen kesilýär, soňra tekiz we kemsiz bir ýere ýetmek üçin polat edilýär.

8 dýuým sapfir substratynyň goşundylary: 8 dýuým sapfir substrat ýarymgeçiriji pudagynda, esasanam elektron enjamlary we optoelektroniki komponentleri öndürmekde giňden ulanylýar. Icarymgeçirijileriň epitaksial ösmegi üçin ýokary öndürijilikli integral zynjyrlaryň, ýagtylyk çykaryjy diodlaryň we lazer diodlarynyň emele gelmegine mümkinçilik berýän möhüm esas bolup hyzmat edýär. Safir substraty optiki penjireleri, sagatlary we smartfonlar we planşetler üçin gorag örtüklerini öndürmek üçin amaly tapýar.

Önüm 8 dýuým sapfir substratynyň aýratynlyklary:

- Ölçegi: 8 dýuým sapfir substratyň diametri 200mm bolup, epitaksialleýerleriň ýerleşdirilmegi üçin has uly ýer meýdany üpjün edýär.

- faceerüsti hil: ýokary optiki hile ýetmek üçin substratyň üstü seresaplylyk bilen ýuwulýar, üstki çişligi 0,5 nm RMS-den ýokary.

- Galyňlygy: Substratyň adaty galyňlygy 0,5 mm. Şeýle-de bolsa, isleg boýunça özleşdirilen galyňlyk opsiýalary elýeterlidir.

- Gaplamak: Safir substratlary daşamak we saklamak wagtynda goragy üpjün etmek üçin aýratyn gaplanýar. Adatça zeper ýetmeginiň öňüni almak üçin degişli ýassyk materiallary bilen ýörite gaplara ýa-da gutulara ýerleşdirilýär.

- Gyranyň ugry: Substrat ýarymgeçirijiniň önümçilik proseslerinde takyk deňleşmek üçin möhüm kesgitlenen gyrasy ugry bilen gelýär.

Sözümiň ahyrynda, 8 dýuým sapfir substraty köpugurly we ygtybarly material bolup, ajaýyp ýylylyk, himiki we optiki aýratynlyklary sebäpli ýarymgeçiriji pudagynda giňden ulanylýar. Ajaýyp ýerüsti hili we takyk aýratynlyklary bilen ýokary öndürijilikli elektron we optoelektron enjamlaryny öndürmekde möhüm bölek bolup hyzmat edýär.