6inch SiC Epitaxiy wafer N / P görnüşi özbaşdak kabul edilýär

6inch SiC Epitaxiy wafer N / P görnüşi, ýöriteleşdirilen Aýratyn Suraty kabul edýär

Gysga düşündiriş:

4, 6, 8 dýuým kremniý karbid epitaksial wafli we epitaksial guýma hyzmatlary, SBD, JBS, PiN, MOSFET, JFET, BJT, GTO, IGBT we ş.m. önümçilik (600V ~ 3300V) energiýa enjamlary bilen üpjün ediň.

SBD JBS PiN MOSFET JFET BJT GTO & IGBT, 600V-den 3300V çenli güýç enjamlaryny ýasamak üçin 4 dýuým we 6 dýuým SiC epitaksial wafli berip bileris.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Silikon karbid epitaksial wafli taýýarlamak prosesi, himiki bug çöketligi (CVD) tehnologiýasyny ulanmak usulydyr. Aşakdakylar degişli tehniki ýörelgeler we taýýarlyk işleriniň ädimleri:

Tehniki ýörelge:

Himiki bug çöketligi: Çig mal gazyny gaz fazasynda ulanmak, belli bir reaksiýa şertlerinde çüýräp, islenýän inçe plyonkany emele getirmek üçin substrata goýulýar.

Gaz fazaly reaksiýa: Piroliz ýa-da döwmek reaksiýasy arkaly, gaz fazasyndaky dürli çig mal gazlary reaksiýa kamerasynda himiki taýdan üýtgedilýär.

Taýýarlyk etaby:

Substrat bejergisi: Epitaksial wafliň hilini we kristallygyny üpjün etmek üçin substrat ýerüsti arassalama we öňünden taýýarlanylýar.

Reaksiýa kamerasyny düzetmek: reaksiýa kamerasynyň temperaturasyny, basyşyny we akym tizligini we reaksiýa şertleriniň durnuklylygyny we gözegçiligini üpjün etmek üçin beýleki parametrleri sazlaň.

Çig mal üpjünçiligi: zerur gaz çig malyny reaksiýa kamerasyna iberiň, zerur bolanda akym tizligini garyşdyryň we gözegçilikde saklaň.

Reaksiýa prosesi: Reaksiýa kamerasyny ýylatmak bilen, gazly iýmit mallary islenýän ýatagy, ýagny kremniý karbid filmini öndürmek üçin kamerada himiki reaksiýany başdan geçirýär.

Sowatmak we düşürmek: Reaksiýanyň ahyrynda reaksiýa kamerasyndaky goýumlary sowatmak we berkitmek üçin temperatura kem-kemden peselýär.

Epitaksial wafli garyşdyrmak we gaýtadan işlemek: goýlan epitaksial wafli elektrik we optiki aýratynlyklaryny gowulandyrmak üçin dykylýar we gaýtadan işlenýär.

Silikon karbid epitaksial wafli taýýarlamak işiniň anyk ädimleri we şertleri aýratyn enjamlara we talaplara baglylykda üýtgäp biler. Aboveokardakylar diňe umumy proses akymy we ýörelgesi, anyk amaly hakyky ýagdaýa görä sazlamaly we optimizirlemeli.