6inch SiC Epitaxiy wafer N/P görnüşi özleşdirilen görnüşde kabul edilýär

Kremniý karbidi epitaksial plastinkasyny taýýarlamak prosesi himiki bug çökündisi (HBÇ) tehnologiýasyny ulanýan usuldyr. Degişli tehniki ýörelgeler we taýýarlamak prosesiniň ädimleri aşakdakylardyr:

Tehniki prinsip:

Himiki bug çökündisi: Çig mal gazyny gaz fazasynda ulanyp, belli bir reaksiýa şertlerinde, ol parçalanýar we gerek bolan inçe plýonkany emele getirmek üçin substratda çökündi.

Gaz fazasy reaksiýasy: Piroliz ýa-da kreking reaksiýasy arkaly gaz fazasyndaky dürli çig mal gazlary reaksiýa kamerasynda himiki taýdan üýtgedilýär.

Taýýarlyk prosesiniň ädimleri:

Substrat bilen işlenilmesi: Epitaksial plastinkanyň hilini we kristallygyny üpjün etmek üçin substrat ýüzi arassalanylýar we öňünden işlenilýär.

Reaksiýa kamerasynyň sazlamalary: reaksiýa şertleriniň durnuklylygyny we gözegçiligini üpjün etmek üçin reaksiýa kamerasynyň temperaturasyny, basyşyny we akym tizligini we beýleki parametrleri sazlaň.

Çig mal üpjünçiligi: zerur bolan gaz çig mallaryny reaksiýa kamerasyna iberiň, gerek bolanda akym tizligini garyşdyryň we gözegçilik ediň.

Reaksiýa prosesi: Reaksiýa kamerasyny gyzdyrmak arkaly gaz görnüşli çig mal kamerada himiki reaksiýa geçip, islenýän çökündi, ýagny kremniý karbid plýonkasyny öndürýär.

Sowatmak we boşatmak: Reaksiýanyň ahyrynda, reaksiýa kamerasyndaky çökündileri sowatmak we gatylaşdyrmak üçin temperatura kem-kemden peseldilýär.

Epitaksial plastinkanyň ýumşadylmagy we gaýtadan işlenilmegi: çökdürilen epitaksial plastinkanyň elektrik we optiki häsiýetlerini gowulandyrmak üçin ýumşadylýar we gaýtadan işlenilýär.

Kremniý karbidiniň epitaksial waferini taýýarlamak prosesiniň anyk ädimleri we şertleri anyk enjamlara we talaplara baglylykda üýtgeşik bolup biler. Ýokarda görkezilenler diňe umumy proses akymy we prinsipi bolup, anyk operasiýa hakyky ýagdaýa görä sazlanmaly we optimizirlenmelidir.