6 dýuýmlyk N-tipli ýa-da P-tipli silikon wafer CZ Si wafer

Gysgaça düşündiriş:

6 dýuýmlyk kremniý plitalary integral mikrosxemalaryň önümçiliginde giňden ulanylýan umumy kremniý substrat materialydyr. Bu plitalar mikroprosessorlar, ýat çipleri, sensorlar we beýleki elektron enjamlar ýaly dürli görnüşli integral mikrosxemalary döretmek üçin gaýtadan işlenilýär we arassalanýar. 6 dýuýmlyk kremniý plitalarynyň artykmaçlyklary olaryň uly ýüz meýdanyny, gowy ýylylyk geçirijiligini we deňeşdirme boýunça arzan bahasyny öz içine alýar. Bu häsiýetler 6 dýuýmlyk kremniý plitalaryny integral mikrosxemalaryň önümçiligi üçin iň gowy saýlawlaryň birine öwürýär.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Wafer gutusynyň tanyşdyrylyşy

Silikon plastinkanyň tehniki häsiýetnamalary:

6 dýuýmlyk silikon waferiň ösüşi: CZ, MCZ, FZ。

6 Silikon wafer derejesi: Esasy, Synag, Dummy we ş.m.

6 dýuýmlyk silikon plastinkanyň diametri: 6 dýuým/150 mm.

6 dýuýmlyk silikon plastinkanyň galyňlygy: 200 ~ 3000um.

6 dýuýmlyk silikon wafer örtügi: kesilen, gatlaklanan, oýulan, SSP, DSP we ş.m.

6 dýuýmlyk silikon plastinkanyň ugry: (100) (111) (110) (531) (553) we ş.m.

6 dýuýmlyk silikon wafer. Kesilen ýeri: 4 gradusa çenli.

6 dýuýmlyk silikon wafer görnüşi/goşulmasy: P/B, N/Phos, N/As, N/Sb, Içki maddalar。

6 dýuýmlyk kremniý plastinkasynyň garşylygy: CZ/MCZ: 0,001-den 1000 ohm-sm-e çenli. FZ: 20k ohm-sm-e çenli.

6 dýuýmlyk kremniý plastinkasy Inçe plýonkalar: (a) PVD: Al, Cu, Au, Cr, Si, Ni;, Fe, Mo we ş.m., Örtük galyňlygy 20.000A/5% çenli.

(b) LPCVD/PECVD: Oksid, Nitrid, siC we ş.m., Örtük galyňlygy 200.000A/3% çenli.

6 dýuýmlyk kremniý waferasy. Işleniş usullary: a.DSP, örän inçe, örän tekiz we ş.m.

b.Işçileri kiçeltmek, yzyna üwemek, böleklere bölmek we ş.m. c. MEMS.

2010-njy ýyldan bäri, “Shanghai XKH Material Tech. Co.,Ltd” müşderilere 50mm-300mm aralygyndaky ölçegli, deň derejeli waferlerden başlap, synag derejeli waferlerden başlap, önüm derejeli “Prime Wafer” waferlerine çenli 4 dýuýmlyk toplumlaýyn silikon wafer çözgütlerini, şeýle hem ýörite waferleri, Oksid waferlerini, Si3N4 nitrid waferlerini, Alýumin bilen örtülen waferleri, Mis bilen örtülen silikon waferlerini, SOI waferini, MEMS aýnasyny, özleşdirilen ultra galyň we ultra tekiz waferleri we ş.m. hödürlemäge borçlanýar we biz ýarymgeçiriji waferleri bir taraply/iki taraply jylamak, inçelmek, böleklere bölmek, MEMS we beýleki gaýtadan işlemek we özleşdirmek hyzmatlaryny hödürläp bileris.