6inch GaN-On-Safir
Silikon / Safir / SiC-de 150mm 6inch GaN Epi gatlak wafli Gallium nitrid epitaksial wafli
6 dýuým sapfir substrat wafli, sapfir substratynda ösdürilip ýetişdirilen galiý nitridiniň (GaN) gatlaklaryndan ybarat ýokary hilli ýarymgeçiriji materialdyr. Material ajaýyp elektron transport aýratynlyklaryna eýedir we ýokary güýçli we ýokary ýygylykly ýarymgeçiriji enjamlary öndürmek üçin amatlydyr.
Önümçilik usuly: Önümçilik prosesi, metal-organiki himiki bug çökdürilmegi (MOCVD) ýa-da molekulýar şöhle epitaksiýasy (MBE) ýaly ösen usullary ulanyp, ýakut substratda GaN gatlaklaryny ösdürmegi öz içine alýar. Depolama prosesi ýokary kristal hilini we birmeňzeş filmi üpjün etmek üçin gözegçilik edilýän şertlerde amala aşyrylýar.
6inch GaN-On-Safir programmalary: 6 dýuým sapfir substrat çipleri mikrotolkun aragatnaşyklarynda, radar ulgamlarynda, simsiz tehnologiýa we optoelektronikada giňden ulanylýar.
Käbir umumy programmalar öz içine alýar
1. Rf güýçlendiriji
2. LED yşyklandyryş pudagy
3. Simsiz tor aragatnaşyk enjamlary
4. temperatureokary temperaturaly gurşawda elektron enjamlar
5. Optoelektron enjamlary
Haryt aýratynlyklary
- Ölçegi: Substratyň diametri 6 dýuým (takmynan 150 mm).
- faceerüsti hil: Ajaýyp aýnanyň hilini üpjün etmek üçin üstü nepisleşdirildi.
- Galyňlygy: GaN gatlagynyň galyňlygyny aýratyn talaplara laýyklykda düzüp bolýar.
- Gaplamak: Daşaýyş wagtynda zeper ýetmeginiň öňüni almak üçin substrat anti-statik materiallar bilen gaplanýar.
- ingerleşiş gyralary: Substratyň enjam taýýarlanylanda deňleşmegini we işlemegini aňsatlaşdyrýan belli bir gyralary bar.
- Beýleki parametrler: Inçe, garşylyk we doping konsentrasiýasy ýaly aýratyn parametrler müşderiniň talaplaryna laýyklykda sazlanyp bilner.
Iň ýokary material aýratynlyklary we dürli goşundylary bilen 6 dýuým sapfir substrat wafli dürli pudaklarda ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji enjamlary ösdürmek üçin ygtybarly saýlawdyr.
| Substrat | 6 ”1mm <111> p görnüşli Si | 6 ”1mm <111> p görnüşli Si |
| Epi ThickAvg | ~ 5um | ~ 7um |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Aý | +/- 45um | +/- 45um |
| Döwmek | <5mm | <5mm |
| Dik BV | > 1000V | > 1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT ThickAvg | 20-30nm | 20-30nm |
| Insitu SiN Cap | 5-60nm | 5-60nm |
| 2DEG kons. | ~ 1013cm-2 | ~ 1013cm-2 |
| Hereket | ~ 2000 sm2/ Vs (<2%) | ~ 2000 sm2/ Vs (<2%) |
| Rsh | <330ohm / kw (<2%) | <330ohm / kw (<2%) |
Jikme-jik diagramma
