6 dýuýmlyk GaN-On-Sapphire
150mm 6inch GaN kremniý/safir/siC Epi-gatlakly wafer Galliý nitridi epitaksial wafer
6 dýuýmlyk sapfir substrat plastinkasy sapfir substratynda ösdürilip ýetişdirilen galliý nitridiniň (GaN) gatlaklaryndan ybarat bolan ýokary hilli ýarymgeçiriji materialdyr. Bu material ajaýyp elektron daşaýjy häsiýetlere eýedir we ýokary kuwwatly we ýokary ýygylykly ýarymgeçiriji enjamlary öndürmek üçin idealdyr.
Önümçilik usuly: Önümçilik prosesi sapfir substratynda GaN gatlaklaryny metal-organik himiki bug çökündisi (MOCVD) ýa-da molekulýar şöhle epitaksiýasy (MBE) ýaly öňdebaryjy usullary ulanyp ösdürmegi öz içine alýar. Çökündi prosesi ýokary kristal hilini we birmeňzeş plýonkany üpjün etmek üçin gözegçilikli şertlerde amala aşyrylýar.
6 dýuýmlyk GaN-On-Sapphire ulanylyşlary: 6 dýuýmlyk sapfir substrat çipleri mikrotolkunly aragatnaşykda, radar ulgamlarynda, simsiz tehnologiýada we optoelektronikada giňden ulanylýar.
Käbir umumy ulanylyşlar şulary öz içine alýar
1. Rf güýç güýçlendirijisi
2. LED yşyklandyryş senagaty
3. Simsiz tor aragatnaşyk enjamlary
4. Ýokary temperatura gurşawynda elektron enjamlar
5. Optoelektron enjamlar
Önümiň aýratynlyklary
- Ölçegi: Substratyň diametri 6 dýuým (takmynan 150 mm).
- Ýüziň hili: Aýna ýaly ajaýyp hili üpjün etmek üçin ýüzi inçe jylaňlandyryldy.
- Galyňlygy: GaN gatlagynyň galyňlygy belli bir talaplara laýyklykda sazlanyp bilner.
- Gaplama: Daşamak wagtynda zyýan ýetmezligi üçin substrat antistatik materiallar bilen üns bilen gaplanýar.
- Gyralary ýerleşdirmek: Substratyň enjam taýýarlanylanda deňleşdirmegi we işlemegi ýeňilleşdirýän ýörite ýerleşdirmek gyralary bar.
- Beýleki parametrler: Inçelik, garşylyk we doping konsentrasiýasy ýaly anyk parametrler müşderiniň talaplaryna laýyklykda sazlanyp bilner.
Ýokary derejeli material häsiýetleri we dürli ulanylyşlary bilen, 6 dýuýmlyk sapfir substrat plitalary dürli pudaklarda ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji enjamlary işläp düzmek üçin ygtybarly saýlawdyr.
| Substrat | 6” 1mm <111> p-tipli Si | 6” 1mm <111> p-tipli Si |
| Epi GalyňOrtaça | ~5um | ~7um |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Ýaý | +/-45um | +/-45um |
| Çatlama | <5mm | <5mm |
| Dik BV | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT Galyň Ortaça | 20-30nm | 20-30nm |
| Insitu SiN Cap | 5-60nm | 5-60nm |
| 2DEG konsentrasiýasy. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Hereketlilik | ~2000sm2/Vs (<2%) | ~2000sm2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330 ohm/kwadrat metr (<2%) | <330 ohm/kwadrat metr (<2%) |
Jikme-jik diagramma
