6 dýuým geçiriji SiC kompozit substrat 4H diametri 150mm Ra≤0.2nm Warp≤35μm

Gysga düşündiriş:

Ondarymgeçiriji pudagynyň has ýokary öndürijilik we arzan bahadan ugur almagy netijesinde 6 dýuýmlyk geçiriji SiC kompozit substraty ýüze çykdy. Innowasion material birleşme tehnologiýasy arkaly, bu 6 dýuým wafli adaty 8 dýuým wafli öndürijiliginiň 85% -ine ýetýär, bahasy bolsa 60%. Täze energiýa ulagy zarýad beriş stansiýalary, 5G esasy stansiýa güýç modullary, hatda premium öý enjamlarynda üýtgeýän ýygylykly hereketlendirijiler ýaly gündelik programmalardaky kuwwat enjamlary eýýäm bu görnüşdäki substratlary ulanyp bilerler. Patentlenen köp gatlakly epitaksial ösüş tehnologiýamyz, SiC bazalarynda atom derejesindäki tekiz birleşme interfeýslere mümkinçilik berýär, interfeýsiň döwlet dykyzlygy 1 × 10¹¹ / cm² · eV-den pes - halkara derejesinde ýokary derejä ýeten spesifikasiýa.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Tehniki parametrler

Harytlar	Önümçiliksynp	Dummysynp
Diametri	6-8 dýuým	6-8 dýuým
Galyňlyk	350/500 ± 25.0 μm	350/500 ± 25.0 μm
Politip	4H	4H
Çydamlylyk	0.015-0.025 ohm · sm	0.015-0.025 ohm · sm
TTV	≤5 μm	≤20 μm
Warp	≤35 μm	≤55 μm
Öň (Si-face) gödeklik	Ra≤0.2 nm (5μm × 5μm)	Ra≤0.2 nm (5μm × 5μm)

Esasy aýratynlyklary

1.Kost artykmaçlygy: 6 dýuýmlyk geçiriji SiC birleşýän substratymyz, ajaýyp elektrik öndürijiligini saklamak bilen çig malyň çykdajylaryny 38% azaltmak üçin material düzümini optimallaşdyrýan, "derejeli bufer gatlagy" tehnologiýasyny ulanýar. Hakyky ölçegler, bu substraty ulanýan 650V MOSFET enjamynyň, adaty çözgütler bilen deňeşdirilende, bir meýdanyň bahasynyň 42% arzanlamagyny gazanýandygyny görkezýär, bu sarp ediji elektronikasynda SiC enjamynyň kabul edilmegine itergi berýär.
2. Ajaýyp geçiriji häsiýetler: Azotyň dopingine gözegçilik etmegiň takyk amallary arkaly, 6 dýuým geçiriji SiC birleşýän substratymyz, ± 5% içinde gözegçilik edilip, 0.012-0.022Ω · sm ultra pes garşylyga ýetýär. Ablyeri gelende aýtsak, wafliň 5 mm gyrasyndaky sebitde-de garşylyk birmeňzeşligini saklaýarys, bu pudakda köpden bäri dowam edip gelýän täsir effektini çözýäris.
3. Termiki öndürijilik: Substratymyzy ulanyp işlenip düzülen 1200V / 50A modul, doly ýüklenende daşky gurşawdan diňe 45 ℃ birleşýän temperaturanyň ýokarlanmagyny görkezýär - deňeşdirip boljak kremniý esasly enjamlardan 65 ℃ pes. Bu, "3D ýylylyk kanaly" birleşýän gurluşymyz arkaly, gapdal ýylylyk geçirijiligini 380W / m · K we dik ýylylyk geçirijiligini 290W / m · K çenli ýokarlandyrýar.
4.Prosessiň gabat gelmegi: 6 dýuým geçiriji SiC birleşdirilen substratlaryň özboluşly gurluşy üçin, 0,3μm-den aşakda gyralaryň kesilmegine gözegçilik edip, 200mm / s kesiş tizligine ýetýän gabat gelýän lazer bahalandyryş prosesini taýýarladyk. Mundan başga-da, gönüden-göni baglanmaga mümkinçilik berýän nikel bilen örtülen substrat görnüşlerini hödürleýäris, müşderilere iki ädim ädimini tygşytlaýarys.

Esasy programmalar

Möhüm akylly set enjamlary:

K 800kV-de işleýän ultra ýokary woltly göni tok (UHVDC) geçiriş ulgamlarynda, 6 dýuým geçiriji SiC birleşýän substratlarymyzy ulanýan IGCT enjamlary ajaýyp öndürijilik görkezijilerini görkezýär. Bu enjamlar, kommutasiýa prosesinde ýitgileriň kommutasiýasynyň 55% azalmagyna, şol bir wagtyň özünde ulgamyň umumy netijeliliginiň 99,2% -den geçmegine ýetýär. Substratlaryň ýokary ýylylyk geçirijiligi (380W / m · K), adaty kremniý esasly erginler bilen deňeşdirilende podstansiýanyň aýak yzyny 25% azaldýan ykjam öwrüji dizaýnlaryna mümkinçilik berýär.

Täze energiýa ulag güýji:

6 dýuým geçiriji SiC birleşýän substratlarymyzy öz içine alýan hereketlendiriji ulgam, görlüp-eşidilmedik inwertor güýji 45kW / L ýetýär - öňki 400V kremniý esasly dizaýnyndan 60% gowulaşýar. Iň täsir galdyryjy ulgam, demirgazyk howa şertlerinde EV-iň kabul edilmegine sebäp bolan sowuk-howa öndürijilik kynçylyklaryny çözüp, -40 ℃ + 175 entire aralygynda ähli iş temperaturasynyň 98% netijeliligini saklaýar. Hakyky dünýädäki synag, bu tehnologiýa bilen enjamlaşdyrylan ulaglar üçin gyş aralygynyň 7,5% ýokarlanandygyny görkezýär.

Senagat üýtgeýän ýygylyk sürüjileri:

Senagat hyzmatlarymyz üçin akylly güýç modullarynda (IPM) substratlarymyzyň kabul edilmegi önümçilik awtomatizasiýasyny üýtgedýär. CNC işleýiş merkezlerinde bu modullar elektromagnit sesini 15dB-den 65dB (A) çenli kesip, 40% has çalt hereketlendirijini (tizlenme wagtyny 50-den 30 metre çenli azaldýar) berýär.

Sarp ediji elektronikasy:

Sarp ediji elektroniki öwrülişik, indiki nesil 65W GaN çalt zarýad berijilerini üpjün edýän substratlarymyz bilen dowam edýär. Bu ykjam kuwwatly adapterler, SiC esasly dizaýnlaryň ýokary kommutasiýa aýratynlyklary sebäpli doly güýji çykarmagy dowam etdirip, 30% ses peselmegine (45 sm çenli) ýetýär. Malylylyk şekillendirişinde üznüksiz işlemek wagtynda iň ýokary temperatura 68 ° C - adaty dizaýnlardan 22 ° C sowuk - önümiň ömrüni we howpsuzlygyny ep-esli ýokarlandyrýar.

XKH özleşdirme hyzmatlary

XKH 6 dýuým geçiriji SiC kompozit substratlary üçin giňişleýin özleşdirme goldawyny berýär:

Galyňlygy özleşdirmek: 200μm, 300μm we 350μm spesifikasiýalary öz içine alýan opsiýalar
2. Çydamlylyga gözegçilik: 1 × 10¹⁸-dan 5 × 10¹⁸ sm⁻³ çenli sazlanylýan n görnüşli doping konsentrasiýasy

3. Kristal ugrukdyrma: 4 000 ýa-da 8 ° okdan başga (0001) köp ugurlary goldamak.

4. Synag hyzmatlary: Wafer derejesindäki parametr synag synaglarynyň doly hasabaty

Prototipden köpçülikleýin önümçilige çenli häzirki öňdebaryjy wagtymyz 8 hepde ýaly gysga bolup biler. Strategiki müşderiler üçin enjamyň talaplaryna laýyk gelmegini üpjün etmek üçin aýratyn ösüş ösüş hyzmatlaryny hödürleýäris.