6 dýuým-8 dýuým LN-on-Si kompozit substratynyň galyňlygy 0.3-50 μm Si/SiC/Sapphire materiallary

Gysgaça düşündiriş:

6 dýuýmdan 8 dýuýma çenli LN-on-Si kompozit substraty, galyňlygy 0,3 μm-den 50 μm-e çenli bolan, monokristal litium niobaty (LN) inçe plýonkalaryny kremniý (Si) substratlary bilen birleşdirýän ýokary öndürijilikli materialdyr. Ol ösen ýarymgeçiriji we optoelektron enjamlary öndürmek üçin niýetlenendir. Öňdebaryjy baglanyşyk ýa-da epitaksial ösüş usullaryny ulanyp, bu substrat LN inçe plýonkasynyň ýokary kristal hilini üpjün edýär we önümçiligiň netijeliligini we çykdajylaryň netijeliligini ýokarlandyrmak üçin kremniý substratynyň uly plastinka ölçegini (6 dýuýmdan 8 dýuýma çenli) ulanýar.
Adaty köpçülikleýin LN materiallary bilen deňeşdirilende, 6 dýuýmdan 8 dýuýma çenli LN-on-Si kompozit substraty ýokary derejeli termal deňleşdiriş we mehaniki durnuklylygy üpjün edýär, bu bolsa ony uly göwrümli wafer derejesindäki gaýtadan işlemek üçin amatly edýär. Mundan başga-da, ýokary ýygylykly RF enjamlary, integrasiýa edilen fotonika we MEMS sensorlary ýaly belli bir ulanylyş talaplaryna laýyk gelmek üçin SiC ýa-da sapfir ýaly alternatiw esasy materiallar saýlanyp bilner.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Tehniki parametrler

Izolýatorlarda 0.3-50μm LN/LT
Üstki gatlak
Diametr	6-8 dýuým
Ugurlanma	X, Z, Y-42 we ş.m.
Materiallar	LT, LN
Galyňlygy	0.3-50μm
Substrat (Özleşdirilen)
Material	Si, SiC, Safir, Şpinel, Kwars

Esasy aýratynlyklar

6 dýuýmdan 8 dýuýma çenli LN-on-Si kompozit substraty özüne mahsus material häsiýetleri we sazlanyp bilýän parametrleri bilen tapawutlanýar, bu bolsa ýarymgeçiriji we optoelektronika senagatynda giňden ulanylmagyna mümkinçilik berýär:

1. Uly wafer bilen utgaşyklylyk: 6 dýuýmdan 8 dýuýma çenli wafer ölçegleri bar bolan ýarymgeçiriji önümçilik liniýalary (meselem, CMOS prosesleri) bilen bökdençsiz integrasiýany üpjün edýär, önümçilik çykdajylaryny azaldýar we köpçülikleýin önümçiligi üpjün edýär.

2. Ýokary Kristal Hili: Optimallaşdyrylan epitaksial ýa-da baglaýyş usullary LN inçe plyonkasynda pes kemçilik dykyzlygyny üpjün edýär, bu bolsa ony ýokary öndürijilikli optiki modulýatorlar, ýerüsti akustik tolkun (SAW) süzgüçleri we beýleki takyk enjamlar üçin ideal edýär.

3. Sazlanyp bilinýän galyňlyk (0.3–50 μm): Ultra inçe LN gatlaklary (<1 μm) integrasiýa edilen fotonik çipler üçin amatlydyr, galyň gatlaklar bolsa (10–50 μm) ýokary kuwwatly RF enjamlaryny ýa-da pýezoelektrik datçikleri goldaýar.

4. Köp sanly substrat wariantlary: Si-den başga-da, ýokary ýygylykly, ýokary temperaturaly ýa-da ýokary kuwwatly ulanylyşlaryň talaplaryny kanagatlandyrmak üçin esasy materiallar hökmünde SiC (ýokary ýylylyk geçirijiligi) ýa-da sapfir (ýokary izolýasiýa) saýlanyp bilner.

5. Termal we mehaniki durnuklylyk: Kremniý substraty berk mehaniki goldaw berýär, işleniş wagtynda egriligi ýa-da ýarylmany azaldýar we enjamyň öndürijiligini ýokarlandyrýar.

Bu aýratynlyklar 6 dýuýmdan 8 dýuýma çenli LN-on-Si kompozit substratyny 5G aragatnaşyk, LiDAR we kwantum optikasy ýaly öňdebaryjy tehnologiýalar üçin iň gowy material hökmünde görkezýär.

Esasy ulanylyşlar

6 dýuýmdan 8 dýuýma çenli LN-on-Si kompozit substraty ajaýyp elektro-optik, pýezoelektrik we akustik häsiýetleri sebäpli ýokary tehnologiýaly pudaklarda giňden ulanylýar:

1. Optiki aragatnaşyk we integrasiýalaşdyrylan fotonika: Maglumat merkezleriniň we süýümli-optiki torlaryň geçirijilik ukybyna bolan talaplaryny kanagatlandyrmak bilen, ýokary tizlikli elektro-optiki modulýatorlary, tolkun geçirijilerini we fotonik integrasiýa mikroshemalaryny (PIC) ulanmaga mümkinçilik berýär.

2.5G/6G RF enjamlary: LN-iň ýokary pýezoelektrik koeffisiýenti ony ýerüsti akustik tolkun (SAW) we köpçülikleýin akustik tolkun (BAW) süzgüçleri üçin amatly edýär, 5G baza stansiýalarynda we ykjam enjamlarda signaly gaýtadan işlemegi güýçlendirýär.

3. MEMS we Sensorlar: LN-on-Si-niň pýezoelektrik täsiri lukmançylyk we senagat ulanylyşlary üçin ýokary duýgurlykly akselerometrleriň, biosensorlaryň we ultrases öwrüjileriň ulanylmagyny üpjün edýär.

4. Kwant tehnologiýalary: Çyzyksyz optiki material hökmünde LN inçe plýonkalary kwant ýagtylyk çeşmelerinde (meselem, çyzyk foton jübütlerinde) we integrasiýa edilen kwant çiplerinde ulanylýar.

5. Lazerler we çyzykly däl optika: Ultra inçe LN gatlaklary lazer işläp bejermek we spektroskopik analiz üçin netijeli ikinji garmonik generasiýa (SHG) we optiki parametrik yrgyldawuklyk (OPO) enjamlaryny döretmäge mümkinçilik berýär.

Standartlaşdyrylan 6 dýuýmdan 8 dýuýma çenli LN-on-Si kompozit substraty bu enjamlary uly göwrümli wafer fabrikalarynda öndürmäge mümkinçilik berýär we önümçilik çykdajylaryny ep-esli azaldýar.

Özleşdiriş we hyzmatlar

Biz dürli ylmy-barlag we önümçilik zerurlyklaryny kanagatlandyrmak üçin 6 dýuýmdan 8 dýuýma çenli LN-on-Si kompozit substraty üçin toplumlaýyn tehniki goldaw we özleşdirme hyzmatlaryny hödürleýäris:

1. Özboluşly önümçilik: LN plýonkasynyň galyňlygy (0.3–50 μm), kristalyň ugry (X-kesiş/Y-kesiş) we substrat materialy (Si/SiC/safir) enjamyň işini optimizirlemek üçin sazlanyp bilner.

2. Wafer derejesindäki gaýtadan işlemek: 6 dýuýmlyk we 8 dýuýmlyk waferleriň köpçülikleýin üpjünçiligi, şol sanda böleklere bölmek, jylamak we örtmek ýaly hyzmatlary öz içine alýar, bu bolsa substratlaryň enjam integrasiýasyna taýýardygyny üpjün edýär.

3. Tehniki maslahat we synag: Taslamanyň tassyklanmagyny çaltlaşdyrmak üçin materiallaryň häsiýetnamasy (meselem, XRD, AFM), elektro-optik öndürijilik synagy we enjamyň simulýasiýa goldawy.

Biziň maksadymyz optoelektron we ýarymgeçiriji ulanylyşlar üçin esasy material çözgüdi hökmünde 6 dýuýmdan 8 dýuýma çenli LN-on-Si kompozit substratyny döretmek we ylmy-barlag we işläp taýýarlamalardan köpçülikleýin önümçilige çenli doly goldaw bermekdir.

Netije

6 dýuýmdan 8 dýuýma çenli LN-on-Si kompozit substraty, uly plastinka ölçegleri, ýokary hilli materiallary we köpugurlylygy bilen, optiki aragatnaşykda, 5G RF we kwant tehnologiýalarynda öňegidişlikleri öňe sürýär. Ýokary möçberde önümçilik üçin ýa-da özleşdirilen çözgütler üçin bolsun, biz tehnologik innowasiýalary güýçlendirmek üçin ygtybarly substratlary we goşmaça hyzmatlary hödürleýäris.