6 dýuým-8 dýuým LN-on-Si Kompozit substratyň galyňlygy 0,3-50 μm Si / SiC / Safir materiallar

Gysga düşündiriş:

6 dýuýmdan 8 dýuýma çenli LN-on-Si birleşýän substrat, bir kristal litiý niobat (LN) inçe filmleri kremniý (Si) substratlary bilen birleşdirýän, galyňlygy 0,3 μm-dan 50 μm aralygynda ýokary öndürijilikli materialdyr. Ösen ýarymgeçiriji we optoelektron enjam öndürmek üçin niýetlenendir. Ösen baglanyşyk ýa-da epitaksial ösüş usullaryndan peýdalanyp, bu substrat önümçiligiň netijeliligini we çykdajylylygyny ýokarlandyrmak üçin kremniniň aşaky gatlagynyň uly wafli ululygyny (6 dýuýmdan 8 dýuým) ýokary göterip, LN inçe filminiň ýokary kristal hilini üpjün edýär.
Adaty köpçülikleýin LN materiallary bilen deňeşdirilende, 6 dýuýmdan 8 dýuýma çenli LN-on-Si birleşýän substrat ýokary ýylylyk gabat gelişini we mehaniki durnuklylygyny hödürleýär we uly göwrümli wafli derejesinde işlemek üçin amatly edýär. Mundan başga-da, ýokary ýygylykly RF enjamlary, integral fotonika we MEMS datçiklerini goşmak bilen, amaly talaplara laýyk gelýän SiC ýa-da sapfir ýaly alternatiw esasy materiallar saýlanyp bilner.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Tehniki parametrler

Ulatzolýatorlarda 0,3-50μm LN / LT
Topokarky gatlak
Diametri	6-8 dýuým
Ugrukdyrma	X, Z, Y-42 we ş.m.
Materiallar	LT, LN
Galyňlyk	0,3-50μm
Substrat （izedöriteleşdirilen）
Material	Si, SiC, Safir, Spinel, Kwars

Esasy aýratynlyklary

6 dýuýmdan 8 dýuýma çenli LN-on-Si birleşýän substrat, ýarymgeçiriji we optoelektron pudaklarynda giň ulanylmaga mümkinçilik berýän özboluşly material aýratynlyklary we sazlap boljak parametrleri bilen tapawutlanýar:

1. Uly wafli laýyklygy: 6 dýuýmdan 8 dýuým wafli ululygy, ýarymgeçirijiniň önümçilik liniýalary (meselem, CMOS prosesleri) bilen üznüksiz birleşmegi üpjün edýär, önümçilik çykdajylaryny azaldýar we köpçülikleýin önümçilige mümkinçilik berýär.

2. Highokary kristal hili: Optimizirlenen epitaksial ýa-da baglanyşyk usullary LN inçe filminde pes kemçilik dykyzlygyny üpjün edýär, bu ýokary öndürijilikli optiki modulýatorlar, ýerüsti akustiki tolkun (SAW) süzgüçleri we beýleki takyk enjamlar üçin amatly bolýar.

3.Düzülip bilinýän galyňlyk (0,3–50 mk): Ultratin LN gatlaklary (<1 μm) integral foton çipleri üçin amatly, galyň gatlaklar (10–50 μm) ýokary güýçli RF enjamlaryny ýa-da piezoelektrik datçiklerini goldaýar.

4. Köp sanly substrat opsiýalary: Si-den başga-da, ýokary ýygylykly, ýokary temperaturaly ýa-da ýokary güýçli programmalaryň isleglerini kanagatlandyrmak üçin esasy material hökmünde SiC (ýokary ýylylyk geçirijiligi) ýa-da sapfir (ýokary izolýasiýa) saýlanyp bilner.

5. Termiki we mehaniki durnuklylyk: Silikon substrat berk mehaniki goldaw berýär, gaýtadan işlemek we enjamyň öndürijiligini ýokarlandyrmak wagtynda döwülmegi ýa-da döwülmegi azaldýar.

Bu häsiýetler 6 dýuýmdan 8 dýuým LN-on-Si birleşýän substraty 5G aragatnaşyk, LiDAR we kwant optikasy ýaly häzirki zaman tehnologiýalary üçin ileri tutulýan material hökmünde ýerleşdirýär.

Esasy programmalar

6 dýuýmdan 8 dýuýma çenli LN-on-Si birleşýän substrat, ýokary elektro-optiki, piezoelektrik we akustiki aýratynlyklary sebäpli ýokary tehnologiýaly pudaklarda giňden kabul edilýär:

1.Optiki aragatnaşyk we toplumlaýyn fotonika: Maglumat merkezleriniň we süýüm-optiki torlaryň geçiriş giňligini talap edip, ýokary tizlikli elektro-optiki modulýatorlary, tolkun goragçylaryny we fotonik integral zynjyrlary (PIC) işledýär.

2.5G / 6G RF enjamlary: LN-iň ýokary piezoelektrik koeffisiýenti, ýerüsti akustiki tolkun (SAW) we köp akustiki tolkun (BAW) süzgüçleri üçin ideal edýär, 5G esasy stansiýalarda we ykjam enjamlarda signal işleýşini güýçlendirýär.

3.MEMS we datçikler: LN-on-Si-iň piezoelektrik täsiri ýokary duýgur akselerometrleri, biosensorlary we lukmançylyk we önümçilik goşundylary üçin ultrases ses geçirijilerini ýeňilleşdirýär.

4.Kuantum tehnologiýalary: çyzykly optiki material hökmünde LN inçe filmler kwant ýagtylyk çeşmelerinde (meselem, foton jübütleri) we integral kwant çiplerinde ulanylýar.

5. Lazerler we çyzykly däl optika: Ultratin LN gatlaklary lazer gaýtadan işlemek we spektroskopiki derňew üçin netijeli ikinji garmoniki nesil (SHG) we optiki parametriki yrgyldama (OPO) enjamlaryny üpjün edýär.

Standartlaşdyrylan 6 dýuýmdan 8 dýuýma çenli LN-on-Si birleşdirilen substrat bu enjamlary uly göwrümli wafli fablarda öndürmäge mümkinçilik berýär we önümçilik çykdajylaryny ep-esli azaldýar.

Hususlaşdyrma we hyzmatlar

Dürli gözleg we önümçilik zerurlyklaryny kanagatlandyrmak üçin 6 dýuýmdan 8 dýuým LN-on-Si birleşdirilen substrat üçin giňişleýin tehniki goldaw we özleşdiriş hyzmatlaryny hödürleýäris:

1.Kustom önümçiligi: LN filmiň galyňlygy (0,3–50 μm), kristal ugrukdyrylyşy (X-kesilen / Y-kesilen) we substrat material (Si / SiC / sapfir) enjamyň işleýşini gowulandyrmak üçin düzülip bilner.

2.Wafer-derejeli gaýtadan işlemek: 6 dýuým we 8 dýuým wafli köp mukdarda üpjün etmek, şol sanda baha kesmek, abzallaşdyrmak we örtmek ýaly aşaky hyzmatlary, substratlaryň enjam integrasiýasyna taýyn bolmagyny üpjün etmek.

3.Tehniki maslahat we synag: Dizaýn tassyklamasyny çaltlaşdyrmak üçin material häsiýetnamasy (meselem, XRD, AFM), elektro-optiki öndürijilik synagy we enjam simulýasiýa goldawy.

Biziň wezipämiz, optoelektron we ýarymgeçiriji amaly programmalar üçin esasy material çözgüdi hökmünde 6 dýuýmdan 8 dýuýma çenli LN-on-Si birleşýän substraty döretmek, R&D-den köpçülikleýin önümçilige ahyrky goldawy hödürlemek.

Netije

6 dýuýmdan 8 dýuýma çenli LN-on-Si birleşdirilen substrat, uly wafli ululygy, ýokary material hili we köp taraplylygy bilen optiki aragatnaşyk, 5G RF we kwant tehnologiýalarynda öňe gidişlige itergi berýär. Volumeokary göwrümli önümçilik ýa-da ýöriteleşdirilen çözgütler üçin bolsun, tehnologiki innowasiýalary güýçlendirmek üçin ygtybarly substratlary we goşmaça hyzmatlary hödürleýäris.