4 дюймlyk silikon wafer FZ CZ N-tipli DSP ýa-da SSP synag derejesi
Wafer gutusynyň tanyşdyrylyşy
Kremniý waferleri häzirki zaman tehnologiýa pudagynyň aýrylmaz bölegidir. Ýarymgeçiriji materiallar bazary köp sanly täze integral mikrosxema enjamlaryny öndürmek üçin takyk tehniki häsiýetnamalary bolan kremniý waferlerini talap edýär. Ýarymgeçiriji önümçiligiň bahasy ýokarlandygyça, kremniý waferleri ýaly önümçilik materiallarynyň bahasynyň hem ýokarlanýandygyny boýun alýarys. Müşderilerimize hödürleýän önümlerimizde hiliň we çykdajylaryň netijeliliginiň möhümdigini düşünýäris. Biz çykdajylary boýunça netijeli we yzygiderli hilli waferleri hödürleýäris. Biz esasan kremniý waferlerini we külçelerini (CZ), epitaksial waferleri we SOI waferlerini öndürýäris.
| Diametr | Diametr | Jylaplanan | Dopingli | Ugurlanma | Garşylyk/Ω.sm | Galyňlygy/um |
| 2 dýuým | 50.8±0.5mm | SSP DSP | P/N | 100 | 1-20 | 200-500 |
| 3 dýuým | 76.2±0.5mm | SSP DSP | P/B | 100 | NA | 525±20 |
| 4 dýuým | 101.6±0.2 101.6±0.3 101.6±0.4 | SSP DSP | P/N | 100 | 0.001-10 | 200-2000 |
| 6 dýuým | 152.5±0.3 | SSPDSP | P/N | 100 | 1-10 | 500-650 |
| 8 dýuým | 200±0.3 | DSPSSP | P/N | 100 | 0.1-20 | 625 |
Kremniý plitalarynyň ulanylyşy
Substrat: PECVD/LPCVD örtügi, magnetron püskürtmesi
Substrat: XRD, SEM, atom güýji infragyzyl spektroskopiýasy, geçiriji elektron mikroskopiýasy, fluoresensiýa spektroskopiýasy we beýleki analitiki synaglar, molekulýar şöhle epitaksial ösüşi, kristal mikrostrukturasynyň rentgen analizi işleme: aşındyrma, baglama, MEMS enjamlary, güýç enjamlary, MOS enjamlary we beýleki işleme
2010-njy ýyldan bäri, “Shanghai XKH Material Tech. Co.,Ltd” müşderilere 50mm-300mm aralygyndaky ölçegli, deň derejeli waferlerden başlap, synag derejeli waferlerden başlap, önüm derejeli “Prime Wafer” waferlerine çenli 4 dýuýmlyk toplumlaýyn silikon wafer çözgütlerini, şeýle hem ýörite waferleri, Oksid waferlerini, Si3N4 nitrid waferlerini, Alýumin bilen örtülen waferleri, Mis bilen örtülen silikon waferlerini, SOI waferini, MEMS aýnasyny, özleşdirilen ultra galyň we ultra tekiz waferleri we ş.m. hödürlemäge borçlanýar we biz ýarymgeçiriji waferleri bir taraply/iki taraply jylamak, inçelmek, böleklere bölmek, MEMS we beýleki gaýtadan işlemek we özleşdirmek hyzmatlaryny hödürläp bileris.
Jikme-jik diagramma






