MOS ýa-da SBD üçin 4 дюйм SiC Epi wafer

MOS ýa-da SBD üçin 4 dýuýmlyk SiC Epi waferi. Görkezilen surat.

Gysgaça düşündiriş:

“SiCC” kristal ösdürmegi, wafer işlemegini, wafer öndürmegi, jylamagy, arassalamagy we synagdan geçirmegi öz içine alýan doly “SiC” (Silikon Karbid) wafer substrat önümçilik liniýasyna eýedir. Häzirki wagtda biz 5x5mm2, 10x10mm2, 2″, 3″, 4″ we 6″ ölçegli ok boýunça ýa-da ok boýunça däl ýarym izolýasiýaly we ýarym geçirijili 4H we 6H SiC waferlerini hödürläp bileris, bu bolsa kemçilikleri basyp ýatyrmak, kristal tohumlaryny gaýtadan işlemek we çalt ösüş we beýleki usullary ýeňip geçýär. Ol kemçilikleri basyp ýatyrmak, kristal tohumlaryny gaýtadan işlemek we çalt ösüş ýaly esasy tehnologiýalary ýeňip geçdi we kremniý karbidiniň epitaksiýasynyň, enjamlaryň we beýleki degişli esasy barlaglaryň esasy barlaglaryny we işlenip düzülmegini öňe sürdi.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Epitaksiýa kremniý karbid substratynyň ýüzünde ýokary hilli monokristal material gatlagynyň ösmegini aňladýar. Olaryň arasynda ýarym izolýasiýaly kremniý karbid substratynda galliý nitridi epitaksial gatlagynyň ösmegi geterogen epitaksiýa diýlip atlandyrylýar; geçiriji kremniý karbid substratynyň ýüzünde kremniý karbid epitaksial gatlagynyň ösmegi bolsa gomogen epitaksiýa diýlip atlandyrylýar.

Epitaksial esasy funksional gatlagyň ösüşiniň enjamyň dizaýn talaplaryna laýyk gelýär, esasan çipiň we enjamyň işini kesgitleýär, bahasy 23%. Bu tapgyrda SiC inçe plýonka epitaksiýasynyň esasy usullary: himiki bug çökündisi (CVD), molekulýar şöhle epitaksiýasy (MBE), suwuk fazaly epitaksiýa (LPE) we impulsly lazer çökündisi we sublimasiýa (PLD).

Epitaksiýa tutuş senagatda örän möhüm halkadyr. Ýarym izolýasiýaly kremniý karbid substratlarynda GaN epitaksial gatlaklaryny ösdürmek arkaly kremniý karbidine esaslanýan GaN epitaksial plitalar öndürilýär, olar soňra ýokary elektron hereketlilikli tranzistorlar (HEMT) ýaly GaN RF enjamlaryna ýasalyp bilner;

Kremniý karbidiniň epitaksial gatlagyny geçiriji substratda ösdürip ýetişdirmek arkaly kremniý karbidiniň epitaksial waferini almak, şeýle hem epitaksial gatlakda Şottki diodlaryny, altyn-kislorod ýarym meýdan täsirli tranzistorlaryny, izolýasiýa edilen derwezeli bipolýar tranzistorlary we beýleki güýç enjamlaryny öndürmek arkaly epitaksialyň hiline enjamyň işine örän uly täsir edýär, bu bolsa senagatyň ösüşine hem örän möhüm rol oýnaýar.

Jikme-jik diagramma

Öňki: 3 dýuým Diametri 76.2 mm sapfir wafer 0.5 mm galyňlykdaky C-tekizlik SSP

Indiki: Diametri 150mm 4H-N 6inch SiC substratynyň önümçiligi we maket derejesi

Baglanyşykly önümler

MOS ýa-da SBD üçin 4 дюйм SiC Epi wafer

Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň