MOS ýa-da SBD üçin 4inch SiC Epi wafli

MOS ýa-da SBD aýratyn surat üçin 4inch SiC Epi wafli

Gysga düşündiriş:

SiCC-de hrustal ösüşi, wafli gaýtadan işlemegi, wafli ýasamagy, ýalpyldawuklygy, arassalamagy we synagy birleşdirýän doly SiC (Silikon Karbid) wafli substrat önümçilik liniýasy bar. Häzirki wagtda 5x5mm2, 10x10mm2, 2 ″, 3 ″, 4 ″ we 6 ″ ululykdaky eksenel ýa-da okdan ýarym izolýasiýa we ýarym geçiriji 4H we 6H SiC wafli berip bileris, kemçilikleri basyp, kristal tohumyny gaýtadan işleýäris we çalt ösmek we başgalar Bu kemçilikleri ýok etmek, kristal tohumlary gaýtadan işlemek we çalt ösmek ýaly esasy tehnologiýalary döwdi we kremniý karbid epitaksiýasynyň, enjamlaryň we beýleki degişli gözlegleriň esasy gözlegine we ösüşine itergi berdi.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Epitaksi, kremniý karbid substratynyň üstünde has ýokary hilli ýekeje kristal materialyň ösmegini aňladýar. Şolaryň arasynda ýarym izolýasiýa kremniy karbid substratynda galiý nitrid epitaksial gatlagynyň ösmegine heterogen epitaksiýa diýilýär; Geçiriji kremniy karbid substratynyň üstündäki kremniy karbid epitaksial gatlagynyň ösmegine birmeňzeş epitaksiýa diýilýär.

“Epitaxial” esasy funksional gatlagyň ösmeginiň enjam dizaýn talaplaryna laýyk gelýär, çipiň we enjamyň öndürijiligini 23% kesgitleýär. Bu etapda SiC inçe film epitaksiýasynyň esasy usullary: himiki buglaryň çökdürilmegi (CVD), molekulýar şöhle epitaksiýasy (MBE), suwuk faza epitaksiýasy (LPE) we impulsly lazer çökdürilmegi we sublimasiýa (PLD).

Epitaksi tutuş pudakda örän möhüm baglanyşykdyr. Semiarym izolýasiýa edýän kremniý karbid substratlarynda GaN epitaksial gatlaklaryny ösdürip, kremniý karbidine esaslanýan GaN epitaksial wafli öndürilýär, bu bolsa ýokary elektron hereketli tranzistorlar (HEMTs) ýaly GaN RF enjamlaryna edilip bilner;

Silikon karbid epitaksial wafli almak üçin geçiriji substratda kremniý karbid epitaksial gatlagyny ösdürip, Şottki diodlaryny, altyn-kislorod ýarym meýdan effekt tranzistorlaryny, izolýasiýa derwezesi bipolýar tranzistorlary we beýleki güýç enjamlaryny öndürmek üçin epitaksial gatlakda Enjamyň işleýşine epitaksial pudagyň ösüşine gaty uly täsir edýär, şeýle hem gaty möhüm rol oýnaýar.