4H-N 4 dýuým SiC substrat wafli Silikon Karbid Önümçilik Dummy Gözleg derejesi
Goýmalar
4 dýuým kremniy karbid ýeke kristal substrat wafli köp ugurlarda möhüm rol oýnaýar. Birinjiden, ýarymgeçiriji pudagynda güýç tranzistorlary, integral zynjyrlar we güýç modullary ýaly ýokary güýçli elektron enjamlaryny taýýarlamakda giňden ulanylýar. Highokary ýylylyk geçirijiligi we ýokary temperatura garşylygy ýylylygy has gowy ýaýratmaga we has uly iş netijeliligini we ygtybarlylygyny üpjün etmäge mümkinçilik berýär. Ikinjiden, täze materiallar we enjamlar boýunça gözleg geçirmek üçin gözleg pudagynda kremniy karbid wafli hem ulanylýar. Mundan başga-da, kremniy karbid wafli optoelektronikada, ýorgan we lazer diodlaryny öndürmekde giňden ulanylýar.
4inch SiC wafli aýratynlyklary
4 dýuým kremniy karbid ýeke kristal substrat wafli diametri 4 dýuým (takmynan 101,6mm), üstü Ra <0,5 nm çenli, galyňlygy 600 ± 25 μm. Wafli geçirijiligi N görnüşi ýa-da P görnüşi bolup, müşderiniň isleglerine görä düzülip bilner. Mundan başga-da, çip ajaýyp mehaniki durnuklylyga eýe, belli bir mukdarda basyşa we yrgyldylara çydap bilýär.
dýuým kremniý karbid ýeke kristal substrat wafli ýarymgeçiriji, gözleg we optoelektronika ugurlarynda giňden ulanylýan ýokary öndürijilikli materialdyr. Powerokary kuwwatly elektron enjamlaryny taýýarlamak we täze materiallary gözlemek üçin amatly ýylylyk geçirijiligi, mehaniki durnuklylygy we ýokary temperatura garşylygy bar. Müşderiniň dürli isleglerini kanagatlandyrmak üçin dürli aýratynlyklary we özleşdirme opsiýalaryny hödürleýäris. Silikon karbid wafli önümleriniň maglumatlary barada has giňişleýin maglumat almak üçin garaşsyz sahypamyza üns bermegiňizi haýyş edýäris.
Esasy işler: Silikon karbid wafli, kremniy karbid ýeke kristal substrat wafli, 4 dýuým, ýylylyk geçirijiligi, mehaniki durnuklylyk, ýokary temperatura garşylygy, güýç tranzistorlary, integral zynjyrlar, güýç modullary, lentalar, lazer diodlary, ýerüsti gutarmak, geçirijilik, ýörite saýlawlar