4 dýuým Safir Wafer C-Plane SSP / DSP 0.43mm 0.65mm

Gysga düşündiriş:

Safir, ýokary temperatura, termiki zarba, suw we gum eroziýasyna we çyzylmagyna çydamly fiziki, himiki we optiki häsiýetleriň özboluşly birleşmesiniň materialydyr.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklary

Goýmalar

III III-V we II-VI birleşmeler üçin ösüş substraty.
● Elektronika we optoelektronika.
● IR programmalary.
Sa Safiriň integrirlenen zynjyrynda kremniý (SOS).
● Radio ýygylygy integrirlenen zynjyr (RFIC).
LED önümçiliginde, tok tok ulanylanda ýagtylyk çykarýan galliý nitrit (GaN) kristallarynyň ösmegi üçin sapfir wafli ulanylýar. Safir, GaN-iň ösmegi üçin ideal substrat materialdyr, sebäbi GaN-a meňzeş kristal gurluşy we ýylylyk giňelme koeffisiýenti bar, bu kemçilikleri azaldýar we kristal hilini ýokarlandyrýar.

Optikada ýakut wafli ýokary basyşly we ýokary temperaturaly şertlerde, şeýle hem ýokary aç-açanlygy we gatylygy sebäpli infragyzyl şekillendiriş ulgamlarynda penjireler we linzalar hökmünde ulanylýar.

Spesifikasiýa

Haryt	4 dýuým C-uçar (0001) 650μm sapfir wafli
Kristal materiallar	99,999%, ýokary arassalyk, monokristally Al2O3
Baha	Premýer, Epi-taýýar
Faceerüsti ugrukdyrma	C uçar (0001)
	C-tekizligi M okuna 0,2 +/- 0,1 °
Diametri	100.0 mm +/- 0,1 mm
Galyňlyk	650 μm +/- 25 μm
Esasy kwartira ugry	Uçar (11-20) +/- 0,2 °
Esasy tekizlik uzynlygy	30.0 mm +/- 1,0 mm
Sideeke tarapy ýalpyldawuk	Öňki ýüz	Epi ýalpyldawuk, Ra <0,2 nm (AFM tarapyndan)
(SSP)	Yzky ýüz	Gowy ýer, Ra = 0.8 μm - 1,2 μm
Iki taraplaýyn ýalpyldawuk	Öňki ýüz	Epi ýalpyldawuk, Ra <0,2 nm (AFM tarapyndan)
(DSP)	Yzky ýüz	Epi ýalpyldawuk, Ra <0,2 nm (AFM tarapyndan)
TTV	<20 μm
BOW	<20 μm
WARP	<20 μm
Arassalamak / gaplamak	100-nji synp arassalaýyş we wakuum gaplamak,
	Bir kaseta gaplamasynda ýa-da bir bölek gaplamada 25 bölek.

Gaplamak we eltip bermek

Umuman aýdanymyzda, bukjany 25pc kaset gutusy bilen üpjün edýäris; müşderiniň islegine görä 100 derejeli arassalaýyş otagynyň aşagynda ýekeje wafli gap bilen gaplap bileris.