3inch SiC substrat Önümçilik Dia76.2mm 4H-N

3 dýuým kremniý karbid mosfet wafli esasy aýratynlyklary aşakdakylar;

Silikon Karbid (SiC) giň zolakly ýarymgeçiriji material bolup, ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary elektron hereketi we ýokary bölüniş elektrik meýdany güýji bilen häsiýetlendirilýär. Bu häsiýetler ýokary güýçli, ýokary ýygylykly we ýokary temperaturaly programmalarda SiC wafli ajaýyp edýär. Hususan-da, 4H-SiC polip görnüşinde, onuň kristal gurluşy ajaýyp elektron öndürijiligini üpjün edýär we ony güýçli elektron enjamlary üçin saýlama materialyna öwürýär.

3 dýuýmlyk Silikon Karbid 4H-N wafli, N görnüşli geçirijilikli azot bilen örtülen wafli. Bu doping usuly, wafli has ýokary elektron konsentrasiýasyny berýär we şeýlelik bilen enjamyň geçirijilik ukybyny ýokarlandyrýar. Wafiniň ululygy, 3 dýuým (diametri 76,2 mm), ýarymgeçiriji pudagynda dürli önümçilik amallary üçin amatly ölçegdir.

3 dýuýmlyk Silikon Karbid 4H-N wafli Fiziki bug transporty (PVT) usuly bilen öndürilýär. Bu amal, SiC poroşokyny ýokary temperaturada ýeke kristallara öwürmegi, waflyň hrustal hilini we birmeňzeşligini üpjün etmegi öz içine alýar. Mundan başga-da, wafli galyňlygy adatça 0,35 mm töweregi bolup, üstki ýarymgeçirijiniň önümçilik prosesleri üçin möhüm ähmiýete eýe bolan gaty ýokary tekizligi we tekizligi gazanmak üçin iki taraplaýyn ýalpyldawuklyga sezewar edilýär.

3 dýuýmlyk Silikon Karbid 4H-N wafli ulanylyş diapazony ýokary güýçli elektron enjamlary, ýokary temperatura datçikleri, RF enjamlary we optoelektron enjamlary ýaly giňdir. Ajaýyp öndürijiligi we ygtybarlylygy bu enjamlara häzirki zaman elektronika pudagynda ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji materiallara bolan islegi kanagatlandyryp, aşa şertlerde durnukly işlemäge mümkinçilik berýär.

4H-N 3inch SiC substratyny, dürli derejeli substrat aksiýa wafli bilen üpjün edip bileris. Şeýle hem, islegleriňize görä özleşdirmegi tertipläp bileris. Gözleg üçin hoş geldiňiz!