3 dýuýmlyk SiC substrat önümçilik diametri 76.2mm 4H-N

Gysgaça düşündiriş:

3 dýuýmlyk Kremniý Karbid 4H-N plastinkasy ýokary öndürijilikli elektron we optoelektroniki ulanylyşlar üçin ýörite döredilen ösen ýarymgeçiriji materialdyr. Ajaýyp fiziki we elektrik häsiýetleri bilen meşhur bolan bu plastinka elektrik elektronikasy ulgamynda möhüm materiallaryň biridir.


Aýratynlyklar

3 dýuýmlyk kremniý karbid mosfet waferleriniň esasy aýratynlyklary aşakdakylardyr;

Kremniý karbidi (SiC) ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary elektron hereketliligi we ýokary dargama elektrik meýdanynyň güýji bilen häsiýetlendirilýän giň zolakly ýarymgeçiriji materialdyr. Bu häsiýetler SiC plastinkalaryny ýokary kuwwatly, ýokary ýygylykly we ýokary temperatura ulanylyşlarynda ajaýyp edýär. Esasan hem 4H-SiC politipinde onuň kristal gurluşy ajaýyp elektron işini üpjün edýär, bu bolsa ony güýçli elektron enjamlar üçin saýlanan materiala öwürýär.

3 dýuýmlyk Kremniý Karbidi 4H-N plastinkasy N-görnüşli geçirijiligi bolan azot bilen lehimlenen plastinkadyr. Bu lehimleme usuly plastinka has ýokary elektron konsentrasiýasyny berýär we şeýdip enjamyň geçirijilik ukybyny ýokarlandyrýar. Plastinanyň 3 dýuým (diametri 76,2 mm) ölçegi ýarymgeçiriji senagatynda giňden ulanylýan ölçeg bolup, dürli önümçilik prosesleri üçin amatlydyr.

3 dýuýmlyk kremniý karbidi 4H-N plastinkasy fiziki bug daşamak (PVT) usuly arkaly öndürilýär. Bu proses SiC poroşogyny ýokary temperaturada monokristallara öwürmegi öz içine alýar, bu bolsa plastinkanyň kristal hilini we deňligini üpjün edýär. Mundan başga-da, plastinkanyň galyňlygy adatça 0,35 mm töwereginde bolýar we onuň ýüzi iki taraplaýyn jylaňlamaga sezewar edilýär, bu bolsa soňky ýarymgeçiriji önümçilik prosesleri üçin örän möhüm bolan örän ýokary derejeli tekizlik we ýumşaklyk derejesine ýetmek üçin amala aşyrylýar.

3 dýuýmlyk Silikon Karbid 4H-N plastinkasynyň ulanylyş çägi giň, şol sanda ýokary kuwwatly elektron enjamlary, ýokary temperatura datçikleri, RF enjamlary we optoelektron enjamlary bar. Onuň ajaýyp öndürijiligi we ygtybarlylygy bu enjamlaryň ekstremal şertlerde durnukly işlemegine mümkinçilik berýär we häzirki zaman elektronika senagatynda ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji materiallara bolan islegi kanagatlandyrýar.

Biz 4H-N 3inç SiC substratyny, dürli görnüşli substrat waflilerini hödürläp bileris. Şeýle hem, islegiňize görä özleşdirmegi gurnap bileris. Soragyňyza hoş geldiňiz!

Jikme-jik diagramma

WechatIMG189
WechatIMG192

  • Öňki:
  • Indiki:

  • Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň