3inç ýokary arassalygy ýarym izolýasiýa （HPSI） SiC wafli 350um Dummy synp premýer

3inç ýokary arassalygy ýarym izolýasiýa （HPSI） SiC wafli 350um Dummy synpy Baş derejeli Aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

3 dýuým we galyňlygy 350 µm ± 25 µm bolan HPSI (-okary arassalyk kremniy karbid) SiC wafli, iň häzirki zaman elektroniki programmalar üçin işlenip düzülendir. SiC wafli, ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary woltly garşylyk we iň az energiýa ýitgisi ýaly ajaýyp material häsiýetleri bilen meşhurdyr, bu bolsa elektrik ýarymgeçiriji enjamlar üçin ileri tutulýan ýeri saýlaýar. Bu wafli, ýokary ýygylykly, ýokary woltly we ýokary temperaturaly şertlerde gowulaşan öndürijiligi hödürläp, aşa şertleri dolandyrmak üçin niýetlenendir, bularyň hemmesi has köp energiýa netijeliligini we çydamlylygyny üpjün edýär.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Arza

HPSI SiC wafli, dürli ýokary öndürijilikli programmalarda ulanylýan indiki nesil elektrik enjamlaryny işletmekde möhüm ähmiýete eýe:
Kuwwaty öwürmek ulgamlary: SiC wafli, elektrik zynjyrlarynda kuwwatlylygy öwürmek üçin möhüm ähmiýete eýe bolan MOSFET, diodlar we IGBT ýaly güýç enjamlary üçin esasy material bolup hyzmat edýär. Bu komponentler ýokary öndürijilikli elektrik üpjünçiliginde, motor hereketlendirijilerinde we senagat inwertorlarynda bolýar.

Elektrik ulaglary (EV):Elektrik ulaglaryna bolan isleg has täsirli elektrik elektronikasynyň ulanylmagyny talap edýär we SiC wafli bu özgerişligiň başynda durýar. “EV” hereketlendirijilerinde bu wafli ýokary netijelilik we çalt kommutasiýa mümkinçiliklerini üpjün edýär, bu has çalt zarýad beriş wagtyna, uzak aralyga we ulagyň umumy işleýşini ýokarlandyrýar.

Täzelenýän energiýa:Gün we ýel energiýasy ýaly täzelenip bilýän energiýa ulgamlarynda, SiC wafli has netijeli energiýa almagy we paýlamagy üpjün edýän inwertorlarda we öwrüjilerde ulanylýar. SiC-iň ýokary ýylylyk geçirijiligi we ýokary bökdenç naprýa .eniýesi, aşa ekologiki şertlerde-de bu ulgamlaryň ygtybarly işlemegini üpjün edýär.

Senagat awtomatlaşdyryşy we robot serişdeleri:Senagat awtomatlaşdyryş ulgamlarynda we robot enjamlarynda ýokary öndürijilikli elektronika çalt çalyşmaga, uly güýç ýüklerini dolandyrmaga we ýokary stresde işlemäge ukyply enjamlary talap edýär. SiC esasly ýarymgeçirijiler, hatda agyr iş şertlerinde-de has ýokary netijeliligi we ygtybarlylygy üpjün etmek arkaly bu talaplara laýyk gelýär.

Telekommunikasiýa ulgamlary:Highokary ygtybarlylyk we täsirli energiýa öwrülişi möhüm bolan telekommunikasiýa infrastrukturasynda, elektrik üpjünçiliginde we DC-DC öwrüjilerinde SiC wafli ulanylýar. SiC enjamlary energiýa sarp edilişini azaltmaga we maglumat merkezlerinde we aragatnaşyk ulgamlarynda ulgamyň işleýşini ýokarlandyrmaga kömek edýär.

Powerokary kuwwatly programmalar üçin ygtybarly binýady üpjün etmek bilen, HPSI SiC wafli, energiýa tygşytlaýan enjamlary ösdürmäge mümkinçilik berýär, pudaklara ýaşyl, has durnukly çözgütlere geçmäge kömek edýär.

Sypatlar

operty	Önümçilik derejesi	Gözleg derejesi	Dummy Grade
Diametri	75,0 mm ± 0,5 mm	75,0 mm ± 0,5 mm	75,0 mm ± 0,5 mm
Galyňlyk	350 µm ± 25 µm	350 µm ± 25 µm	350 µm ± 25 µm
Wafer ugry	Okda: <0001> ± 0,5 °	Okda: <0001> ± 2.0 °	Okda: <0001> ± 2.0 °
Wafleriň 95% -i üçin mikrop turbanyň dykyzlygy (MPD)	≤ 1 sm⁻²	≤ 5 sm⁻²	≤ 15 sm⁻²
Elektrik garşylygy	≥ 1E7 Ω · sm	≥ 1E6 Ω · sm	≥ 1E5 Ω · sm
Dopant	Açylmadyk	Açylmadyk	Açylmadyk
Esasy kwartira	{11-20} .0 5.0 °	{11-20} .0 5.0 °	{11-20} .0 5.0 °
Esasy tekizlik uzynlygy	32,5 mm ± 3.0 mm	32,5 mm ± 3.0 mm	32,5 mm ± 3.0 mm
Ikinji tekizlik uzynlygy	18.0 mm ± 2,0 mm	18.0 mm ± 2,0 mm	18.0 mm ± 2,0 mm
Ikinji kwartira ugry	Si ýüzbe-ýüz: başlangyç kwartiradan 90 ° C ± 5.0 °	Si ýüzbe-ýüz: başlangyç kwartiradan 90 ° C ± 5.0 °	Si ýüzbe-ýüz: başlangyç kwartiradan 90 ° C ± 5.0 °
Gyradan çykarmak	3 mm	3 mm	3 mm
LTV / TTV / Bow / Warp	3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm	3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm	5 µm / 15 µm / ± 40 µm / 45 µm
Faceerüsti gödeklik	C ýüzi: Polatly, Si ýüzi: CMP	C ýüzi: Polatly, Si ýüzi: CMP	C ýüzi: Polatly, Si ýüzi: CMP
Acksaryklar (ýokary intensiwlik bilen barlanýar)	Hiç	Hiç	Hiç
Hex plitalar (ýokary intensiwlik bilen barlanýar)	Hiç	Hiç	Jemi meýdany 10%
Polip görnüşleri (ýokary intensiwlik bilen barlanýar)	Jemi meýdany 5%	Jemi meýdany 5%	Jemi meýdany 10%
Dyrnaklar (ýokary intensiwlik bilen barlanýar)	≤ 5 çyzgy, jemlenen uzynlygy ≤ 150 mm	≤ 10 çyzgy, jemlenen uzynlygy ≤ 200 mm	≤ 10 çyzgy, jemlenen uzynlygy ≤ 200 mm
Gyrasy kesmek	Hiç birine ≥ 0,5 mm ini we çuňlugy rugsat berilmedi	2 rugsat, ini 1 mm ini we çuňlugy	5 rugsat, ini 5 mm ini we çuňlugy
Faceerüsti hapalanma (ýokary intensiwlik bilen barlanýar)	Hiç	Hiç	Hiç

Esasy artykmaçlyklary

Iň ýokary ýylylyk öndürijiligi: SiC-iň ýokary ýylylyk geçirijiligi, elektrik enjamlarynda ýylylygyň ýaýramagyny üpjün edýär, bu has ýokary güýç derejelerinde we ýygylyklarda aşa gyzmazdan işlemäge mümkinçilik berýär. Bu has kiçi, has täsirli ulgamlara we has uzak işleýiş möhletine terjime edilýär.

Breakary bölüniş naprýa .eniýesi: Silikon bilen deňeşdirilende has giň zolakly SiC wafli, ýokary woltly programmalary goldaýar, olary elektrik ulaglarynda, gözenek elektrik ulgamlarynda we täzelenip bilýän energiýa ulgamlary ýaly ýokary bölüniş naprýa .eniýalaryna garşy durmaly elektrik elektron bölekleri üçin ideal edýär.

Elektrik ýitgisiniň azalmagy: SiC enjamlarynyň pes garşylykly we çalt kommutasiýa tizligi iş wagtynda energiýa ýitgisiniň azalmagyna getirýär. Bu diňe bir netijeliligi ýokarlandyrman, eýsem ýerleşdirilen ulgamlaryň umumy energiýa tygşytlamagyny hem ýokarlandyrýar.
Zyýanly şertlerde güýçlendirilen ygtybarlylyk: SiC-iň berk material aýratynlyklary, ýokary temperatura (600 ° C çenli), ýokary woltly we ýokary ýygylyk ýaly aşa agyr şertlerde ýerine ýetirmäge mümkinçilik berýär. Bu, SiC wafli senagat, awtoulag we energiýa goşundylaryny talap etmek üçin amatly edýär.

Energiýa netijeliligi: SiC enjamlary, kremniý esasly enjamlara garanyňda has ýokary dykyzlygy hödürleýär, umumy netijeliligini ýokarlandyrmak bilen bir hatarda elektrik elektron ulgamlarynyň göwrümini we agramyny azaldýar. Bu çykdajylaryň tygşytlanmagyna we täzelenip bilýän energiýa we elektrik ulaglary ýaly programmalarda has kiçi daşky gurşaw yzyna sebäp bolýar.

Göwrümliligi: HPSI SiC wafli 3 dýuým diametri we takyk önümçilik çydamlylygy, gözleg we täjirçilik önümçilik talaplaryna laýyk gelýän köpçülikleýin önümçilik üçin ulalmagyny üpjün edýär.

Netije

3 dýuým diametri we 350 µm ± 25 µm galyňlygy bolan HPSI SiC wafli, ýokary öndürijilikli elektron enjamlarynyň indiki nesli üçin iň amatly materialdyr. Malylylyk geçirijiliginiň, ýokary bölüniş naprýa .eniýesiniň, pes energiýa ýitgisiniň we aşa şertlerde ygtybarlylygyň ajaýyp utgaşmasy ony elektrik öwrülişi, täzelenip bilýän energiýa, elektrik ulaglary, senagat ulgamlary we telekommunikasiýa ulgamlarynda dürli goşundylar üçin möhüm komponente öwürýär.

Bu SiC wafli has ýokary netijeliligi, has köp energiýa tygşytlamagy we ulgamyň ygtybarlylygyny ýokarlandyrmak isleýän pudaklar üçin has amatlydyr. Elektrik elektronikasynyň tehnologiýasy ösmegini dowam etdirýärkä, HPSI SiC wafli geljekki nesil, energiýa tygşytlaýan çözgütleriň ösmegi üçin esas döredýär, has durnukly, pes uglerodly geljege geçýär.