2inch SiC ingot Dia50.8mmx10mmt 4H-N monokristal

Gysga düşündiriş:

2 dýuýmlyk SiC (kremniy karbid) ingot, diametri ýa-da gyrasy uzynlygy 2 dýuým bolan kremniy karbidiň silindr görnüşli ýa-da blok görnüşli ýeke kristalyny aňladýar. Silikon karbid ingotlary, elektrik elektron enjamlary we optoelektron enjamlary ýaly dürli ýarymgeçiriji enjamlary öndürmek üçin başlangyç material hökmünde ulanylýar.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

SiC Kristal Ösüş Tehnologiýasy

SiC-iň aýratynlyklary ýeke kristallary ösdürmegi kynlaşdyrýar. Bu, esasan, atmosfera basyşynda Si: C = 1: 1 bolan stoiometrik gatnaşygy bolan suwuk fazanyň ýoklugy bilen baglanyşyklydyr we ýarymgeçiriji pudagyň esasy nokady bolan göni çyzuw usuly we düşýän möhüm usul ýaly SiC-ni has ösen ösüş usullary bilen ösdürip bolmaýar. Nazary taýdan, Si: C = 1: 1 stoiometrik gatnaşygy bolan çözgüdi diňe basyş 10E5atm-dan ýokary we temperatura 3200 than-dan ýokary bolanda alyp bolýar. Häzirki wagtda esasy akym usullary PVT usulyny, suwuk fazaly usuly we ýokary temperaturaly bug fazaly himiki çöketlik usulyny öz içine alýar.

Biziň üpjün edýän SiC wafli we kristallary esasan fiziki bug transporty (PVT) arkaly ösdürilýär we aşakdakylar PVT bilen gysgaça tanyşlyk:

Fiziki buglary daşamak (PVT) usuly, Lely tarapyndan 1955-nji ýylda oýlanyp tapylan gaz fazaly sublimasiýa usulyndan gelip çykypdyr, onda SiC tozy grafit turbasyna ýerleşdirilip, SiC poroşokynyň çüýremegi we sublimat bolmagy üçin ýokary temperaturada gyzdyrylýar, soň bolsa grafit turbasy sowadylýar we SiC poroşokynyň çüýrän gaz fazaly bölekleri SiC poroşokynyň töweregindäki kristallardyr. Bu usul uly göwrümli SiC ýeke kristallaryny almak kyn bolsa-da, grafit turbasynyň içindäki çöketlik prosesine gözegçilik etmek kyn bolsa-da, indiki gözlegçiler üçin pikir döredýär.

YM Taýrow we başgalar. Russiýada, SiC kristallarynyň gözegçilik edip bolmaýan kristal görnüşi we nukleýasiýa ýagdaýy meselesini çözýän tohum kristal düşünjesini girizdi. Ondan soňky gözlegçiler häzirki döwürde senagat taýdan ulanylýan fiziki buglary geçirmek (PVT) usulyny kämilleşdirmegi dowam etdirdiler.

Iň irki SiC kristal ösüş usuly hökmünde PVT häzirki wagtda SiC kristallary üçin iň esasy ösüş usulydyr. Beýleki usullar bilen deňeşdirilende, bu usul ösüş enjamlary, ýönekeý ösüş prosesi, güýçli gözegçilik etmek, düýpli ösüş we gözleg üçin pes talaplara eýedir we eýýäm senagatlaşdyryldy.